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BAT54HT

來源: 發(fā)布時間:2023-11-18

第1個集成電路雛形是由杰克·基爾比于1958年完成的,其中包括一個雙極性晶體管,三個電阻和一個電容器。根據(jù)一個芯片上集成的微電子器件的數(shù)量,集成電路可以分為以下幾類:1.小規(guī)模集成電路:SSI英文全名為Small Scale Integration,邏輯門10個以下或晶體管100個以下。2.中規(guī)模集成電路:MSI英文全名為Medium Scale Integration,邏輯門11~100個或晶體管101~1k個。3.大規(guī)模集成電路:LSI英文全名為Large Scale Integration,邏輯門101~1k個或晶體管1,001~10k個。4.超大規(guī)模集成電路:VLSI英文全名為Very large scale integration,邏輯門1,001~10k個或晶體管10,001~100k個。5.甚大規(guī)模集成電路:ULSI英文全名為Ultra Large Scale Integration,邏輯門10,001~1M個或晶體管100,001~10M個。GLSI英文全名為Giga Scale Integration,邏輯門1,000,001個以上或晶體管10,000,001個以上?,F(xiàn)代的計算、通信、制造和交通系統(tǒng)都依賴于集成電路的應(yīng)用,集成電路對于數(shù)字革新的推動起到了重要作用。BAT54HT

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近幾年國內(nèi)集成電路進(jìn)口規(guī)模迅速擴(kuò)大,2010年已經(jīng)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的1570億美元,集成電路已連續(xù)兩年超過原油成為國內(nèi)較大的進(jìn)口商品。與巨大且快速增長的國內(nèi)市場相比,中國集成電路產(chǎn)業(yè)雖發(fā)展迅速但仍難以滿足內(nèi)需要求。當(dāng)前以移動互聯(lián)網(wǎng)、三網(wǎng)融合、物聯(lián)網(wǎng)、云計算、智能電網(wǎng)、新能源汽車為表示的戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展,將成為繼計算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通信、消費(fèi)電子之后,推動集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新動力。工信部預(yù)計,國內(nèi)集成電路市場規(guī)模到2015年將達(dá)到12000億元。我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的生態(tài)環(huán)境亟待優(yōu)化,設(shè)計、制造、封裝測試以及設(shè)備、儀器、材料等產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同性不足,芯片、軟件、整機(jī)、系統(tǒng)、應(yīng)用等各環(huán)節(jié)互動不緊密。MC78M05CTG為了支持集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,可以通過持續(xù)支持科技重大專項(xiàng)、加大產(chǎn)業(yè)基金投入等措施來推動行業(yè)發(fā)展。

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氧化工藝是集成電路制造中的基礎(chǔ)工藝之一,其作用是在硅片表面形成一層氧化膜,以保護(hù)硅片表面免受污染和損傷。氧化膜的厚度和質(zhì)量對電路的性能和可靠性有著重要的影響。在氧化工藝中,硅片首先被清洗干凈,然后放入氧化爐中,在高溫高壓的氧氣環(huán)境下進(jìn)行氧化反應(yīng),形成氧化膜。氧化膜的厚度可以通過調(diào)節(jié)氧化時間和溫度來控制。此外,氧化工藝還可以用于形成局部氧化膜,以實(shí)現(xiàn)電路的局部隔離和控制。光刻工藝是集成電路制造中較關(guān)鍵的工藝之一,其作用是在硅片表面上形成微小的圖案,以定義電路的結(jié)構(gòu)和功能。

集成電路的高集成度和低功耗特性使得它在各個領(lǐng)域都有普遍的應(yīng)用前景。在通信領(lǐng)域,集成電路可以用于制造高速數(shù)據(jù)傳輸設(shè)備,從而提高通信速度和質(zhì)量。在計算機(jī)領(lǐng)域,集成電路可以用于制造高性能的處理器和存儲器,從而提高計算機(jī)的運(yùn)行速度和效率。在智能家居領(lǐng)域,集成電路可以用于制造各種智能家居設(shè)備,從而提高家居生活的便利性和舒適度??傊?,集成電路以其高集成度和低功耗特性,成為現(xiàn)代半導(dǎo)體工業(yè)主流技術(shù)。它的高集成度可以很大程度上減小電路的體積,提高電路的可靠性和穩(wěn)定性,降低電路的功耗,提高電路的效率。它的低功耗特性可以使得電子設(shè)備更加節(jié)能環(huán)保,同時也可以延長電子設(shè)備的使用壽命,降低電子設(shè)備的散熱負(fù)擔(dān),提高電子設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性。因此,集成電路在各個領(lǐng)域都有普遍的應(yīng)用前景,將會在未來的發(fā)展中發(fā)揮越來越重要的作用。集成電路的微小尺寸和低功耗特性,使得電子設(shè)備更加輕巧、高效和智能。

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科技重大專項(xiàng)是國家科技計劃的重要組成部分,旨在支持國家重大科技需求和戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。在集成電路產(chǎn)業(yè)中,科技重大專項(xiàng)的支持可以促進(jìn)技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)升級。例如,針對集成電路制造工藝和設(shè)備的研發(fā),科技重大專項(xiàng)可以提供資金支持和技術(shù)指導(dǎo),加速新技術(shù)的應(yīng)用和推廣。此外,科技重大專項(xiàng)還可以支持集成電路設(shè)計和芯片開發(fā)等領(lǐng)域的研究,提高國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)的中心競爭力。除了資金支持,科技重大專項(xiàng)還可以提供政策和法規(guī)的支持。例如,國家可以出臺相關(guān)政策,鼓勵企業(yè)加大對集成電路產(chǎn)業(yè)的投入,提高企業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新能力和市場競爭力。數(shù)字集成電路的發(fā)展已經(jīng)使得計算機(jī)、手機(jī)等現(xiàn)代社會中不可或缺的數(shù)字電子設(shè)備普及起來。ITR11452

集成納米級別設(shè)備的IC在泄漏電流方面存在挑戰(zhàn),制造商需要采用更先進(jìn)的幾何學(xué)來解決這一問題。BAT54HT

前述將電路制造在半導(dǎo)體芯片表面上的集成電路又稱薄膜(thin-film)集成電路。另有一種厚膜(thick-film)混成集成電路(hybrid integrated circuit)是由單獨(dú)半導(dǎo)體設(shè)備和被動元件,集成到襯底或線路板所構(gòu)成的小型化電路。集成電路具有體積小,重量輕,引出線和焊接點(diǎn)少,壽命長,可靠性高,性能好等優(yōu)點(diǎn),同時成本低,便于大規(guī)模生產(chǎn)。它不僅在工、民用電子設(shè)備如收錄機(jī)、電視機(jī)、計算機(jī)等方面得到普遍的應(yīng)用,同時在通訊、遙控等方面也得到普遍的應(yīng)用。用集成電路來裝配電子設(shè)備,其裝配密度比晶體管可提高幾十倍至幾千倍,設(shè)備的穩(wěn)定工作時間也可很大程度上提高。BAT54HT

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