中頻雙靶反應(yīng)磁控濺射與直流反應(yīng)磁控濺射相比具有以下幾個顯巨優(yōu)點(diǎn): (1)消除了靶面打弧放電現(xiàn)象,中頻反應(yīng)磁控濺射鍍制的絕緣薄膜與直流反應(yīng)磁控濺射鍍制的同種膜相比,膜面缺 陷要少幾個數(shù)量級; (2)可以得到比直流反應(yīng)磁控濺射高出數(shù)倍的濺射沉積速率; (3)中頻雙靶反應(yīng)磁控濺射的整個濺射沉積過程,可以始終穩(wěn)定在所設(shè)定的工作點(diǎn)上,為大規(guī)模工業(yè)化穩(wěn)定生產(chǎn)提供了條件。 選用非對稱雙極脈沖靶電源與選用“雙靶-中頻靶電源”不同,使用單個磁控靶進(jìn)行反應(yīng)磁控濺射,調(diào)節(jié)相應(yīng)的鍍膜工藝參數(shù),可以消除磁控靶面打弧放電現(xiàn)象和實(shí)現(xiàn)長時間穩(wěn)定的薄膜沉積,可以達(dá)到上述“中頻-雙靶反應(yīng)磁控濺射”的同樣效果。反應(yīng)濺射氣體的濺射效率本來就比惰性氣體的濺射效率低,所以反應(yīng)氣體比例增加后,綜合濺射速率降低。揚(yáng)州鐵酸鑭靶調(diào)試
塊狀金屬鈀能吸收大量氫氣,使體積脹大,變脆乃至破裂成碎片?;瘜W(xué)性質(zhì)不活潑,常溫下在空氣和潮濕環(huán)境中穩(wěn)定,加熱至 800℃,鈀表面形成一氧化鈀薄膜。 二、主要產(chǎn)品: 1、鈀 顆粒 99.99% 常規(guī)尺寸:φ3*6mm;量大可定做 2、鈀 靶材 99.99%? 常規(guī)尺寸:φ50*1mm;φ60*3mm;φ76.2*4mm等,尺寸可定做 3、電鏡鈀片常規(guī)尺寸:φ57*0.1mm *0.2mm 4、鈀 箔片 99.9 2mm等,尺寸可定做 二、其他 : 打穿的鈀靶材、鈀殘料可提供回收再加工 。 回收流程如下: 稱重----清洗、提純---熔煉加工---靶材等成品 高純靶,靶靶材鈀顆粒,鈀粉,鈀靶材 產(chǎn)品編碼 產(chǎn)品名稱 規(guī)格 應(yīng)用 Sc-I4006 鈧 x 真空熔煉 Li-G30610 鋰 顆粒 99.9% φ6*10mm 真空熔煉 Sr-I2011 鍶 塊狀 99% 氮?dú)獍b 真空熔煉 Mg-G3514 鎂 顆粒 99.93% 4mm類球形 真空熔煉 Mg-I3503 鎂 塊狀 99.95% 200g/塊 真空熔煉 Fe-G3533 鐵 顆粒 99.95% φ3*3mm 真空熔煉 Cr-G3501 mm 真空熔煉 Al-G4066 鋁 顆粒 99.99% φ6*6mm 真空熔煉 Cu-G5033 銅 顆粒 99.999% φ3*3mm 真空熔煉 Cu-G3533 銅 顆粒 99.95% φ3*3mm 真空熔煉 Ti-G3033 鈦 顆粒 99.9% φ3*3mm 真空熔煉 Ni-G3025 鎳 顆粒 99.9% φ2*5mm 真空熔煉 V-G3015 釩 顆粒 99.9% 樹枝狀
上海氧化鉿靶調(diào)試如果化合物的生成速率大于化合物被剝離的速率,化合物覆蓋面積增加。
涂布技術(shù)在真空鍍鋁膜中的應(yīng)用 將涂布技術(shù)與真空鍍鋁技術(shù)結(jié)合起來,通過在基材薄膜或鍍鋁薄膜上涂布功能層,以達(dá)到提高鍍鋁層的附著牢度、耐水煮性能、阻隔性能、裝飾性能等,滿足不同應(yīng)用領(lǐng)域的要求。 一.經(jīng)過等離子預(yù)處理的真空鍍鋁薄膜雖然鍍鋁層牢度有了明顯提高,但對于一些對鍍鋁層附著牢度要求更高,或者需要用于水煮殺 菌條件時仍然不能滿足要求。為了滿足上述要求,通過在基材薄膜表面涂布一層丙烯酸類的化學(xué)涂層,該涂層不對鍍鋁層有優(yōu)異的粘附性能,同時可以滿足后續(xù)的水煮殺 菌條件。涂布后的包裝可以滿足巴氏殺 菌的要求,其鍍鋁層不會因?yàn)樗蠖l(fā)生氧化。 二.為進(jìn)一步提高鍍鋁膜的阻隔性能,同時保護(hù)鍍鋁層在后續(xù)的印刷、復(fù)合等加工過程中不被破壞,可以通過在鍍鋁層上涂布一層高阻隔的納米涂層或聚合物涂層來實(shí)現(xiàn)。 三.為提高鍍鋁膜的裝飾性能,在基材薄膜鍍鋁前或鍍鋁后進(jìn)行各種顏色的涂布,或模壓后再進(jìn)行鍍鋁,使得鍍鋁膜具有多彩的顏色或具有鐳射效果。此類產(chǎn)品可分為三種:包裝用膜、裝飾用膜、標(biāo)示用膜。主要應(yīng)用于禮品、禮盒的裝飾或防偽包裝用途,如食品、藥品、玩具等的外包裝以及酒等的防偽包裝。
非晶硅薄膜的制備方法 非晶硅薄膜的制備方法有很多,如低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD),等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD),直流(射頻)磁控濺射等。生長多晶硅薄膜的方法有:化學(xué)氣相沉積包括低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)、大氣壓強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(APCVD)、等離子體化學(xué)氣相沉積(PCVD)以及液相生長、激光再晶化和固相晶化法(SPC)等。固相晶化法是指在(高溫)退火的條件下,使固態(tài)非晶硅薄膜的硅原子被、重組,從而轉(zhuǎn)化為多晶硅薄膜。它的特點(diǎn)是非晶固體發(fā)生晶化的溫度低于其熔融后結(jié)晶的溫度。常規(guī)高溫爐退火、快速熱退火、金屬誘導(dǎo)晶化、微波誘導(dǎo)晶化等都屬于固相晶化的范疇。本文采用PECVD 和磁控濺射方法在不同的條件下制備了a- Si: H 和a- Si 薄膜,并采取高溫退火和激光誘導(dǎo)晶化的方式,利用X- 射線衍射及拉曼光譜,對制備的非晶硅薄膜晶化過程進(jìn)行了系統(tǒng)地研究。所以結(jié)論就活性金屬靶材要求表面拋光,不活潑金屬靶材不一定非要求表面拋光。其他非金屬的靶材不需要拋光。
磁控濺射不起輝的常見原因有哪些,怎么應(yīng)對?磁控濺射金屬靶時,無法起輝的原因有很多,常見主要原因有:1.靶材安裝準(zhǔn)確否?2.靶材表面是否干凈------------金屬靶表面氧化或有不清潔物質(zhì),打磨清理干凈后即可。3.起輝電源是否正常------------檢查靶電源。4.靶與地線之間短路----------關(guān)掉機(jī)器,把設(shè)備的濺射靶卸下來,靶附近的零件仔細(xì)清洗一下;----------壓靶蓋旋的過緊,沒有和靶材之間留下適當(dāng)?shù)木嚯x,調(diào)整距離即可。5.永磁靶表面場強(qiáng)是否下降太多?---------如果下降太多,需要更換磁鋼。影響靶中毒的因素主要是反應(yīng)氣體和濺射氣體的比例,反應(yīng)氣體過量就會導(dǎo)致靶中毒。蘇州四元合金靶作用
濺射靶材的制備按工藝可分為熔融鑄造和粉末冶金兩大類。揚(yáng)州鐵酸鑭靶調(diào)試
磁控濺射鍍膜中出現(xiàn)膜層不良的表現(xiàn)有哪些,如何改善? 1.脫膜主要表現(xiàn):點(diǎn)狀/片狀膜層脫落 原因分析:雜質(zhì)附著,清洗殘留,真空室臟,臟污、油斑、灰點(diǎn)、口水點(diǎn), 膜層局部附著不良等。 改善:加強(qiáng)清洗,加強(qiáng)烘烤,環(huán)境管控(清潔干燥),對于多層膜系,底層須與基材匹配(吸附力、硬度、熱膨脹)。 2.裂紋/暴膜主要表現(xiàn): 網(wǎng)狀裂痕/龜裂/起泡脫膜,出爐外觀OK,放置一段時間后爆裂/起泡脫膜。 原因分析:鍍膜過程基材加熱不充分,成膜后及出爐后降溫過快,膜層應(yīng)力累積, 膜層與基材不匹配,多層膜之間參數(shù)不匹配。 改善: 基材充分預(yù)熱加熱;增加離子輔助,減小應(yīng)力;鍍膜緩慢降溫;底層須與基材匹配;多層膜之間參數(shù)不突變。 3,色差主要表現(xiàn):同爐產(chǎn)品顏色不一致 原因分析及改善:靶材分布;布?xì)猓淮艌?;遮擋。揚(yáng)州鐵酸鑭靶調(diào)試
江陰典譽(yù)新材料科技有限公司地處江蘇省江陰市,是一家專業(yè)生產(chǎn)濺射靶材和蒸發(fā)材料的公司,濺射靶材充分借鑒國外的先進(jìn)技術(shù),并通過與國內(nèi)外**研發(fā)機(jī)構(gòu)合作,整合各行業(yè)資源優(yōu)勢,生產(chǎn)出多系列***濺射靶材產(chǎn)品。 公司目前主要生產(chǎn)金屬,合金,陶瓷三大類靶材產(chǎn)品。經(jīng)過幾年的發(fā)展和技術(shù)積累,已經(jīng)擁有:真空熱壓,冷壓燒結(jié),真空熔煉,熱等靜壓,等離子噴涂等技術(shù)。另外也可根據(jù)客戶要求研發(fā)新型靶材并提供靶材金屬化、綁定和背板服務(wù)。 江陰典譽(yù)新材料科技有限公司已為以下行業(yè)提供***的靶材:平面顯示、裝飾與工具、太陽能光伏和光熱、電子和半導(dǎo)體、建筑與汽車玻璃大面積鍍膜等工業(yè)領(lǐng)域。同時也為國內(nèi)外各大院校和研究所提供了很多常規(guī)和新型的試驗(yàn)用靶材。 江陰典譽(yù)目前擁有真空熱壓爐兩臺,冷壓燒結(jié)爐一臺,真空熔煉設(shè)備兩臺,等靜壓設(shè)備一臺,等離子噴涂兩套,綁定平臺兩套,各類機(jī)加工設(shè)備七臺,檢驗(yàn)設(shè)備若干,確保出廠的每件產(chǎn)品都能達(dá)到甚至超過客戶的預(yù)期。 江陰典譽(yù)秉承:“一切以客戶的需求為導(dǎo)向,客戶的所有需求一次做好?!钡陌l(fā)展理念。