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夾取機構將晶圓拖到承載裝置上，由升降裝置帶動承載裝置下降到檢測位置，能夠防止因夾取機構夾不緊，使得晶圓從高處跌落，造成損壞的情況發(fā)生，使得晶圓運輸更加安全可靠。附圖說明圖是本實用新型實施例提供的晶圓視覺檢測機的晶圓移載機構的立體圖；圖是本實用新型實施例提供的升降裝置的立體圖；圖是本實用新型實施例提供的移動模塊的立體圖；圖是本實用新型實施例提供的托臂、滑軌和滑塊的連接結(jié)構示意圖。圖中，、感應裝置；、承接裝置；、托臂；、限位部；、承托部；、升降裝置；、升降驅(qū)動器；、升降板；、安裝板；、升降絲桿機構；、聯(lián)軸器；、移動模塊；、固定板；、移動電機；、傳動組件；、主動輪；、從動輪；、同步帶；、滑軌...

泰克光電是一家專注于共晶機制造的公司。我們致力于為客戶提供高質(zhì)量、高性能的共晶機設備，以滿足不同行業(yè)的需求。作為共晶機制造領域的者，泰克光電擁有先進的技術和豐富的經(jīng)驗。我們的團隊由一群經(jīng)驗豐富的工程師和技術組成，他們在共晶機設計、制造和維護方面擁有深厚的專業(yè)知識。泰克光電的共晶機ce-ad-bb-abe-e電子、光電子、半導體等行業(yè)。我們的設備可以用于焊接、封裝、封裝和其他共晶工藝。無論是小型電子元件還是大型半導體芯片，我們都能提供適合的共晶解決方案。本實用新型涉及半導體加工技術領域，特別是涉及一種晶圓視覺檢測機的晶圓移載機構。背景技術：目前，集成電路產(chǎn)業(yè)是我國大力發(fā)展的重要科技產(chǎn)業(yè)，...

劃片過程容易產(chǎn)生崩邊、微裂紋、分層等缺陷，直接影響硅片的機械性能。同時，由于硅片硬度高、韌性低、導熱系數(shù)低，劃片過程產(chǎn)生的摩擦熱難于快速傳導出去，易造成刀片中的金剛石顆粒碳化及熱破裂，使刀具磨損嚴重，嚴重影響劃切質(zhì)量[2]。晶圓制造工藝編輯晶圓表面清洗晶圓表面附著大約2μm的Al2O3和甘油混合液保護層,在制作前必須進行化學刻蝕和表面清洗。晶圓初次氧化由熱氧化法生成SiO2緩沖層，用來減小后續(xù)中Si3N4對晶圓的應力氧化技術：干法氧化Si(固)+O2àSiO2(固)和濕法氧化Si(固)+2H2OàSiO2(固)+2H2。干法氧化通常用來形成，柵極二氧化硅膜，要求薄，界面能級和固定晶圓電...

因在于OH基SiO2膜中的擴散系數(shù)比O2的大。氧化反應，Si表面向深層移動，距離為SiO2膜厚的。因此，不同厚度的SiO2膜，去除后的Si表面的深度也不同。SiO2膜為透明，通過光干涉來估計膜的厚度。這種干涉色的周期約為200nm，如果預告知道是幾次干涉，就能正確估計。對其他的透明薄膜，如知道其折射率，也可用公式計算出(dSiO2)/(dox)=(nox)/(nSiO2)。SiO2膜很薄時，看不到干涉色，但可利用Si的疏水性和SiO2的親水性來判斷SiO2膜是否存在。也可用干涉膜計或橢圓儀等測出。SiO2和Si界面能級密度和固定電荷密度可由MOS二極管的電容特性求得。(100)面的Si...

且所述片盒架能夠相對所述固定架自轉(zhuǎn)，所述固定架的旋轉(zhuǎn)軸線與所述片盒架的旋轉(zhuǎn)軸線非共線設置。進一步地，所述片盒架的數(shù)量為多個，多個所述片盒架沿所述固定架的旋轉(zhuǎn)方向間隔設置在所述固定架上。進一步地，所述固定架包括驅(qū)動輪盤、從動輪盤和連接桿，所述驅(qū)動輪盤與所述從動輪盤同軸相對設置，且，所述驅(qū)動輪盤和所述從動輪盤分別可轉(zhuǎn)動的安裝在所述安裝座上，所述連接桿固定連接在所述驅(qū)動輪盤與所述從動輪盤之間；所述片盒架轉(zhuǎn)動連接在所述驅(qū)動輪盤和所述從動輪盤之間。進一步地，所述片盒架包括同軸相對設置的限位盤和第二限位盤，所述限位盤與所述第二限位盤之間設置有多根限位桿，多根所述限位桿沿所述限位盤的周向間隔設置，多...

多個定位槽沿限位桿的長度方向依次間隔布置。在具體使用時，將晶圓依次放置到定位槽內(nèi)，并通過三根限位桿進行限位固定?？梢岳斫獾氖?，定位槽可使得晶圓固定穩(wěn)定性得到提高，且使得各個晶圓之間具有間隙，以使每個晶圓都能充分清洗。為了簡化設備，本實施例晶圓加工固定裝置還包括傳動機構。泰克光電（TechOptics）是一家專注于共晶機制造的公司。我們致力于為客戶提供高質(zhì)量、高性能的共晶機設備，以滿足不同行業(yè)的需求。作為共晶機制造領域的者，泰克光電擁有先進的技術和豐富的經(jīng)驗。我們的團隊由一群經(jīng)驗豐富的工程師和技術組成，他們在共晶機設計、制造和維護方面擁有深厚的專業(yè)知識。泰克光電的共晶機廣泛應用于電子、光...

BPSG)加熱到800oC時會軟化并有流動特性，可使晶圓表面初級平坦化。深處理濺鍍層金屬利用光刻技術留出金屬接觸洞。泰克光電（TechOptics）是一家專注于共晶機制造的公司。我們致力于為客戶提供高質(zhì)量、高性能的共晶機設備，以滿足不同行業(yè)的需求。作為共晶機制造領域的者，泰克光電擁有先進的技術和豐富的經(jīng)驗。我們的團隊由一群經(jīng)驗豐富的工程師和技術組成，他們在共晶機設計、制造和維護方面擁有深厚的專業(yè)知識。泰克光電的共晶機廣泛應用于電子、光電子、半導體等行業(yè)。我們的設備可以用于焊接、封裝、封裝和其他共晶工藝。無論是小型電子元件還是大型半導體芯片，我們都能提供適合的共晶解決方案。濺鍍鈦+氮化鈦...

也即太陽輪的輪軸與驅(qū)動輪盤的中心連接軸同軸；行星架的行星輪與片盒架的限位盤的轉(zhuǎn)動軸連接，且每個行星輪至多連接一個限位盤的轉(zhuǎn)動軸，每個行星輪的軸線與其對應的轉(zhuǎn)動軸共線設置；行星架的齒圈固定設置。其中，每個片盒架的轉(zhuǎn)動軸都需要連接一個行星輪，以實現(xiàn)片盒架的自轉(zhuǎn)，但是行星輪的數(shù)量可以大于片盒架的數(shù)量，多余的行星輪可以是空轉(zhuǎn)，也即不連接片盒架。推薦的，行星輪與片盒架的數(shù)量一一對應設置，在本實施例中，行星架的行星輪的數(shù)量為個，片盒架的數(shù)量為個，行星輪與片盒架一一對應設置。在本實施例中，如圖所示，行星架的太陽輪設置在驅(qū)動輪盤靠近從動輪盤的一側(cè)，驅(qū)動輪盤的背離被動驅(qū)動輪盤的一側(cè)設置有與電機等驅(qū)動機構...

本實施例晶圓加工固定裝置由于固定架的旋轉(zhuǎn)軸線與片盒架的旋轉(zhuǎn)軸線是非共線的，所以固定架能夠帶動片盒架在清洗槽內(nèi)旋轉(zhuǎn)，使得片盒架能夠與清洗槽內(nèi)的不同位置的清洗液接觸。泰克光電（TechOptics）是一家專注于共晶機制造的公司。我們致力于為客戶提供高質(zhì)量、高性能的共晶機設備，以滿足不同行業(yè)的需求。作為共晶機制造領域的者，泰克光電擁有先進的技術和豐富的經(jīng)驗。我們的團隊由一群經(jīng)驗豐富的工程師和技術組成，他們在共晶機設計、制造和維護方面擁有深厚的專業(yè)知識。泰克光電的共晶機廣泛應用于電子、光電子、半導體等行業(yè)。我們的設備可以用于焊接、封裝、封裝和其他共晶工藝。無論是小型電子元件還是大型半導體芯片，...

泰克光電的共晶機ce-ad-bb-abe-e電子、光電子、半導體等行業(yè)。我們的設備可以用于焊接、封裝、封裝和其他共晶工藝。無論是小型電子元件還是大型半導體芯片，我們都能提供適合的共晶解決方案。使得固定連接在同步帶不同輸送側(cè)上的托臂相互靠近或相互遠離。通過調(diào)節(jié)兩個托臂之間的距離，使得托臂能夠托住不同大小的晶圓(一個托臂拖著晶圓的一側(cè))。該晶圓移栽機構可用于承托不同體積大小的晶圓，應用。托臂的形狀為長條形，托臂的縱截面形狀為l形。托臂可分為限位部和水平設置的承托部，限位部豎直固定在承托部遠離另一托臂的一側(cè)，用于限定晶圓在承托部上的位置。限位部和承托部形成l形的托臂。當兩個托臂相互靠近，直至...

這種裝置稱為磁控濺射裝置（magnetronsputterapparatus），以高電壓將通入惰性氬體游離，再藉由陰極電場加速吸引帶正電的離子，撞擊在陰極處的靶材，將欲鍍物打出后沉積在基板上。一般均加磁場方式增加電子的游離路徑，可增加氣體的解離率，若靶材為金屬，則使用DC電場即可，若為非金屬則因靶材表面累積正電荷，導致往后的正離子與之相斥而無法繼續(xù)吸引正離子，所以改為RF電場（因場的振蕩頻率變化太快，使正離子跟不上變化，而讓RF-in的地方呈現(xiàn)陰極效應）即可解決問題。光刻技術定出VIA孔洞沉積第二層金屬，并刻蝕出連線結(jié)構。然后，用PECVD法氧化層和氮化硅保護層。光刻和離子刻蝕定出PA...

通常利用磁場來增加離子的密度。泰克光電（TechOptics）是一家專注于共晶機制造的公司。我們致力于為客戶提供高質(zhì)量、高性能的共晶機設備，以滿足不同行業(yè)的需求。作為共晶機制造領域的者，泰克光電擁有先進的技術和豐富的經(jīng)驗。我們的團隊由一群經(jīng)驗豐富的工程師和技術組成，他們在共晶機設計、制造和維護方面擁有深厚的專業(yè)知識。泰克光電的共晶機廣泛應用于電子、光電子、半導體等行業(yè)。我們的設備可以用于焊接、封裝、封裝和其他共晶工藝。無論是小型電子元件還是大型半導體芯片，我們都能提供適合的共晶解決方案。這種裝置稱為磁控濺射裝置（magnetronsputterapparatus），以高電壓將通入惰性氬...

鎖定同義詞wafer一般指晶圓本詞條由“科普中國”科學百科詞條編寫與應用工作項目審核。晶圓指制造半導體晶體管或集成電路的襯底（也叫基片）。由于是晶體材料，其形狀為圓形，所以稱為晶圓。襯底材料有硅、鍺、GaAs、InP、GaN等。由于硅為常用，如果沒有特別指明晶體材料，通常指硅晶圓。[1]在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構，而成為有特定電性功能的集成電路產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達99%。中文名晶圓外文名Wafer本質(zhì)硅晶片純度99作用制作硅半導體集成電路形狀圓形晶圓是制造半導體...

中文名晶圓外文名Wafer本質(zhì)硅晶片純度99作用制作硅半導體集成電路形狀圓形晶圓是制造半導體芯片的基本材料，半導體集成電路主要的原料是硅，因此對應的就是硅晶圓。硅在自然界中以硅酸鹽或二氧化硅的形式存在于巖石、砂礫中，硅晶圓的制造可以歸納為三個基本步驟：硅提煉及提純、單晶硅生長、晶圓成型。首先是硅提純，將沙石原料放入一個溫度約為2000℃，并且有碳源存在的電弧熔爐中，在高溫下，碳和沙石中的二氧化硅進行化學反應（碳與氧結(jié)合，剩下硅），得到純度約為98%的純硅，又稱作冶金級硅，這對微電子器件來說不夠純。泰克光電（TechOptics）是一家專注于共晶機制造的公司。我們致力于為客戶提供高質(zhì)量、...

且所述片盒架能夠相對所述固定架自轉(zhuǎn)，所述固定架的旋轉(zhuǎn)軸線與所述片盒架的旋轉(zhuǎn)軸線非共線設置。進一步地，所述片盒架的數(shù)量為多個，多個所述片盒架沿所述固定架的旋轉(zhuǎn)方向間隔設置在所述固定架上。進一步地，所述固定架包括驅(qū)動輪盤、從動輪盤和連接桿，所述驅(qū)動輪盤與所述從動輪盤同軸相對設置，且，所述驅(qū)動輪盤和所述從動輪盤分別可轉(zhuǎn)動的安裝在所述安裝座上，所述連接桿固定連接在所述驅(qū)動輪盤與所述從動輪盤之間；所述片盒架轉(zhuǎn)動連接在所述驅(qū)動輪盤和所述從動輪盤之間。進一步地，所述片盒架包括同軸相對設置的限位盤和第二限位盤，所述限位盤與所述第二限位盤之間設置有多根限位桿，多根所述限位桿沿所述限位盤的周向間隔設置，多...

因為半導體材料的電學特性對雜質(zhì)的濃度非常敏感，因此對冶金級硅進行進一步提純：將粉碎的冶金級硅與氣態(tài)的氯化氫進行氯化反應，生成液態(tài)的硅烷，然后通過蒸餾和化學還原工藝，得到了高純度的多晶硅，其純度高達99.%，成為電子級硅。接下來是單晶硅生長，常用的方法叫直拉法（CZ法）。如下圖所示，高純度的多晶硅放在石英坩堝中，并用外面圍繞著的石墨加熱器不斷加熱，溫度維持在大約1400℃，爐中的氣體通常是惰性氣體，使多晶硅熔化，同時又不會產(chǎn)生不需要的化學反應。為了形成單晶硅，還需要控制晶體的方向：坩堝帶著多晶硅熔化物在旋轉(zhuǎn)，把一顆籽晶浸入其中，并且由拉制棒帶著籽晶作反方向旋轉(zhuǎn)，同時慢慢地、垂直地由硅熔化...

然而現(xiàn)有的夾取機構一旦夾得不牢固，晶圓就容易從夾取機構上掉落，造成損壞。例如，一旦真空吸盤發(fā)生真空失效的情況，晶圓會從吸盤底部垂直跌落，導致晶圓破損，生產(chǎn)成本較高。技術實現(xiàn)要素：本實用新型的目的是：提供一種晶圓視覺檢測機的晶圓移載機構，其結(jié)構簡單，能避免晶圓跌落的情況發(fā)生，降低晶圓的損壞率。為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供了一種晶圓視覺檢測機的晶圓移載機構，其包括控制系統(tǒng)、升降裝置、承接裝置和感應裝置，所述升降裝置包括升降驅(qū)動器和升降板。泰克光電是一家專注于共晶機制造的公司。我們致力于為客戶提供高質(zhì)量、高性能的共晶機設備，以滿足不同行業(yè)的需求。作為共晶機制造領域的者，泰克光電擁有先進的...

泰克光電（TechOptics）是一家專注于共晶機制造的公司。我們致力于為客戶提供高質(zhì)量、高性能的共晶機設備，以滿足不同行業(yè)的需求。作為共晶機制造領域的者，泰克光電擁有先進的技術和豐富的經(jīng)驗。我們的團隊由一群經(jīng)驗豐富的工程師和技術組成，他們在共晶機設計、制造和維護方面擁有深厚的專業(yè)知識。泰克光電的共晶機廣泛應用于電子、光電子、半導體等行業(yè)。我們的設備可以用于焊接、封裝、封裝和其他共晶工藝。無論是小型電子元件還是大型半導體芯片，我們都能提供適合的共晶解決方案。本發(fā)明涉及晶圓加工技術領域，尤其是涉及一種晶圓加工固定裝置及晶圓加工設備。背景技術：半導體元件在生產(chǎn)過程中極易受到微粒、金屬離子、...

從動輪盤與豎向桿面向齒圈固定板的一側(cè)轉(zhuǎn)動連接。底板上對應驅(qū)動輪盤的周向邊緣設置有軸承，驅(qū)動輪盤的周向邊緣轉(zhuǎn)動設置在軸承上。推薦的，底板還設置有相對設置的兩個限位輪座，軸承和驅(qū)動輪盤設置在兩個限位輪座之間。其中，齒圈固定板可以是與行星架的齒圈為一體構造，也即如圖所示，齒圈固定板上的通孔上沿其周向設置內(nèi)齒作為齒圈。軸承可為法蘭軸承，數(shù)量可為兩個，兩個軸承分別設置在兩個限位輪座之間，且每個軸承設置在一個限位輪座上，軸承與限位輪座均位于驅(qū)動輪盤的下方。軸承的設置不能夠支撐驅(qū)動輪盤，使驅(qū)動輪盤能夠轉(zhuǎn)動，且配合限位輪座能夠限位驅(qū)動輪盤的位置，同時還可使得固定架在水平設置時，從動輪盤與底板泰克光電（...

泰克光電的共晶機廣泛應用于電子、光電子、半導體等行業(yè)。我們的設備可以用于焊接、封裝、封裝和其他共晶工藝。無論是小型電子元件還是大型半導體芯片，我們都能提供適合的共晶解決方案。防止顯影時光刻膠圖形的脫落以及防止?jié)穹ǜg時產(chǎn)生側(cè)面腐蝕(sideetching)。光刻膠的涂敷是用轉(zhuǎn)速和旋轉(zhuǎn)時間可自由設定的甩膠機來進行的。首先、用真空吸引法將基片吸在甩膠機的吸盤上，把具有一定粘度的光刻膠滴在基片的表面，然后以設定的轉(zhuǎn)速和時間甩膠。由于離心力的作用，光刻膠在基片表面均勻地展開，多余的光刻膠被甩掉，獲得一定厚度的光刻膠膜，光刻膠的膜厚是由光刻膠的粘度和甩膠的轉(zhuǎn)速來控制。所謂光刻膠，是對光、電子束或...

泰克光電的共晶機廣泛應用于電子、光電子、半導體等行業(yè)。我們的設備可以用于焊接、封裝、封裝和其他共晶工藝。無論是小型電子元件還是大型半導體芯片，我們都能提供適合的共晶解決方案。防止顯影時光刻膠圖形的脫落以及防止?jié)穹ǜg時產(chǎn)生側(cè)面腐蝕(sideetching)。光刻膠的涂敷是用轉(zhuǎn)速和旋轉(zhuǎn)時間可自由設定的甩膠機來進行的。首先、用真空吸引法將基片吸在甩膠機的吸盤上，把具有一定粘度的光刻膠滴在基片的表面，然后以設定的轉(zhuǎn)速和時間甩膠。由于離心力的作用，光刻膠在基片表面均勻地展開，多余的光刻膠被甩掉，獲得一定厚度的光刻膠膜，光刻膠的膜厚是由光刻膠的粘度和甩膠的轉(zhuǎn)速來控制。所謂光刻膠，是對光、電子束或...

因在于OH基SiO2膜中的擴散系數(shù)比O2的大。氧化反應，Si表面向深層移動，距離為SiO2膜厚的。因此，不同厚度的SiO2膜，去除后的Si表面的深度也不同。SiO2膜為透明，通過光干涉來估計膜的厚度。這種干涉色的周期約為200nm，如果預告知道是幾次干涉，就能正確估計。對其他的透明薄膜，如知道其折射率，也可用公式計算出(dSiO2)/(dox)=(nox)/(nSiO2)。SiO2膜很薄時，看不到干涉色，但可利用Si的疏水性和SiO2的親水性來判斷SiO2膜是否存在。也可用干涉膜計或橢圓儀等測出。SiO2和Si界面能級密度和固定電荷密度可由MOS二極管的電容特性求得。(100)面的Si...

泰克光電（TechOptics）是一家專注于共晶機制造的公司。我們致力于為客戶提供高質(zhì)量、高性能的共晶機設備，以滿足不同行業(yè)的需求。作為共晶機制造領域的者，泰克光電擁有先進的技術和豐富的經(jīng)驗。我們的團隊由一群經(jīng)驗豐富的工程師和技術組成，他們在共晶機設計、制造和維護方面擁有深厚的專業(yè)知識。泰克光電的共晶機廣泛應用于電子、光電子、半導體等行業(yè)。我們的設備可以用于焊接、封裝、封裝和其他共晶工藝。無論是小型電子元件還是大型半導體芯片，我們都能提供適合的共晶解決方案。鎖定同義詞wafer一般指晶圓本詞條由“科普中國”科學百科詞條編寫與應用工作項目審核。晶圓指制造半導體晶體管或集成電路的襯底（也叫...

個片盒架間隔設置在固定架的旋轉(zhuǎn)方向上?？梢岳斫獾氖?，片盒架的數(shù)量為多個，固定架可以一次帶動多個片盒架移動，提高了一次清洗的晶圓的數(shù)量，相應的提高了晶圓的清洗、加工效率。作為本實施例晶圓加工固定裝置的一個具體實施例，固定架包括驅(qū)動輪盤、從動輪盤和連接桿，驅(qū)動輪盤與從動輪盤同軸相對設置，連接桿固定連接在驅(qū)動輪盤與從動輪盤之間。片盒架轉(zhuǎn)動連接在驅(qū)動輪盤和從動輪盤之間。其中，連接桿的數(shù)量可為多根，在本實施例中連接桿的數(shù)量為三根，其中一根連接桿為中心連接軸，中心連接軸連接在驅(qū)動輪盤和從動輪盤的中心上，另兩根連接桿為加強桿，兩根加強桿設在中心連接軸的兩側(cè)。需要注意的是。泰克光電（TechOptic...

這種裝置稱為磁控濺射裝置（magnetronsputterapparatus），以高電壓將通入惰性氬體游離，再藉由陰極電場加速吸引帶正電的離子，撞擊在陰極處的靶材，將欲鍍物打出后沉積在基板上。一般均加磁場方式增加電子的游離路徑，可增加氣體的解離率，若靶材為金屬，則使用DC電場即可，若為非金屬則因靶材表面累積正電荷，導致往后的正離子與之相斥而無法繼續(xù)吸引正離子，所以改為RF電場（因場的振蕩頻率變化太快，使正離子跟不上變化，而讓RF-in的地方呈現(xiàn)陰極效應）即可解決問題。光刻技術定出VIA孔洞沉積第二層金屬，并刻蝕出連線結(jié)構。然后，用PECVD法氧化層和氮化硅保護層。光刻和離子刻蝕定出PA...

作為柵電極的多晶硅通常利用HCVD法將SiH4或Si2H。氣體熱分解（約650oC）淀積而成。采用選擇氧化進行器件隔離時所使用的氮化硅薄膜也是用低壓CVD法，利用氨和SiH4或Si2H6反應面生成的，作為層間絕緣的SiO2薄膜是用SiH4和O2在400--4500oC的溫度下形成SiH4+O2-SiO2+2H2或是用Si(OC2H5)4(TEOS:tetraethoxysilanc)和O2在750oC左右的高溫下反應生成的，后者即采用TEOS形成的SiO2膜具有臺階側(cè)面部被覆性能好的優(yōu)點。前者，在淀積的同時導入PH3氣體，就形成磷硅玻璃（PSG：phosphorsilicateglas...

我們的設備可以用于焊接、封裝、封裝和其他共晶工藝。無論是小型電子元件還是大型半導體芯片，我們都能提供適合的共晶解決方案。達到阻止下一步中n型雜質(zhì)注入P型阱中。去除SIO2層退火處理，然后用HF去除SiO2層。干法氧化法干法氧化法生成一層SiO2層，然后LPCVD沉積一層氮化硅。此時P阱的表面因SiO2層的生長與刻蝕已低于N阱的表面水平面。這里的SiO2層和氮化硅的作用與前面一樣。接下來的步驟是為了隔離區(qū)和柵極與晶面之間的隔離層。光刻技術和離子刻蝕技術利用光刻技術和離子刻蝕技術，保留下柵隔離層上面的氮化硅層。濕法氧化生長未有氮化硅保護的SiO2層，形成PN之間的隔離區(qū)。生成SIO2薄膜熱...

夾取機構將晶圓拖到承載裝置上，由升降裝置帶動承載裝置下降到檢測位置，能夠防止因夾取機構夾不緊，使得晶圓從高處跌落，造成損壞的情況發(fā)生，使得晶圓運輸更加安全可靠。附圖說明圖是本實用新型實施例提供的晶圓視覺檢測機的晶圓移載機構的立體圖；圖是本實用新型實施例提供的升降裝置的立體圖；圖是本實用新型實施例提供的移動模塊的立體圖；圖是本實用新型實施例提供的托臂、滑軌和滑塊的連接結(jié)構示意圖。圖中，、感應裝置；、承接裝置；、托臂；、限位部；、承托部；、升降裝置；、升降驅(qū)動器；、升降板；、安裝板；、升降絲桿機構；、聯(lián)軸器；、移動模塊；、固定板；、移動電機；、傳動組件；、主動輪；、從動輪；、同步帶；、滑軌...

因此對冶金級硅進行進一步提純：將粉碎的冶金級硅與氣態(tài)的氯化氫進行氯化反應，生成液態(tài)的硅烷，然后通過蒸餾和化學還原工藝，得到了高純度的多晶硅，其純度高達99.%，成為電子級硅。接下來是單晶硅生長，常用的方法叫直拉法（CZ法）。如下圖所示，高純度的多晶硅放在石英坩堝中，并用外面圍繞著的石墨加熱器不斷加熱，溫度維持在大約1400℃，爐中的氣體通常是惰性氣體，使多晶硅熔化，同時又不會產(chǎn)生不需要的化學反應。為了形成單晶硅，還需要控制晶體的方向：坩堝帶著多晶硅熔化物在旋轉(zhuǎn)，把一顆籽晶浸入其中，并且由拉制棒帶著籽晶作反方向旋轉(zhuǎn)，同時慢慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。熔化的多晶硅會粘在籽晶的底端，按...

因為半導體材料的電學特性對雜質(zhì)的濃度非常敏感，因此對冶金級硅進行進一步提純：將粉碎的冶金級硅與氣態(tài)的氯化氫進行氯化反應，生成液態(tài)的硅烷，然后通過蒸餾和化學還原工藝，得到了高純度的多晶硅，其純度高達99.%，成為電子級硅。接下來是單晶硅生長，常用的方法叫直拉法（CZ法）。如下圖所示，高純度的多晶硅放在石英坩堝中，并用外面圍繞著的石墨加熱器不斷加熱，溫度維持在大約1400℃，爐中的氣體通常是惰性氣體，使多晶硅熔化，同時又不會產(chǎn)生不需要的化學反應。為了形成單晶硅，還需要控制晶體的方向：坩堝帶著多晶硅熔化物在旋轉(zhuǎn)，把一顆籽晶浸入其中，并且由拉制棒帶著籽晶作反方向旋轉(zhuǎn)，同時慢慢地、垂直地由硅熔化...