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由于LC并聯(lián)諧振電路中的電容不同，一種情況只有C1，另一種情況是C1與C2并聯(lián)，在電容量不同的情況下LC并聯(lián)諧振電路的諧振頻率不同。所以，VD1在電路中的真正作用是控制LC并聯(lián)諧振電路的諧振頻率。關(guān)于二極管電子開關(guān)電路分析細(xì)節(jié)說(shuō)明下列二點(diǎn)：1）當(dāng)電路中有開關(guān)件...

熔斷器的特點(diǎn)熔體額定電流不等于熔斷器額定電流，熔體額定電流按被保護(hù)設(shè)備的負(fù)荷電流選擇，熔斷器額定電流應(yīng)大于熔體額定電流，與主電器配合確定。熔斷器主要由熔體、外殼和支座3部分組成，其中熔體是控制熔斷特性的關(guān)鍵元件。熔體的材料、尺寸和形狀決定了熔斷特性。熔體材料分...

從大型的液晶電視、電腦顯示屏到媒體播放器MP3、MP4以及手機(jī)等的顯示屏都將發(fā)光二極管用作屏背光源。[6]（2）汽車以及大型機(jī)械中的應(yīng)用發(fā)光二極管在汽車以及大型機(jī)械中得到廣應(yīng)用。汽車以及大型機(jī)械設(shè)備中的方向燈、車內(nèi)照明、機(jī)械設(shè)備儀表照明、大前燈、轉(zhuǎn)向燈、剎車燈...

由此形成在腔502的壁上的熱氧化物層304可以在襯底和區(qū)域306的上表面上連續(xù)。在圖2e的步驟中，腔502被填充，例如直到襯底的上部水平或者直到接近襯底的上部水平的水平。為此目的，例如執(zhí)行摻雜多晶硅的共形沉積。然后將多晶硅向下蝕刻至期望水平。因此在區(qū)域306的...

半導(dǎo)體二極管按其用途可分為:普通二極管和特殊二極管。普通二極管包括整流二極管、檢波二極管、穩(wěn)壓二極管、開關(guān)二極管、快速二極管等;特殊二極管包括變?nèi)荻O管、發(fā)光二極管、隧道二極管、觸發(fā)二極管等。現(xiàn)將幾種二極管的作用介紹如下:發(fā)光二極管:它具有單向?qū)щ娦?。只有?dāng)外...

半導(dǎo)體二極管的主要特點(diǎn)是具有摻雜性，熱敏性，光敏性。1、摻雜性，當(dāng)往純凈的半導(dǎo)體中摻入煤些物質(zhì)時(shí)，導(dǎo)體的導(dǎo)電性會(huì)增強(qiáng)。二極管、三極管就是摻入雜質(zhì)的半導(dǎo)體制成的。2、熱敏性，當(dāng)溫渡上升時(shí)，導(dǎo)體的導(dǎo)電能力會(huì)增強(qiáng)。利用該特性可以將某些半導(dǎo)體制成熱敏器件。3、光敏性，...

二極管正負(fù)極判斷方法如下：1、對(duì)于普通二極管，可以看管體表面，有白線的一端為負(fù)極。2、對(duì)于發(fā)光二極管，引腳長(zhǎng)的為正極，短的為負(fù)極。3、如果引腳被剪得一樣長(zhǎng)了，發(fā)光二極管管體內(nèi)部金屬極較小的是正極，大的片狀的是負(fù)極。4、如果看不清，也可打開萬(wàn)用表，將旋鈕撥到通斷...

二極管普遍的功能就是只允許電流由單一方向通過(guò)（稱為順向偏壓），反向時(shí)阻斷（稱為逆向偏壓）。因此，二極管可以想成電子版的逆止閥。然而實(shí)際上二極管并不會(huì)表現(xiàn)出如此完美的開與關(guān)的方向性，而是較為復(fù)雜的非線性電子特征——這是由特定類型的二極管技術(shù)決定的。二極管使用上除...

溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在C、E兩極之間的P型區(qū)（包括P+和P-區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（Subchannelregion）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Draininjector），它是IGBT特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PN...

供電質(zhì)量好，傳輸損耗小，效率高，節(jié)約能源，可靠性高，容易組成N＋1冗余供電系統(tǒng)，擴(kuò)展功率也相對(duì)比較容易。所以采用分布式供電系統(tǒng)可以滿足高可靠性設(shè)備的要求。、單端反激式、雙管正激式、雙單端正激式、雙正激式、推挽式、半橋、全橋等八種拓?fù)?。單端正激式、單端反激式、雙...

主要用于保護(hù)電動(dòng)機(jī)。隨著工業(yè)發(fā)展的需要，還制造出適于各種不同要求的特殊熔斷器，如電子熔斷器、熱熔斷器和自復(fù)熔斷器等。熔斷器級(jí)間配合編輯為防止發(fā)生越級(jí)熔斷、擴(kuò)大事故范圍，上、下級(jí)（即供電干、支線）線路的熔斷器間應(yīng)有良好配合。選用時(shí)，應(yīng)使上級(jí)（供電干線）熔斷器的熔...

變頻器中的igbt開關(guān)頻率指的是什么？ IGBT為逆變單元，按開關(guān)頻率分有低頻（T:8-15KHZ），中頻(E:1-10KHZ)、高頻(S:20-30KHZ)，就是其載波頻率一般在5khz-30khz阻擋igbt在正向阻斷時(shí)耗盡層的擴(kuò)展。 ig...

對(duì)其在脈沖脈沖功率電源領(lǐng)域中的應(yīng)用研究很少，尚處于試驗(yàn)探索階段。[1]在大功率半導(dǎo)體開關(guān)器件中，晶閘管是具有**高耐壓容量與**大電流容量的器件。國(guó)內(nèi)外主要制作的大功率晶閘管都是應(yīng)用在高壓直流輸電中。所制造出的大功率晶閘管，**大直徑可達(dá)6英寸，單閥片耐壓值*...

金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常，大功率晶閘管多采用陶瓷封裝，而中、小功率晶閘管則多采用塑封或金屬封裝。晶閘管按其關(guān)斷速度可分為...

不是性少數(shù)群體的意思……好了，回到正題。IGBT晶體管，英文全稱是「InsulatedGateBipolar...2021-02-03標(biāo)簽：MOSFETIGBT晶體管10310關(guān)于MOS管/三極管/IGBT之間的關(guān)系解析PN結(jié)：從PN結(jié)說(shuō)起PN結(jié)是半導(dǎo)體的基礎(chǔ)...

因此將引起各元件間電壓分配不均勻而導(dǎo)致發(fā)生損壞器件的事故。影響串聯(lián)運(yùn)行電壓分配不均勻的因素主要有以下幾個(gè)：1、靜態(tài)伏安特性對(duì)靜態(tài)均壓的影響。不同元件的伏安特性差異較大，串聯(lián)使用時(shí)會(huì)使電壓分配不均衡。同時(shí)，半導(dǎo)體器件的伏安特性容易受溫度的影響，不同的結(jié)溫也會(huì)使均...

[4]二極管大整流電流大整流電流是指二極管長(zhǎng)期連續(xù)工作時(shí)，允許通過(guò)的大正向平均電流值，其值與PN結(jié)面積及外部散熱條件等有關(guān)。因?yàn)殡娏魍ㄟ^(guò)管子時(shí)會(huì)使管芯發(fā)熱，溫度上升，溫度超過(guò)容許限度（硅管為141℃左右，鍺管為90℃左右）時(shí)，就會(huì)使管芯過(guò)熱而損壞。所以在規(guī)定散...

晶閘管和可控硅，有什么區(qū)別？1、概念不一樣：可控硅(SiliconControlledRectifier)簡(jiǎn)稱SCR，是一種大功率電孝改器元件，也稱晶閘管。三極管，全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三顫慎猜極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件其作用是把微...

下面分別介紹利用萬(wàn)用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力、估測(cè)關(guān)斷增益βoff的方法。判定GTO的電極將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1檔，測(cè)量任意兩腳間的電阻，*當(dāng)黑表筆接G極，紅表筆接K極時(shí)，電阻呈低阻值，對(duì)其它情況電阻值均為無(wú)窮大。由此可迅速判定G、K極，剩...

熔斷器的特點(diǎn)熔體額定電流不等于熔斷器額定電流，熔體額定電流按被保護(hù)設(shè)備的負(fù)荷電流選擇，熔斷器額定電流應(yīng)大于熔體額定電流，與主電器配合確定。熔斷器主要由熔體、外殼和支座3部分組成，其中熔體是控制熔斷特性的關(guān)鍵元件。熔體的材料、尺寸和形狀決定了熔斷特性。熔體材料分...

斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt：是指在額定結(jié)溫、門極開路的情況下，不能使晶閘管從斷態(tài)到通態(tài)轉(zhuǎn)換的外加電壓**大上升率。通態(tài)電流臨界上升率di/dt：指在規(guī)定條件下，晶閘管能承受的**大通態(tài)電流上升率。如果di/dt過(guò)大，在晶閘管剛開通時(shí)會(huì)有很大的電流集中在門極附...

由此形成在腔502的壁上的熱氧化物層304可以在襯底和區(qū)域306的上表面上連續(xù)。在圖2e的步驟中，腔502被填充，例如直到襯底的上部水平或者直到接近襯底的上部水平的水平。為此目的，例如執(zhí)行摻雜多晶硅的共形沉積。然后將多晶硅向下蝕刻至期望水平。因此在區(qū)域306的...

否則將遭至徹底損壞。當(dāng)晶閘管中流過(guò)大于額定值的電流時(shí)，熱量來(lái)不及散發(fā)，使得結(jié)溫迅速升高，終將導(dǎo)致結(jié)層被燒壞。產(chǎn)生過(guò)電流的原因是多種多樣的，例如，變流裝置本身晶閘管損壞，觸發(fā)電路發(fā)生故障，控制系統(tǒng)發(fā)生故障等，以及交流電源電壓過(guò)高、過(guò)低或缺相，負(fù)載過(guò)載或短路，相鄰...

我們平常見到的玻璃管保險(xiǎn)絲熔絲并不是單一材料，它是由鉛，銻，錫制成的合金，這是為了達(dá)到低熔點(diǎn)的目的而加入了這些金屬，兩端是銅帽，這樣導(dǎo)電性能會(huì)更好，銅帽表面經(jīng)過(guò)鍍鎳處理.;保險(xiǎn)絲的外形有早使用的條絲狀保險(xiǎn)絲，直接用螺絲固定兩頭，用在老式電閘上片狀保險(xiǎn)絲由塑料片...

溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在C、E兩極之間的P型區(qū)（包括P+和P-區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（Subchannelregion）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Draininjector），它是IGBT特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PN...

熔斷器的特點(diǎn)熔體額定電流不等于熔斷器額定電流，熔體額定電流按被保護(hù)設(shè)備的負(fù)荷電流選擇，熔斷器額定電流應(yīng)大于熔體額定電流，與主電器配合確定。熔斷器主要由熔體、外殼和支座3部分組成，其中熔體是控制熔斷特性的關(guān)鍵元件。熔體的材料、尺寸和形狀決定了熔斷特性。熔體材料分...

它是用來(lái)讓信號(hào)在預(yù)置的電平范圍內(nèi)，有選擇地傳輸一部分信號(hào)。大多數(shù)二極管都可作為限幅使用，但有些時(shí)候需要用到專門限幅二極管，如保護(hù)儀表時(shí)。[6]（3）穩(wěn)壓電路在穩(wěn)壓電路中通常需要使用齊納二極管，它是一種利用特殊工藝制造的面結(jié)型硅把半導(dǎo)體二極管，這種特殊二極管雜質(zhì)...

一、高壓熔斷器的種類和技術(shù)特性高壓熔斷器型號(hào)含義如下圖：二、RN1和RN2戶內(nèi)式高壓熔斷器RN系列高壓熔斷器用于高壓配電線路、小容量變壓器、電力電容器和電壓互感器等電氣設(shè)備的過(guò)載和短路保護(hù)。它由熔體管、接觸導(dǎo)電部分、支持絕緣子和底座等組成，如圖。熔體管為長(zhǎng)圓形...

低壓熔斷器是低壓配電系統(tǒng)中起安全保護(hù)作用的一種電器，主要作短路保護(hù)，有時(shí)也可起過(guò)載保護(hù)作用。廣泛應(yīng)用于電網(wǎng)保護(hù)和用電設(shè)備保護(hù)，當(dāng)電網(wǎng)或用電設(shè)備出現(xiàn)短路或過(guò)載故障時(shí)，通過(guò)熔體的電流大于額定值，熔體因過(guò)熱而被熔化，自動(dòng)切斷電路，避免電網(wǎng)或用電設(shè)備的損壞，并防止事故...

1N5399硅整流二極管1000V,,1N5400硅整流二極管50V,3A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=150A)1N5401硅整流二極管100V,3A,1N5402硅整流二極管200V,3A,1N5403硅整流二極管300V,3A,1N5404硅整流...