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電鍍銅光刻技術(shù)是指利用光學(xué)-化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法，將設(shè)計(jì)好的微圖形結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到覆有感光材料的晶圓、玻璃基板、覆銅板等基材表面上的微納制造技術(shù)。光刻設(shè)備是微納制造的一種關(guān)鍵設(shè)備，在泛半導(dǎo)體領(lǐng)域，根據(jù)是否使用掩膜版，光刻技術(shù)主要分為直寫光刻與掩膜光刻，其...

異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池的工藝要求與同質(zhì)結(jié)晶體硅太陽能電池相比，有幾個(gè)優(yōu)點(diǎn)：與同質(zhì)結(jié)形成相比，異質(zhì)結(jié)形成期間的熱預(yù)算減少。a-Si:H層和TCO前接觸的沉積溫度通常低于250℃。與傳統(tǒng)的晶體硅太陽能電池相比，異質(zhì)結(jié)的形成和沉積接觸層所需的時(shí)間也更短。由于異質(zhì)結(jié)硅太陽...

高效HJT電池轉(zhuǎn)換效率高，拓展?jié)摿Υ?，工藝?jiǎn)單并且降本路線清晰，契合了光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展的規(guī)律，是有潛力的下一代電池技術(shù)。 HJT裝備與材料：包含制絨清洗設(shè)備、PECVD設(shè)備、PVD設(shè)備、金屬化設(shè)備等。 電鍍銅設(shè)備：采用金屬銅完全代替銀漿作為柵線電極，具備低成本、高...

光伏濕法設(shè)備包括濕法制絨設(shè)備（Perc 工藝）、制絨設(shè)備（Topcon工藝）、濕法刻蝕設(shè)備（Perc 工藝）、RCA槽式清洗設(shè)備（Topcon工藝）、電池濕法背拋清洗設(shè)備（Topcon工藝）、濕法制絨設(shè)備（HJT工藝）、電池濕法背拋清洗設(shè)備（XBC工藝）、制絨...

濕法設(shè)備通常包括濕法制絨設(shè)備（Perc 工藝）、制絨設(shè)備（Topcon工藝）、濕法刻蝕設(shè)備（Perc 工藝）、RCA槽式清洗設(shè)備（Topcon工藝）、電池濕法背拋清洗設(shè)備（Topcon工藝）、濕法制絨設(shè)備（HJT工藝）、電池濕法背拋清洗設(shè)備（XBC工藝）、制絨...

太陽能HJT電池是一種高效的太陽能電池，其全稱為“Heterojunction with Intrinsic Thin-layer”，即異質(zhì)結(jié)內(nèi)在薄層太陽能電池。它采用了多層異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)，包括p型硅、n型硅和非晶硅等材料，通過在不同材料之間形成異質(zhì)結(jié)，實(shí)現(xiàn)了電荷...

電池濕法設(shè)備HJT工藝功能是去除切割損傷層和表面臟污l使用強(qiáng)堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面，增加硅片對(duì)太陽光的吸收，降低反射率l增加硅片表面積，進(jìn)而PN結(jié)面積也相應(yīng)增加。設(shè)備優(yōu)勢(shì)是進(jìn)口PLC控制，兼容MES，UPS和RFID功能。機(jī)械手分配合理，有效避免...

光伏電池濕法設(shè)備Topcon工藝，拋清洗設(shè)備，功能是去除背面BSG和拋光處理。l閉環(huán)運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)，保證輸送機(jī)構(gòu)運(yùn)動(dòng)平穩(wěn)性。l拋光槽：上表面采用水膜保護(hù)及輥輪帶液方式，完整的保護(hù)正面的同時(shí)，對(duì)背面作拋光處理。l烘干槽：采用高壓風(fēng)機(jī)+高效過濾器的方式，l鏈?zhǔn)饺S...

光伏電池整線解決方案，電鍍銅工序包括種子層制備、圖形化、電鍍?nèi)蟓h(huán)節(jié)，涌現(xiàn)多種設(shè)備方案。電鍍銅 工藝尚未定型，各環(huán)節(jié)技術(shù)方案包括（1）種子層：設(shè)備主要采用 PVD，主要技術(shù)分歧 在于是否制備種子層、制備整面/局部種子層和種子層金屬選用；（2）圖形化：感光材料 ...

電池濕法設(shè)備是一種用于生產(chǎn)電池的設(shè)備，其主要作用是將電池的正負(fù)極材料浸泡在電解液中，使其發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而產(chǎn)生電能。為了提高電池的性能和降低生產(chǎn)成本，可以優(yōu)化以下幾個(gè)參數(shù)：1.電解液配方：電解液是電池濕法設(shè)備中重要的組成部分之一，其配方的優(yōu)化可以顯著影響電池的...