ITO薄膜制作過程中的影響因素    ITO薄膜在濺鍍過程中會產(chǎn)生不同的特性，有時候表面光潔度比較低，出現(xiàn)“麻點”的現(xiàn)象，有時候會出現(xiàn)高蝕間隔帶，在蝕刻時還會出現(xiàn)直線放射型缺劃或電阻偏高帶，有時候會出現(xiàn)微晶溝縫。         常用的ITO靶材是通過燒結(jié)法生產(chǎn)的，就是由氧化銦（In2O3）和氧化錫（SnO2）粉末按照一定的比例進行混合，通常質(zhì)量比是90%In2O3和10% SnO2，形成的黑灰色陶瓷半導(dǎo)體（氧化銦錫，ITO）。一般通過外觀就可以了解ITO靶材的質(zhì)量，深灰色是好的，相反越黑質(zhì)量越差，我國生產(chǎn)的ITO靶材質(zhì)量還可以的是黑灰色的。         研究顯示，在真空鍍膜機ITO薄膜濺鍍過程中，使用磁控濺射的方式，基底溫度控制在200℃左右可以保證薄膜85%以上高可見光透過率下，電阻率達到低，而薄膜的結(jié)晶度也隨著基底溫度的提高而提高，晶粒尺寸也逐漸增大，超過200℃后透射率趨于減弱；使用電子束蒸鍍的方式，隨著退火溫度升高，晶粒尺寸變大，表面形貌均一穩(wěn)定，超過600℃后顆粒變得大小不一，形狀各異，小顆粒團聚現(xiàn)象嚴重，薄膜表面形貌破壞。采用閉環(huán)控制反應(yīng)氣體的通入量。蘇州NiCrCu靶材費用

靶材600呈長方體狀，其頂部表面為靶材濺射面610，底部表面為靶材焊接面620，所述靶材焊接面620貼合于背板表面上，所述靶材600通過所述靶材焊接面620與背板焊接固定。所述靶材600具有四個側(cè)壁表面630。靶材600具有十二條側(cè)棱601，各條側(cè)棱601均經(jīng)過圓角處理。在圓角處理前，所述靶材600的側(cè)棱601位置較為銳利。如果使用側(cè)棱未經(jīng)圓角處理的靶材600進行濺射鍍膜，在濺射鍍膜工藝過程中，所述靶材600的側(cè)棱601位置容易發(fā)生前列放電的現(xiàn)象，導(dǎo)致鍍膜的均勻性差，影響鍍膜質(zhì)量。圓角處理使得靶材側(cè)棱601鈍化，有助于防止前列放電現(xiàn)象的發(fā)生。鎮(zhèn)江B靶材貼合靶材綁定是指用焊料將靶材與背靶焊接起來。

直流磁控濺射制備鋅-銻熱電薄膜的技術(shù)探討 熱電材料是一種能夠?qū)崿F(xiàn)熱能和電能直接相互轉(zhuǎn)換的綠色環(huán)保型功能材料。近年來研究發(fā)現(xiàn)，熱電薄膜化有助于熱電材料減低熱導(dǎo)率，從而能夠有效的提高材料的熱電轉(zhuǎn)換效率，因此具有十分重要的科學(xué)研究價值。Zn-Sb合金是采用的P 型熱電半導(dǎo)體材料之一，但由于其較低的熱電優(yōu)值，所以沒有得到普遍的應(yīng)用。   但近幾年研究發(fā)現(xiàn)，在263 K~767K 溫度區(qū)間穩(wěn)定存在的β-Zn4Sb3 具有非常優(yōu)異的熱電性能，材料少含稀土材料以及可適用于中溫，被國內(nèi)外認為是具有前景的中溫?zé)犭姴牧现弧Ｒ虼?，本文選取純度為99.99%的Zn 和Sb 金屬靶作為靶材，采用直流磁控共濺射技術(shù)，制備Zn-Sb 合金熱電薄膜，研究不同熱處理條件下合成的Zn-Sb 化合物熱電薄膜的結(jié)構(gòu)與熱電特性變化規(guī)律。   結(jié)果表明，選取適當?shù)臑R射Zn和Sb的功率條件，濺射完成合金薄膜后在Ar 氣氛下進行623 K 退火熱處理，可形成具有單一β-Zn4Sb3相結(jié)構(gòu)的Zn-Sb 熱電薄膜，且薄膜顆粒大，較致密，所制備的熱電薄膜具有優(yōu)良的熱電性能。

釬焊：一般使用軟釬料的情況下，要求濺射功率小于20W/cm2，釬料常用In、Sn、In-Sn；導(dǎo)電膠：采用的導(dǎo)電膠要耐高溫，厚度在0.02-0.05um。二.綁定的適用范圍：建議綁定的靶材：ITO、SiO2、陶瓷脆性靶材及燒結(jié)靶材；錫、銦等軟金屬靶；靶材太薄、靶材太貴的情況等。但下列情況綁定有弊端：1.熔點低的靶材，像銦、硒等，金屬化的時候可能會變軟變形；2.貴金屬靶材，一是實際重量易出現(xiàn)分歧，二是金屬化以及解綁的時候都會有浪費料，建議墊一片銅片。三.背靶的選擇對材質(zhì)的要求：一般選用無氧銅和鉬靶，厚度在3mm左右；導(dǎo)電性好：常用無氧銅，無氧銅的導(dǎo)熱性比紫銅好；強度足夠：太薄，易變形，不易真空密封；結(jié)構(gòu)要求：空心或者實心結(jié)構(gòu)；厚度適中：3mm左右，太厚，消耗部分磁強；太薄，容易變形。壓靶蓋旋的過緊，沒有和靶材之間留下適當?shù)木嚯x，調(diào)整距離即可。

拋光片第二部分320呈弧狀，與經(jīng)圓角處理的靶材側(cè)棱相匹配，可對靶材側(cè)棱進行拋光。所述拋光片第三部分330表面為平整的平面，能夠?qū)Π胁膫?cè)壁表面進行拋光。因此所述靶材拋光裝置100能夠同時對靶材側(cè)壁表面及經(jīng)圓角處理的側(cè)棱進行拋光，有助于提高拋光作業(yè)效率。由于操作人員同時對靶材側(cè)壁表面及經(jīng)圓角處理的側(cè)棱進行拋光，因此操作人員施加在靶材側(cè)壁表面及側(cè)棱上的力度差異小，拋光工藝結(jié)束后，靶材側(cè)壁表面及經(jīng)圓角處理的側(cè)棱表面具有相近似甚至完全相同的平整度，使得拋光表面具有良好的均一性，有助于改善濺射鍍膜質(zhì)量。若分步驟對靶材側(cè)壁表面及經(jīng)圓角處理的側(cè)棱表面進行拋光，操作人員在兩個步驟中施加的力度容易差別較大，造成拋光處理后，靶材側(cè)壁表面與側(cè)棱表面粗糙度差異大，使得靶材側(cè)壁表面與側(cè)棱表面交接處具有臺階。在濺射鍍膜過程中，所述臺階容易導(dǎo)致前列放電，影響濺射鍍膜的均一性，造成鍍膜質(zhì)量差。在受到離子轟擊之后，釋放的二次電子數(shù)量增加，提高空間的導(dǎo)通能力，降低等離子體阻抗，導(dǎo)致濺射電壓降低。上海氮化鈦靶材綁定

濺射過程不影響靶材合金、混合材質(zhì)的比例和性質(zhì)。蘇州NiCrCu靶材費用

陰-陽極間距對靶濺射電壓的影響   真空氣體放電陰-陽極間距能夠?qū)Π袨R射電壓造成一定的影響。在陰-陽極間距偏大時，等效氣體放電的內(nèi)阻主要由等離子體等效內(nèi)阻決定，反之，在陰-陽極間距偏小時，將會導(dǎo)致等離子體放電的內(nèi)阻呈現(xiàn)較小數(shù)值。由于在磁控靶點火起輝后進入正常濺射時，如果陰-陽極間距過小，由于靶電源輸出的濺射電壓具有一定的軟負載特性，就有可能出現(xiàn)在濺射電流已達工藝設(shè)定值時，靶濺射電壓始終很低又調(diào)不起來的狀況?！肮に囆汀卑须娫纯梢愿纳坪蛷浹a這種狀況;而“經(jīng)濟型”靶電源對這種狀況無能為力。   1. 孿生靶(或雙磁控靶)陰-陽極間距   對稱雙極脈沖中頻靶電源和正弦波中頻靶電源帶孿生靶或雙磁控靶運行時，建議其兩交變陰-陽極的小極間距不應(yīng)小于2英2口寸;   2. 單磁控靶陰-陽極間距   靶電源帶單磁控靶運行時，一般都不存在這方面問題;但是，在小真空室?guī)чL矩形平面磁控單靶時容易忽略這個問題，磁控靶面與真空室金屬殼體內(nèi)壁的小極間距一般亦建議不小于2英2口寸。蘇州NiCrCu靶材費用

江陰典譽新材料科技有限公司地處江蘇省江陰市，是一家專業(yè)生產(chǎn)濺射靶材和蒸發(fā)材料的公司，濺射靶材充分借鑒國外的先進技術(shù)，并通過與國內(nèi)外**研發(fā)機構(gòu)合作，整合各行業(yè)資源優(yōu)勢，生產(chǎn)出多系列***濺射靶材產(chǎn)品。 公司目前主要生產(chǎn)金屬，合金，陶瓷三大類靶材產(chǎn)品。經(jīng)過幾年的發(fā)展和技術(shù)積累，已經(jīng)擁有：真空熱壓，冷壓燒結(jié)，真空熔煉，熱等靜壓，等離子噴涂等技術(shù)。另外也可根據(jù)客戶要求研發(fā)新型靶材并提供靶材金屬化、綁定和背板服務(wù)。 江陰典譽新材料科技有限公司已為以下行業(yè)提供***的靶材：平面顯示、裝飾與工具、太陽能光伏和光熱、電子和半導(dǎo)體、建筑與汽車玻璃大面積鍍膜等工業(yè)領(lǐng)域。同時也為國內(nèi)外各大院校和研究所提供了很多常規(guī)和新型的試驗用靶材。 江陰典譽目前擁有真空熱壓爐兩臺，冷壓燒結(jié)爐一臺，真空熔煉設(shè)備兩臺，等靜壓設(shè)備一臺，等離子噴涂兩套，綁定平臺兩套，各類機加工設(shè)備七臺，檢驗設(shè)備若干，確保出廠的每件產(chǎn)品都能達到甚至超過客戶的預(yù)期。 江陰典譽秉承：“一切以客戶的需求為導(dǎo)向，客戶的所有需求一次做好。”的發(fā)展理念。