高純金屬的純度分析原則：高純金屬材料的純度一般用減量法衡量。減量計算的雜質元素主要是金屬雜質，不包括C,O,N,H等間隙元素，但是間隙元素的含量也是重要的衡量指標，一般單獨提出。依應用背景的不同，要求進行分析的雜質元素種類少則十幾種,多則70多種。簡單的說高純金屬是幾個N(九)并不能真正的表達其純度,只有提供雜質元素和間隙元素的種類及其含量才能明確表達高純金屬的純度水平。高純金屬的純度檢測應以實際應用需要作為主要標準，例如目前工業(yè)電解鈷的純度一般接99.99%,而且檢測的雜質元素種類較少。我國電解鈷的有色金屬行業(yè)標準(YS/T25522000)要求分析C,S,Mn,Fe,Ni,Cu,As,Pb,Zn,Si,Cd,Mg,P,Al,Sn,Sb,Bi等17個雜質元素,Co9998電解鈷的雜質總量不超過0.02，但這仍然不能滿足功能薄膜材料材料的要求[2]。磁控濺射金屬靶時，無法起輝的原因有很多，常見主要原因。上海鋁酸鑭靶圖片

而射頻濺射的使用范圍更為***，除可濺射導電材料外，也可濺射非導電的材料，同時還司進行反應濺射制備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。濺射靶材射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射，目前常用的有電子回旋共振(ECR)型微波等離子體濺射。三．真空鍍膜中靶材中毒會出現(xiàn)哪些想象，如何解決？1、靶面金屬化合物的形成。由金屬靶面通過反應濺射工藝形成化合物的過程中，化合物是在哪里形成的呢？由于活性反應氣體粒子與靶面原子相碰撞產生化學反應生成化合物原子，通常是放熱反應，反應生成熱必須有傳導出去的途徑，否則，該化學反應無法繼續(xù)進行。在真空條件下氣體之間不可能進行熱傳導，所以，化學反應必須在一個固體表面進行。反應濺射生成物在靶表面、基片表面、和其他結構表面進行。上海氧化釔鋯靶廠家濺射靶材安裝過程中**重要的注意事項是一定要確保在靶材和濺射冷卻壁之間建立很好的導熱連接。

陶瓷靶材ITO靶、氧化鎂靶、氧化鐵靶、濺射靶材氮化硅靶、碳化硅靶、氮化鈦靶、氧化鉻靶、氧化鋅靶、硫化鋅靶、二氧化硅靶、一氧化硅靶、氧化鈰靶、二氧化鋯靶、五氧化二鈮靶、二氧化鈦靶、二氧化鋯靶，、二氧化鉿靶，二硼化鈦靶，二硼化鋯靶，三氧化鎢靶，三氧化二鋁靶五氧化二鉭，五氧化二鈮靶、氟化鎂靶、氟化釔靶、硒化鋅靶、氮化鋁靶，氮化硅靶，氮化硼靶，氮化鈦靶，碳化硅靶，鈮酸鋰靶、鈦酸鐠靶、鈦酸鋇靶、鈦酸鑭靶、氧化鎳靶、濺射靶材等。

  磁控靶材面積與承載功率范圍 1、靶材面積與承載功率范圍   (1) 圓形平面磁控靶功率密度范圍一般為1~25瓦/cm2。   (2)矩形平面磁控靶功率密度范圍一般為1~36瓦/cm2。   (3)柱狀磁控靶、錐形平面磁控靶功率密度范圍一般為40~50瓦/cm2。 2、磁控靶實際承載功率   磁控靶的實際的承載功率除了與濺射工藝、薄膜的質量要求等因數(shù)有關外，主要與靶的冷卻狀況和散熱條件密切相關。磁控靶按其冷卻散熱方式的不同，分為“靶材直接水冷卻”和“靶材間接水冷卻”兩種。   考慮到濺射靶長期使用老化后，其散熱條件變差;兼顧各種不同靶材材質的散熱系數(shù)的不同，磁控靶的使用時的承載功率，直接水冷卻靶實際的承載大功率可按略小于功率密度范圍的上限選取;間接水冷卻靶的實際承載大功率可按功率密度范圍上限值的二分之一左右選取。   磁控靶材(主要是Cu，Ag，黃銅(Brass)和Al青銅(Al bronze) “自濺射”時，一般是選用經過專門設計“靶材直接水冷卻”的磁控濺射靶。其使用時的承載功率，均需大于靶功率密度范圍的上限值(即>100W/cm2以上)。由于活性反應氣體粒子與靶面原子相碰撞產生化學反應生成化合物原子。

直流磁控濺射制備鋅-銻熱電薄膜的技術探討 熱電材料是一種能夠實現(xiàn)熱能和電能直接相互轉換的綠色環(huán)保型功能材料。近年來研究發(fā)現(xiàn)，熱電薄膜化有助于熱電材料減低熱導率，從而能夠有效的提高材料的熱電轉換效率，因此具有十分重要的科學研究價值。Zn-Sb合金是采用的P 型熱電半導體材料之一，但由于其較低的熱電優(yōu)值，所以沒有得到普遍的應用。   但近幾年研究發(fā)現(xiàn)，在263 K~767K 溫度區(qū)間穩(wěn)定存在的β-Zn4Sb3 具有非常優(yōu)異的熱電性能，材料少含稀土材料以及可適用于中溫，被國內外認為是具有前景的中溫熱電材料之一。因此，本文選取純度為99.99%的Zn 和Sb 金屬靶作為靶材，采用直流磁控共濺射技術，制備Zn-Sb 合金熱電薄膜，研究不同熱處理條件下合成的Zn-Sb 化合物熱電薄膜的結構與熱電特性變化規(guī)律。   結果表明，選取適當?shù)臑R射Zn和Sb的功率條件，濺射完成合金薄膜后在Ar 氣氛下進行623 K 退火熱處理，可形成具有單一β-Zn4Sb3相結構的Zn-Sb 熱電薄膜，且薄膜顆粒大，較致密，所制備的熱電薄膜具有優(yōu)良的熱電性能。再用手轉緊對角線上的另外一顆鏍栓，如此重復直到安裝上所有鏍栓后，再用工具收緊。上海氧化釔鋯靶廠家

靶中毒的解決辦法：控制鍍膜模式的變換：在鍍膜前，采集靶中毒的遲滯效應曲線。上海鋁酸鑭靶圖片

塊狀金屬鈀能吸收大量氫氣，使體積脹大，變脆乃至破裂成碎片?；瘜W性質不活潑，常溫下在空氣和潮濕環(huán)境中穩(wěn)定，加熱至 800℃，鈀表面形成一氧化鈀薄膜。 二、主要產品： 1、鈀 顆粒 99.99% 常規(guī)尺寸：φ3*6mm；量大可定做 2、鈀 靶材 99.99%?  常規(guī)尺寸：φ50*1mm；φ60*3mm；φ76.2*4mm等，尺寸可定做 3、電鏡鈀片常規(guī)尺寸：φ57*0.1mm *0.2mm 4、鈀 箔片 99.9 2mm等，尺寸可定做 二、其他 ： 打穿的鈀靶材、鈀殘料可提供回收再加工 。 回收流程如下： 稱重----清洗、提純---熔煉加工---靶材等成品 高純靶,靶靶材鈀顆粒,鈀粉,鈀靶材 產品編碼 產品名稱 規(guī)格 應用 Sc-I4006 鈧 x 真空熔煉 Li-G30610 鋰 顆粒 99.9% φ6*10mm 真空熔煉 Sr-I2011 鍶 塊狀 99% 氮氣包裝 真空熔煉 Mg-G3514 鎂 顆粒 99.93% 4mm類球形 真空熔煉 Mg-I3503 鎂 塊狀 99.95%  200g/塊 真空熔煉 Fe-G3533 鐵 顆粒 99.95% φ3*3mm 真空熔煉 Cr-G3501 mm 真空熔煉 Al-G4066 鋁 顆粒 99.99% φ6*6mm 真空熔煉 Cu-G5033 銅 顆粒 99.999% φ3*3mm 真空熔煉 Cu-G3533 銅 顆粒 99.95% φ3*3mm 真空熔煉 Ti-G3033 鈦 顆粒 99.9% φ3*3mm 真空熔煉 Ni-G3025 鎳 顆粒 99.9% φ2*5mm 真空熔煉 V-G3015 釩 顆粒 99.9% 樹枝狀

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江陰典譽新材料科技有限公司地處江蘇省江陰市，是一家專業(yè)生產濺射靶材和蒸發(fā)材料的公司，濺射靶材充分借鑒國外的先進技術，并通過與國內外**研發(fā)機構合作，整合各行業(yè)資源優(yōu)勢，生產出多系列***濺射靶材產品。 公司目前主要生產金屬，合金，陶瓷三大類靶材產品。經過幾年的發(fā)展和技術積累，已經擁有：真空熱壓，冷壓燒結，真空熔煉，熱等靜壓，等離子噴涂等技術。另外也可根據(jù)客戶要求研發(fā)新型靶材并提供靶材金屬化、綁定和背板服務。 江陰典譽新材料科技有限公司已為以下行業(yè)提供***的靶材：平面顯示、裝飾與工具、太陽能光伏和光熱、電子和半導體、建筑與汽車玻璃大面積鍍膜等工業(yè)領域。同時也為國內外各大院校和研究所提供了很多常規(guī)和新型的試驗用靶材。 江陰典譽目前擁有真空熱壓爐兩臺，冷壓燒結爐一臺，真空熔煉設備兩臺，等靜壓設備一臺，等離子噴涂兩套，綁定平臺兩套，各類機加工設備七臺，檢驗設備若干，確保出廠的每件產品都能達到甚至超過客戶的預期。 江陰典譽秉承：“一切以客戶的需求為導向，客戶的所有需求一次做好?！钡陌l(fā)展理念。