磁控靶濺射沉積率的影響因素 濺射沉積率是表征成膜速度的參數(shù)，其沉積率高低除了與工作氣體的種類與壓力、靶材種類與“濺射刻蝕區(qū)“的面積大小、靶面溫度與靶面磁場(chǎng)強(qiáng)度、靶源與基片的間距等影響因素外，還受靶面的功率密度，亦即靶電源輸出的“濺射電壓與電流”兩個(gè)重要因素的直接影響。 1、濺射電壓與沉積率   在影響濺射系數(shù)的諸因數(shù)中，當(dāng)靶材、濺射氣體等業(yè)已選定之后，比較起作用的就是磁控靶的放電電壓。一般來(lái)說(shuō)，在磁控濺射正常工藝范圍內(nèi)，放電電壓越高，磁控靶的濺射系數(shù)就越大。 2、濺射電流與沉積率 磁控靶的濺射電流與靶面離子流成正比，因此對(duì)沉積率的影響比電壓要大得多。增加濺射電流的辦法有兩個(gè)：一個(gè)是提高工作電壓;另一個(gè)是適當(dāng)提高工作氣體壓力。 3、濺射功率與沉積率   一般來(lái)說(shuō)，磁控靶的濺射功率增高時(shí)，薄膜的沉積率速率也會(huì)變大;這里有一個(gè)先決條件，就是：加在磁控靶的濺射電壓足夠高，使工作氣體離子在陰-陽(yáng)極間電場(chǎng)中獲得的能量，足以大過(guò)靶材的“濺射能量閥值”。

所以在安裝靶材時(shí)需要對(duì)陰極冷卻水槽進(jìn)行檢查和清理，確保冷卻水循環(huán)的順暢和進(jìn)出水口不會(huì)被堵塞。銅靶功能

非晶硅薄膜的制備方法   非晶硅薄膜的制備方法有很多，如低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)，直流(射頻)磁控濺射等。生長(zhǎng)多晶硅薄膜的方法有：化學(xué)氣相沉積包括低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)、大氣壓強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(APCVD)、等離子體化學(xué)氣相沉積(PCVD)以及液相生長(zhǎng)、激光再晶化和固相晶化法(SPC)等。固相晶化法是指在(高溫)退火的條件下，使固態(tài)非晶硅薄膜的硅原子被、重組，從而轉(zhuǎn)化為多晶硅薄膜。它的特點(diǎn)是非晶固體發(fā)生晶化的溫度低于其熔融后結(jié)晶的溫度。常規(guī)高溫爐退火、快速熱退火、金屬誘導(dǎo)晶化、微波誘導(dǎo)晶化等都屬于固相晶化的范疇。本文采用PECVD 和磁控濺射方法在不同的條件下制備了a- Si: H 和a- Si 薄膜，并采取高溫退火和激光誘導(dǎo)晶化的方式，利用X- 射線衍射及拉曼光譜，對(duì)制備的非晶硅薄膜晶化過(guò)程進(jìn)行了系統(tǒng)地研究。武漢鎵靶費(fèi)用請(qǐng)注意一定要仔細(xì)檢查和明確所使用濺射冷卻壁的平整度，同時(shí)確保O型密封圈始終在位置上。

磁控濺射不起輝的常見(jiàn)原因有哪些，怎么應(yīng)對(duì)？磁控濺射金屬靶時(shí)，無(wú)法起輝的原因有很多，常見(jiàn)主要原因有：1.靶材安裝準(zhǔn)確否?2.靶材表面是否干凈------------金屬靶表面氧化或有不清潔物質(zhì)，打磨清理干凈后即可。3.起輝電源是否正常------------檢查靶電源。4.靶與地線之間短路----------關(guān)掉機(jī)器，把設(shè)備的濺射靶卸下來(lái)，靶附近的零件仔細(xì)清洗一下；----------壓靶蓋旋的過(guò)緊，沒(méi)有和靶材之間留下適當(dāng)?shù)木嚯x，調(diào)整距離即可。5.永磁靶表面場(chǎng)強(qiáng)是否下降太多？---------如果下降太多，需要更換磁鋼。

利用原子力顯微鏡(AFM)和掃描電子顯微鏡(SEM)，對(duì)所制備的非晶硅薄膜進(jìn)行了定性和定量的表征，研究了濺射功率、襯底溫度、濺射時(shí)間、氬氣氣壓等因素對(duì)非晶硅薄膜表面形貌和厚度的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：非晶硅薄膜的表面粗糙度會(huì)隨濺射功率、濺射時(shí)間和濺射氣壓的增加而增大，而隨著襯底加熱溫度的增加而減小。   對(duì)制備的非晶硅薄膜在不同溫度和時(shí)間進(jìn)行了退火處理。再利用X- 射線衍射儀(XRD)和拉曼光譜儀，對(duì)不同退火溫度的樣品進(jìn)行晶化程度的表征。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：不同條件制備的非晶硅薄膜在750℃退火1 h 后就已發(fā)生不同程度的晶化，并且直流磁控濺射制備的非晶硅薄膜比射頻磁控濺射制備的非晶硅薄膜更容易發(fā)生晶化;退火溫度越高，非晶硅薄膜晶化速率越快。   此外，通過(guò)拉曼激光誘導(dǎo)晶化，結(jié)果表明：拉曼激光誘導(dǎo)非晶硅晶化為局域晶化，具有晶化速度快的特點(diǎn);晶化過(guò)程中，需要控制激光強(qiáng)度，過(guò)強(qiáng)的激光會(huì)把非晶硅薄膜燒蝕掉。而晶粒尺寸相差較小(分布均勻)的靶濺射沉積的薄膜的厚度分布更均勻。

而射頻濺射的使用范圍更為***，除可濺射導(dǎo)電材料外，也可濺射非導(dǎo)電的材料，同時(shí)還司進(jìn)行反應(yīng)濺射制備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。濺射靶材射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射，目前常用的有電子回旋共振(ECR)型微波等離子體濺射。三．真空鍍膜中靶材中毒會(huì)出現(xiàn)哪些想象，如何解決？1、靶面金屬化合物的形成。由金屬靶面通過(guò)反應(yīng)濺射工藝形成化合物的過(guò)程中，化合物是在哪里形成的呢？由于活性反應(yīng)氣體粒子與靶面原子相碰撞產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)生成化合物原子，通常是放熱反應(yīng)，反應(yīng)生成熱必須有傳導(dǎo)出去的途徑，否則，該化學(xué)反應(yīng)無(wú)法繼續(xù)進(jìn)行。在真空條件下氣體之間不可能進(jìn)行熱傳導(dǎo)，所以，化學(xué)反應(yīng)必須在一個(gè)固體表面進(jìn)行。反應(yīng)濺射生成物在靶表面、基片表面、和其他結(jié)構(gòu)表面進(jìn)行。1. 靶材安裝準(zhǔn)確否? 2. 靶材表面是否干凈------------金屬靶表面氧化或有不清潔物質(zhì)，打磨清理干凈后即可。武漢鎵靶費(fèi)用

在直流脈沖、中頻濺射過(guò)程中，離子撞擊的能量不足以破壞氧化皮，所以一般在濺射的時(shí)候進(jìn)行物理拋光。銅靶功能

真空鍍膜機(jī)在塑膠行業(yè)的應(yīng)用  真空鍍膜機(jī)應(yīng)該普遍，在塑料行業(yè)的應(yīng)該也很普遍。而塑膠在生活，工業(yè)，電器，航空等領(lǐng)域都有涉及。塑膠具有易成型，價(jià)格便宜，質(zhì)量輕，防腐蝕等優(yōu)點(diǎn)，但塑膠的缺點(diǎn)也比較突出，其缺點(diǎn)也制約了塑膠的應(yīng)用范圍，如不美觀、易老化、機(jī)械性能差、易碎易變型、耐熱差等。通過(guò)真空鍍膜機(jī)的應(yīng)用，使塑膠表面鍍上特定膜層，東莞匯成真空自主研發(fā)生產(chǎn)的蒸發(fā)真空鍍膜設(shè)備將鍍膜機(jī)材料和塑膠產(chǎn)呂完美結(jié)合，提高了塑膠制品的物理、化學(xué)性能。 一、改善表面硬度，原塑膠表面比金屬軟而易受損害，通過(guò)真空鍍膜，硬度及耐磨性增加； 二、使塑料表面有導(dǎo)電性； 三、容易清洗，不吸塵； 四、改善塑膠外觀，表面光滑，金屬感強(qiáng)，色澤光鮮，裝飾性提高。

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江陰典譽(yù)新材料科技有限公司地處江蘇省江陰市，是一家專業(yè)生產(chǎn)濺射靶材和蒸發(fā)材料的公司，濺射靶材充分借鑒國(guó)外的先進(jìn)技術(shù)，并通過(guò)與國(guó)內(nèi)外**研發(fā)機(jī)構(gòu)合作，整合各行業(yè)資源優(yōu)勢(shì)，生產(chǎn)出多系列***濺射靶材產(chǎn)品。 公司目前主要生產(chǎn)金屬，合金，陶瓷三大類靶材產(chǎn)品。經(jīng)過(guò)幾年的發(fā)展和技術(shù)積累，已經(jīng)擁有：真空熱壓，冷壓燒結(jié)，真空熔煉，熱等靜壓，等離子噴涂等技術(shù)。另外也可根據(jù)客戶要求研發(fā)新型靶材并提供靶材金屬化、綁定和背板服務(wù)。 江陰典譽(yù)新材料科技有限公司已為以下行業(yè)提供***的靶材：平面顯示、裝飾與工具、太陽(yáng)能光伏和光熱、電子和半導(dǎo)體、建筑與汽車玻璃大面積鍍膜等工業(yè)領(lǐng)域。同時(shí)也為國(guó)內(nèi)外各大院校和研究所提供了很多常規(guī)和新型的試驗(yàn)用靶材。 江陰典譽(yù)目前擁有真空熱壓爐兩臺(tái)，冷壓燒結(jié)爐一臺(tái)，真空熔煉設(shè)備兩臺(tái)，等靜壓設(shè)備一臺(tái)，等離子噴涂?jī)商祝壎ㄆ脚_(tái)兩套，各類機(jī)加工設(shè)備七臺(tái)，檢驗(yàn)設(shè)備若干，確保出廠的每件產(chǎn)品都能達(dá)到甚至超過(guò)客戶的預(yù)期。 江陰典譽(yù)秉承：“一切以客戶的需求為導(dǎo)向，客戶的所有需求一次做好?！钡陌l(fā)展理念。