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碳化硅芯片驗(yàn)證周期長(zhǎng)，批量生產(chǎn)難度大。碳化硅主驅(qū)芯片可靠性驗(yàn)證要求極高，需7-8年才能實(shí)現(xiàn)從設(shè)計(jì)到量產(chǎn)。國(guó)外廠商技術(shù)和產(chǎn)量的優(yōu)勢(shì)，并通過車企驗(yàn)證，基本壟斷了碳化硅主驅(qū)芯片供應(yīng)端。國(guó)內(nèi)企業(yè)尚處于可靠性驗(yàn)證起始階段，未實(shí)現(xiàn)批量供應(yīng)。國(guó)產(chǎn)主驅(qū)芯片需克服可靠性驗(yàn)證和批量化生產(chǎn)兩大難關(guān)，確保大規(guī)模供應(yīng)的同時(shí)保證產(chǎn)品品質(zhì)穩(wěn)定是行業(yè)性難題。“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯(lián)動(dòng)；第17屆中國(guó)?國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PM CHINA）、2025上海國(guó)際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)（MMIC CHINA)、2025上海國(guó)際增材制造應(yīng)...

碳化硅外延制作方法包括化學(xué)氣相沉積法（CVD）、分子束外延法（MBE）、液相外延法（LPE）、脈沖激光淀積和升華法（PLD）等。其中CVD法較為普及，該方法能精確控制生長(zhǎng)條件，包括氣體源流量、溫度和壓力，從而精確控制外延層的厚度、摻雜濃度和類型，重復(fù)性良好，設(shè)備適中，為目前主流技術(shù)。液相外延法和分子束外延法雖理論上可行，但外延制作的質(zhì)量、效率和成本均不如CVD法，不適合商業(yè)化應(yīng)用。碳化硅外延設(shè)備的密閉性、氣壓、氣體通入時(shí)間、配比和沉積溫度均需精確控制。器件耐壓提升，厚度和摻雜濃度均勻性的控制難度增加；外延層厚度增加，控制均勻性和缺陷密度的難度增加。“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于202...

在需要高功率的場(chǎng)景中，常將多顆SiC功率半導(dǎo)體封裝到模塊中，實(shí)現(xiàn)芯片互連和與其他電路的連接。SiC功率模塊封裝包括芯片、絕緣基板、散熱基板等組件。按封裝芯片類型，可分為混合模塊和全SiC模塊，前者是替換硅基IGBT中的二極管，后者全用SiC芯片，兩者在效率、尺寸和成本上有差異；按拓?fù)浞绞?，可分為三相模塊、半橋模塊等封裝形式；按散熱方式，可分為單面冷卻和雙面冷卻；按封裝外殼類型，可分為轉(zhuǎn)模塑封結(jié)構(gòu)和HPD（gao壓聚乙烯塑料）框架結(jié)構(gòu)。隨著需求多樣化，定制化模塊逐漸流行。目前，SiC功率模塊多沿用傳統(tǒng)硅基IGBT封裝結(jié)構(gòu)，難以發(fā)揮SiC材料特性，面臨可靠性和成本等挑戰(zhàn)。“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶...

碳化硅下游應(yīng)用場(chǎng)景眾多，包括新能源車、充電樁、光伏、儲(chǔ)能、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等，而下游的需求放量情況會(huì)影響碳化硅的市場(chǎng)規(guī)模體量，比如新能源車的產(chǎn)銷量、充電樁的配套數(shù)量、光伏的裝機(jī)量等。雖然碳化硅襯底和器件工藝逐漸成熟，價(jià)格有所下降，但碳化硅功率器件價(jià)格仍遠(yuǎn)高于硅基器件。下游應(yīng)用領(lǐng)域需平衡碳化硅器件高價(jià)格與性能優(yōu)勢(shì)帶來的綜合成本，短期內(nèi)將限制碳化硅器件在功率器件領(lǐng)域的滲透率，大規(guī)模應(yīng)用仍存挑戰(zhàn)。若下游存在放量不及預(yù)期的情況，將對(duì)上游碳化硅企業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)造成不利影響?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會(huì)展覽面積將超過50,000平...

先進(jìn)陶瓷又稱高性能陶瓷、精細(xì)陶瓷、高技術(shù)陶瓷等，是指采用高純度、超細(xì)人工合成或精選的無機(jī)化合物為原料，具有優(yōu)異的力學(xué)、聲、光、熱、電、生物等特性的陶瓷。先進(jìn)陶瓷在原料、工藝方面有別于傳統(tǒng)陶瓷，特定的精細(xì)結(jié)構(gòu)使其具有高、高硬、耐磨、耐腐蝕、耐高溫、絕緣、超導(dǎo)、生物相容等一系列優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于國(guó)防、化工、冶金、電子、機(jī)械、航空、航天、生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域，是近年來我國(guó)重點(diǎn)支持發(fā)展的產(chǎn)業(yè)之一。2025中國(guó)國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)（IACECHINA）將於3月10-12日在上海世博展覽館舉辦，歡迎大家蒞臨參會(huì)！ “中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”創(chuàng)新應(yīng)用和解決方案：2025年3月10-12日上海世博展覽館。誠(chéng)邀您...

碳化硅主驅(qū)芯片可靠性驗(yàn)證要求極高，需7-8年才能實(shí)現(xiàn)從設(shè)計(jì)到量產(chǎn)。國(guó)外廠商技術(shù)和產(chǎn)量的優(yōu)勢(shì)，并通過車企驗(yàn)證，基本壟斷了碳化硅主驅(qū)芯片供應(yīng)端。國(guó)內(nèi)企業(yè)尚處于可靠性驗(yàn)證起始階段，未實(shí)現(xiàn)批量供應(yīng)。國(guó)產(chǎn)主驅(qū)芯片需克服可靠性驗(yàn)證和批量化生產(chǎn)兩大難關(guān)，確保大規(guī)模供應(yīng)的同時(shí)保證產(chǎn)品品質(zhì)穩(wěn)定是行業(yè)性難題?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。五展聯(lián)動(dòng)；第17屆中國(guó)?國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PM CHINA）、2025上海國(guó)際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)（MMIC CHINA)、2025上海國(guó)際增材制造應(yīng)用技術(shù)展覽會(huì)（AM CHINA)和20...

國(guó)內(nèi)碳化硅襯底產(chǎn)品以4英寸和6英寸為主，少數(shù)企業(yè)實(shí)現(xiàn)8英寸量產(chǎn)，與國(guó)際廠商仍有一定差距。我國(guó)碳化硅產(chǎn)業(yè)起步較晚，國(guó)內(nèi)廠商與國(guó)外企業(yè)在碳化硅襯底產(chǎn)品上存在差距。國(guó)內(nèi)以4英寸和6英寸為主，而國(guó)際廠商如Wolfspeed、意法半導(dǎo)體在2023年已能夠大批量穩(wěn)定供應(yīng)8英寸襯底。國(guó)內(nèi)碳化硅襯底企業(yè)天岳先進(jìn)2024年5月披露，公司8英寸導(dǎo)電型襯底產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)批量交貨，將推動(dòng)頭部客戶向8英寸轉(zhuǎn)型，但8英寸產(chǎn)品品質(zhì)和良率與國(guó)際廠商還有一定差距?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯(lián)動(dòng)；第17屆中國(guó)?國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PMCHINA）、202...

從國(guó)內(nèi)看，碳化硅制造廠商包括長(zhǎng)飛先進(jìn)、芯聯(lián)集成、上海積塔、比亞迪、三安光電、士蘭微、泰科天潤(rùn)等，其中長(zhǎng)飛先進(jìn)、芯聯(lián)集成、上海積塔已實(shí)現(xiàn)碳化硅MOSFET產(chǎn)品的大規(guī)模量產(chǎn)，其他企業(yè)尚不具備大規(guī)模量產(chǎn)能力。三家企業(yè)產(chǎn)能合計(jì)為25萬片/年，規(guī)劃產(chǎn)能為44.8萬片/年。國(guó)外he心技術(shù)封鎖為常態(tài)，國(guó)產(chǎn)替代需求迫切。和許多先進(jìn)科技一樣，國(guó)內(nèi)發(fā)展碳化硅產(chǎn)業(yè)也受到國(guó)外技術(shù)禁運(yùn)的限制，尤其是寬禁帶半導(dǎo)體器件在jun事領(lǐng)域的應(yīng)用，這進(jìn)一步催生了國(guó)產(chǎn)替代的迫切需求。國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)在自主創(chuàng)新的推動(dòng)下，正加速自主研發(fā)步伐，以bao障供應(yīng)鏈的安全穩(wěn)定?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海...

五展聯(lián)動(dòng)；孕育無限發(fā)展商機(jī)；IACECHINA2025將與第17屆中國(guó)國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PMCHINA）、2025上海國(guó)際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)（MMICCHINA)、2025上海國(guó)際增材制造應(yīng)用技術(shù)展覽會(huì)（AMCHINA)和2025上海國(guó)際粉體加工與處理展覽會(huì)（POWDEXCHINA）同期同地舉辦。五展聯(lián)動(dòng)，串聯(lián)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈，吸引更多的觀眾群體，形成既匯聚更多參展企業(yè)同臺(tái)競(jìng)技，又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿(mào)交流平臺(tái)。本屆展會(huì)（2025年）展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國(guó)內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。20...

碳化硅產(chǎn)業(yè)各鏈條都在互相交融、跨界。系統(tǒng)級(jí)廠商方面，比亞迪從整車制造跨到碳化硅產(chǎn)業(yè)前端的襯底環(huán)節(jié)，吉利則向后端做到碳化硅芯片制造；在供應(yīng)鏈Tier1廠商層面，博世和華為同樣做到碳化硅芯片制造。高成本是制約碳化硅器件實(shí)現(xiàn)大規(guī)模商用及國(guó)產(chǎn)替代的主要因素，但碳化硅器件與傳統(tǒng)硅基器件的差價(jià)正在縮小。SiCSBD產(chǎn)品價(jià)格自2017年的4.1元/A降至2020年的1.58元/A，與硅基器件差價(jià)約為3.8倍。2019至2020年，1200V和1700V的SiCMOSFET的平均價(jià)格跌幅達(dá)30%-40%，有助于其提升市場(chǎng)滲透率。“中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館開幕！五展...

碳化硅作為第三代半導(dǎo)體的代表性材料之一，展現(xiàn)了突出的性能優(yōu)勢(shì)，具有極高的產(chǎn)業(yè)價(jià)值，被當(dāng)下業(yè)內(nèi)專jia稱為“黃金投資賽道”。我國(guó)“十四五”規(guī)劃已將碳化硅半導(dǎo)體納入重點(diǎn)支持領(lǐng)域，是國(guó)?家戰(zhàn)略性需求的重要行業(yè)。我們通過對(duì)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的基本情況及碳化硅襯底、外延、功率器件環(huán)節(jié)的價(jià)值分析，揭示碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展趨勢(shì)以及面臨的機(jī)遇與挑戰(zhàn)?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯(lián)動(dòng)；第17屆中國(guó)?國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PM CHINA）、2025上海國(guó)際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)（MMIC CHINA)、2025上海國(guó)際增材制造應(yīng)...

碳化硅外延環(huán)節(jié)呈現(xiàn)美、日兩強(qiáng)局面，美國(guó)Wolfspeed和日本昭和電工雙寡頭壟斷，此外還有美國(guó)II-VI及Dow Corning、日本ROHM及三菱電機(jī)、意法半導(dǎo)體（ST）、德國(guó)英飛凌（Infineon）等企業(yè)。國(guó)內(nèi)東莞天域、瀚天天成為主要廠商，晶盛機(jī)電、北方華創(chuàng)、芯三代、中電48所、普興電子、三安光電、啟迪半導(dǎo)體、深圳納設(shè)智能等亦有布局，努力推進(jìn)國(guó)產(chǎn)替代。預(yù)計(jì)2025年全球和國(guó)內(nèi)6寸碳化硅外延設(shè)備新增市場(chǎng)空間分別約為130億元和53億元美元?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯(lián)動(dòng)；第17屆中國(guó)?國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PM C...

微波燒結(jié)是利用微波電磁場(chǎng)中材料的介質(zhì)損耗使材料整體加熱至燒結(jié)溫度而實(shí)現(xiàn)燒結(jié)和致密化。微波燒結(jié)具有體加熱的特性，燒結(jié)過程中依靠材料本身吸收微波能，并轉(zhuǎn)化為材料內(nèi)部分子的動(dòng)能和勢(shì)能，降低燒結(jié)活化能，提高擴(kuò)散系數(shù)，從而實(shí)現(xiàn)低溫快速燒結(jié)，可獲得納米晶粒的燒結(jié)體。微波燒結(jié)的優(yōu)點(diǎn)為具有較短的燒結(jié)時(shí)間，使引起低頻介質(zhì)損耗的缺陷濃度減小，從而使得介質(zhì)損耗降低。相對(duì)于常規(guī)無壓燒結(jié)，微波燒結(jié)制備的BaTiO3陶瓷晶粒更小，具有相對(duì)多的晶界，晶界的介電常數(shù)較低?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。誠(chéng)邀您蒞臨參觀！先進(jìn)制造業(yè)新發(fā)展格局“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展...

碳化硅作為第三代半導(dǎo)體的代表性材料之一，展現(xiàn)了突出的性能優(yōu)勢(shì)，具有極高的產(chǎn)業(yè)價(jià)值，被當(dāng)下業(yè)內(nèi)專jia稱為“黃金投資賽道”。我國(guó)“十四五”規(guī)劃已將碳化硅半導(dǎo)體納入重點(diǎn)支持領(lǐng)域，是國(guó)?家戰(zhàn)略性需求的重要行業(yè)。我們通過對(duì)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的基本情況及碳化硅襯底、外延、功率器件環(huán)節(jié)的價(jià)值分析，揭示碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展趨勢(shì)以及面臨的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯(lián)動(dòng)；第17屆中國(guó)?國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PM CHINA）、2025上海國(guó)際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)（MMIC CHINA)、2025上海國(guó)際增材制造應(yīng)...

“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。誠(chéng)邀您蒞臨參觀！氧化鋯陶瓷因具有耐高溫、耐腐蝕、耐磨損等優(yōu)良的性能，應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域中。常壓下純氧化鋯有三種晶型，由于晶型轉(zhuǎn)變產(chǎn)生體積變化，造成開裂。加入適量穩(wěn)定劑，使氧化鋯從高溫冷卻至室溫過程中盡可能多的保留四方相，控制并提高對(duì)增韌有貢獻(xiàn)的四方到單斜相的有效轉(zhuǎn)變。氧化釔穩(wěn)定氧化鋯由于其綜合性能好，成為應(yīng)用較廣的氧化鋯材料。有研究表明，Y2O3含量在2.5mol%時(shí)抗彎強(qiáng)度好；在2mol%時(shí)斷裂韌性da。本文主要以Y2O3含量在2~2.5mol%的氧化釔穩(wěn)定氧化鋯為原料，制備出綜合性能較高的氧化鋯陶瓷，并探...

碳化硅半導(dǎo)體屬于高度技術(shù)密集型行業(yè)，具有較高的技術(shù)、人才、資金、資源和認(rèn)證壁壘，高度依賴于技術(shù)及生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。受日益旺盛的需求影響，目前各路資本爭(zhēng)相投資，碳化硅產(chǎn)業(yè)成為熱門賽道。大量資本的涌入加劇了碳化硅的行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)。同時(shí)，全球碳化硅半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)集中度較高，市場(chǎng)份額主要被美國(guó)、歐洲、日本等國(guó)?家和地區(qū)的企業(yè)占據(jù)，國(guó)內(nèi)企業(yè)未來將面臨國(guó)際先進(jìn)企業(yè)和國(guó)內(nèi)新進(jìn)入者的雙重競(jìng)爭(zhēng)。若競(jìng)爭(zhēng)過早進(jìn)入白熱化，會(huì)對(duì)大批初創(chuàng)科技型碳化硅企業(yè)的成長(zhǎng)造成致命打擊。“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。展會(huì)展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500...

陶瓷是以粘土為主要原料，并與其他天然礦物經(jīng)過粉碎混煉、成型和煅燒制得的材料以及各種制品，是陶器和瓷器的總稱。陶瓷的傳統(tǒng)概念是指所有以粘土等無機(jī)非金屬礦物為原料的人工工業(yè)產(chǎn)品。它包括由粘土或含有粘土的混合物經(jīng)混煉、成形、煅燒而制成的各種制品。陶瓷的主要原料是取之于自然界的硅酸鹽礦物，因此它與玻璃、水泥、搪瓷、耐火材料等工業(yè)同屬于“硅酸鹽工業(yè)”的范疇。廣義上的陶瓷材料指的是除有機(jī)和金屬材料以外的其他所有材料，即無機(jī)非金屬材料。陶瓷制品的品種繁多，它們之間的化學(xué)成分、礦物組成、物理性質(zhì)，以及制 造方法，常?；ハ嘟咏诲e(cuò)，無明顯的界限，而在應(yīng)用上卻有很大的區(qū)別。因此，很 難硬性地把它們歸納為幾個(gè)系統(tǒng)，...

按化學(xué)成分可分為：氧化物陶瓷、氮化物陶瓷、碳化物陶瓷、硼化物陶瓷、硅化物陶瓷、復(fù)合瓷、金屬陶瓷和纖維增強(qiáng)陶瓷等3.1.1氧化物陶瓷(A2O3、ZrO2、MgO等)3.1.2氮化物陶瓷(Si3N4TN、BN等)3.1.3碳化物陶瓷(SiC、BC、WC等)3.1.4硼化物陶瓷(TB2、ZrB2等)3.1.5硅化物陶瓷、復(fù)合瓷、金屬陶瓷和纖維增強(qiáng)陶瓷等。“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯(lián)動(dòng)；第17屆中國(guó)?國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PM CHINA）、2025上海國(guó)際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)（MMIC CHINA)、20...

刻蝕技術(shù)是SiC器件研制的關(guān)鍵，刻蝕精度、損傷和表面殘留物對(duì)器件性能至關(guān)重要。目前，SiC刻蝕多采用干法刻蝕，其中電感耦合等離子體（ICP）刻蝕因其低壓高密度的特點(diǎn)，具有刻蝕速率高、器件損傷小、操作簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)，而廣泛應(yīng)用。此外，刻蝕中的掩膜材料、蝕刻選擇、混合氣體、側(cè)壁控zhi、蝕刻速率和側(cè)壁粗糙度等需針對(duì)SiC材料特性開發(fā)。刻蝕環(huán)節(jié)主要挑戰(zhàn)包括實(shí)現(xiàn)更小尺寸器件結(jié)構(gòu)、提高深寬比和形貌圓滑度，以及從淺溝槽向深溝槽的轉(zhuǎn)變等。主流的SiCICP刻蝕設(shè)備廠商包括德國(guó)Plasma-Therm及Sentech、瑞士TEL、美國(guó)AMAT、英國(guó)牛津儀器、日本Samco及愛發(fā)科，及我國(guó)北方華創(chuàng)、中國(guó)電科48所、...

“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。誠(chéng)邀您蒞臨參觀！氧化鋯陶瓷因具有耐高溫、耐腐蝕、耐磨損等優(yōu)良的性能，應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域中。常壓下純氧化鋯有三種晶型，由于晶型轉(zhuǎn)變產(chǎn)生體積變化，造成開裂。加入適量穩(wěn)定劑，使氧化鋯從高溫冷卻至室溫過程中盡可能多的保留四方相，控制并提高對(duì)增韌有貢獻(xiàn)的四方到單斜相的有效轉(zhuǎn)變。氧化釔穩(wěn)定氧化鋯由于其綜合性能好，成為應(yīng)用較廣的氧化鋯材料。有研究表明，Y2O3含量在2.5mol%時(shí)抗彎強(qiáng)度好；在2mol%時(shí)斷裂韌性da。本文主要以Y2O3含量在2~2.5mol%的氧化釔穩(wěn)定氧化鋯為原料，制備出綜合性能較高的氧化鋯陶瓷，并探...

從國(guó)內(nèi)看，碳化硅制造廠商包括長(zhǎng)飛先進(jìn)、芯聯(lián)集成、上海積塔、比亞迪、三安光電、士蘭微、泰科天潤(rùn)等，其中長(zhǎng)飛先進(jìn)、芯聯(lián)集成、上海積塔已實(shí)現(xiàn)碳化硅MOSFET產(chǎn)品的大規(guī)模量產(chǎn)，其他企業(yè)尚不具備大規(guī)模量產(chǎn)能力。三家企業(yè)產(chǎn)能合計(jì)為25萬片/年，規(guī)劃產(chǎn)能為44.8萬片/年。國(guó)外he心技術(shù)封鎖為常態(tài)，國(guó)產(chǎn)替代需求迫切。和許多先進(jìn)科技一樣，國(guó)內(nèi)發(fā)展碳化硅產(chǎn)業(yè)也受到國(guó)外技術(shù)禁運(yùn)的限制，尤其是寬禁帶半導(dǎo)體器件在jun事領(lǐng)域的應(yīng)用，這進(jìn)一步催生了國(guó)產(chǎn)替代的迫切需求。國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)在自主創(chuàng)新的推動(dòng)下，正加速自主研發(fā)步伐，以bao障供應(yīng)鏈的安全穩(wěn)定。“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海...

傳統(tǒng)硅器件主要采用高溫?cái)U(kuò)散摻雜，但鋁、硼和氮在SiC中擴(kuò)散系數(shù)低，需極高溫度，會(huì)惡化器件性能。因此，離子注入工藝成為SiC摻雜的優(yōu)先選擇。為實(shí)現(xiàn)離子注入?yún)^(qū)域摻雜濃度均勻，常采用多步離子注入，通過調(diào)節(jié)注入能量和劑量，控zhi摻雜濃度和深度。離子注入設(shè)備是SiC產(chǎn)線難度較高的設(shè)備，全球設(shè)備廠商少、交期長(zhǎng)，國(guó)產(chǎn)化率低于10%，是我國(guó)碳化硅晶圓線建設(shè)的較大瓶頸。國(guó)際主流廠商包括美國(guó)亞舍立（Axcelis）及應(yīng)用材料（收購(gòu)?fù)呃锇玻?，日本愛發(fā)科及日清公司，國(guó)內(nèi)廠商主要有中國(guó)電科48所（爍科中科信），中車思銳（收購(gòu)IBS）和凱世通也在介入。“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上...

“中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕，高壓燒結(jié)有兩種方式，第一種為高壓成型常壓燒結(jié)，第二種為高壓氣氛燒結(jié)。1、高壓成型常壓燒結(jié)高壓成型常壓燒結(jié)中，樣品在高壓下再次加壓后，顆粒之間的接觸點(diǎn)增加且氣孔減少，導(dǎo)致燒結(jié)前坯體的相對(duì)密度明顯增加，而陶瓷燒結(jié)活性與樣品的壓坯密度緊密相關(guān)，所以燒結(jié)溫度明顯降低。高壓成型常壓燒結(jié)使燒結(jié)溫度降低了至少200℃（無壓燒結(jié)溫度一般高于1200℃）。2、高壓氣氛燒結(jié)高壓氣氛燒結(jié)中，高壓能夠明顯增加陶瓷致密的驅(qū)動(dòng)力，并且由于成核勢(shì)壘的降低使成核速率增加，擴(kuò)散能力的降低使生長(zhǎng)速率減小。高壓氣氛燒結(jié)被認(rèn)為是一種比較理想的得到致密細(xì)...

碳化硅外延制作方法包括化學(xué)氣相沉積法（CVD）、分子束外延法（MBE）、液相外延法（LPE）、脈沖激光淀積和升華法（PLD）等。其中CVD法較為普及，該方法能精確控制生長(zhǎng)條件，包括氣體源流量、溫度和壓力，從而精確控制外延層的厚度、摻雜濃度和類型，重復(fù)性良好，設(shè)備適中，為目前主流技術(shù)。液相外延法和分子束外延法雖理論上可行，但外延制作的質(zhì)量、效率和成本均不如CVD法，不適合商業(yè)化應(yīng)用。碳化硅外延設(shè)備的密閉性、氣壓、氣體通入時(shí)間、配比和沉積溫度均需精確控制。器件耐壓提升，厚度和摻雜濃度均勻性的控制難度增加；外延層厚度增加，控制均勻性和缺陷密度的難度增加?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于202...

外延生長(zhǎng)技術(shù)是碳化硅器件的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，外延質(zhì)量對(duì)器件性能影響很大，碳化硅襯底無法直接制作器件，優(yōu)質(zhì)外延工藝可改進(jìn)微管（Micropipe）、多型、劃痕、層錯(cuò)、貫穿螺型位錯(cuò)（TSD）、貫穿刃型位錯(cuò)（TED）和基平面位錯(cuò)（BPD）等襯底缺陷，減少外延生長(zhǎng)缺陷，同時(shí)精確控zhi摻雜濃度，提升均勻性和器件良率。不同外延層厚度對(duì)應(yīng)不同耐壓等級(jí)的器件規(guī)格。通常，1μm的外延層對(duì)應(yīng)100V左右的耐壓；耐壓在600V左右時(shí)，需要6μm左右的外延層；耐壓高于10000V時(shí)，外延層厚度需在100μm以上?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會(huì)展覽面積將超過50...

陶瓷注射成型技術(shù)作為一種新興的精密制造技術(shù)，有著其不可比擬的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。成為國(guó)內(nèi)外精密陶瓷零部件中具有優(yōu)勢(shì)的先進(jìn)制備技術(shù)。“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。五展聯(lián)動(dòng)孕育無限發(fā)展商機(jī)IACE CHINA 2025將與第17屆中國(guó)?國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PM CHINA）、2025上海國(guó)際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)（MMIC CHINA)、2025上海國(guó)際增材制造應(yīng)用技術(shù)展覽會(huì)（AM CHINA)和2025上海國(guó)際粉體加工與處理展覽會(huì)（POWDEX CHINA）同期同地舉辦。五展聯(lián)動(dòng)，串聯(lián)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈，吸引更多的觀眾群體，形...

“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。無壓燒結(jié)在常壓下進(jìn)行燒結(jié)，主要包括常規(guī)無壓燒結(jié)、兩步法燒結(jié)、兩段法燒結(jié)。1、常規(guī)無壓燒結(jié)將陶瓷坯體通過加熱裝置加熱到一定溫度，經(jīng)保溫后冷卻到室溫以制備陶瓷的方法。常規(guī)燒結(jié)采用高溫長(zhǎng)時(shí)間、等燒結(jié)速率進(jìn)行，此方法需要較高的燒結(jié)溫度（超過1000℃）和較長(zhǎng)的保溫時(shí)間。如果燒結(jié)溫度較低，則不能夠形成足夠的液相填充坯體里的氣孔，材料晶界結(jié)合不好并且材料中存在較大的孔洞，此時(shí)材料的電性能較差；燒結(jié)溫度過高，可能導(dǎo)致晶界的移動(dòng)速度過快，出現(xiàn)晶粒異常增大現(xiàn)象。2、兩步法燒結(jié)燒結(jié)流程為：陶瓷坯體通過加熱裝置加熱到一定溫度后...

“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。誠(chéng)邀您蒞臨參觀！氧化鋯陶瓷因具有耐高溫、耐腐蝕、耐磨損等優(yōu)良的性能，應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域中。常壓下純氧化鋯有三種晶型，由于晶型轉(zhuǎn)變產(chǎn)生體積變化，造成開裂。加入適量穩(wěn)定劑，使氧化鋯從高溫冷卻至室溫過程中盡可能多的保留四方相，控制并提高對(duì)增韌有貢獻(xiàn)的四方到單斜相的有效轉(zhuǎn)變。氧化釔穩(wěn)定氧化鋯由于其綜合性能好，成為應(yīng)用較廣的氧化鋯材料。有研究表明，Y2O3含量在2.5mol%時(shí)抗彎強(qiáng)度好；在2mol%時(shí)斷裂韌性da。本文主要以Y2O3含量在2~2.5mol%的氧化釔穩(wěn)定氧化鋯為原料，制備出綜合性能較高的氧化鋯陶瓷，并探...

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，增大晶片尺寸是提高半導(dǎo)體產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵途徑。對(duì)于同一規(guī)格的芯片，隨著晶圓尺寸增加，邊緣管芯（Die）數(shù)量占比縮小，晶圓利用率大幅增加。按晶圓面積測(cè)算，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圓面積是6英寸晶圓面積的1.8倍，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圓面積則是4英寸晶圓面積的近4.3倍。根據(jù)Wolfspeed測(cè)算，一片8英寸碳化硅晶片可以產(chǎn)出845顆32mm2的芯片，是6英寸碳化硅外延晶片產(chǎn)出的近2倍；邊緣管芯占比下降到7%，大幅度提高晶圓利用率，將進(jìn)一步降低碳化硅芯片單位成本。“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。展會(huì)展覽面積將超...

五展聯(lián)動(dòng)；孕育無限發(fā)展商機(jī)；IACECHINA2025將與第17屆中國(guó)國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PMCHINA）、2025上海國(guó)際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)（MMICCHINA)、2025上海國(guó)際增材制造應(yīng)用技術(shù)展覽會(huì)（AMCHINA)和2025上海國(guó)際粉體加工與處理展覽會(huì)（POWDEXCHINA）同期同地舉辦。五展聯(lián)動(dòng)，串聯(lián)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈，吸引更多的觀眾群體，形成既匯聚更多參展企業(yè)同臺(tái)競(jìng)技，又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿(mào)交流平臺(tái)。本屆展會(huì)（2025年）展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國(guó)內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。20...