純度：純度是靶材的主要性能指標(biāo)之一，因?yàn)榘胁牡募兌葘?duì)薄膜的性能影響很大。不過在實(shí)際應(yīng)用中，對(duì)靶材的純度要求也不盡相同。例如，隨著微電子行業(yè)的迅速發(fā)展，硅片尺寸由6”、 8”發(fā)展到12”, 而布線寬度由0.5um減小到0.25um,0.18um甚至0.13um，以前99.995%的靶材純度可以滿足0.35umIC的工藝要求，而制備0.18um線條對(duì)靶材純度則要求99.999%甚至99.9999%。

雜質(zhì)含量：靶材固體中的雜質(zhì)和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。不同用途的靶材對(duì)不同雜質(zhì)含量的要求也不同。例如，半導(dǎo)體工業(yè)用的純鋁及鋁合金靶材，對(duì)堿金屬含量和放射性元素含量都有特殊要求。  為了減少靶材固體中的氣孔，提高濺射薄膜的性能，通常要求靶材具有較高的密度。成都高熵合金靶材綁定

規(guī)格說明： 產(chǎn)品規(guī)格 靶材可定制 產(chǎn)品數(shù)量 1000 包裝說明 雙層真空包裝 價(jià)格說明 1000 ◆  產(chǎn)品說明： 高純靶,靶靶材鈀顆粒,鈀粉,鈀靶材 鈀，是銀白色過渡金屬，較軟，有良好的延展性和可塑性，能鍛造、壓延和拉絲。塊狀金屬鈀能吸收大量氫氣，使體積***脹大，變脆乃至破裂成碎片。 原 子 量：106.4 密  度（20℃）/g?cm-3：12.02 熔  點(diǎn)/℃：1552 蒸發(fā)溫度/℃：1460 沸  點(diǎn)/℃：3140 汽化溫度/℃：1317 比 電 阻 率（0℃）/uΩ?cm：10.6 熔 化 熱/kJ?mol-1：16.7 汽 化 熱/ kJ?mol-1：361.7 熱 導(dǎo) 率（0～100℃）/J?（cm?s?℃）-1：0.753 電阻溫度系 外  觀：銀白色 蒸 發(fā) 源（絲、片）：W（鍍Al2O3） 坩  堝：Al2O3 性  質(zhì)：與難溶金屬形成合金，閃爍蒸發(fā)，在EB 內(nèi)激烈飛濺，鈀是銀白色過渡金屬，較軟，有良好的延展性和可塑性，能鍛造、壓延和拉絲。塊狀金屬鈀能吸收大量氫氣，使體積***脹大，變脆乃至破裂成碎片?；瘜W(xué)性質(zhì)不活潑，常溫下在空氣和潮濕環(huán)境中穩(wěn)定，加熱至 800℃，鈀表面形成一氧化鈀薄膜。 成都鐵鈷靶材功能靶材的密度不僅影響濺射速率，還影響著薄膜的電學(xué)和光學(xué)性能。

所述靶材600具有十二條側(cè)棱601，各條側(cè)棱601均經(jīng)過圓角處理。在圓角處理前，所述靶材600的側(cè)棱601位置較為銳利。如果使用側(cè)棱未經(jīng)圓角處理的靶材600進(jìn)行濺射鍍膜，在濺射鍍膜工藝過程中，所述靶材600的側(cè)棱601位置容易發(fā)生前列放電的現(xiàn)象，導(dǎo)致鍍膜的均勻性差，影響鍍膜質(zhì)量。圓角處理使得靶材側(cè)棱601鈍化，有助于防止前列放電現(xiàn)象的發(fā)生。

利用所述靶材拋光裝置100對(duì)所述靶材600進(jìn)行拋光時(shí)，將所述靶材拋光裝置100放置于所述靶材600上，使所述拋光片第二部分320表面與所述靶材600的側(cè)棱601表面相貼合，并使所述拋光片部分310表面與所述靶材濺射面610相貼合，且所述拋光片第三部分330表面與所述靶材600的側(cè)壁表面630相貼合。操作人員利用所述把手推動(dòng)所述靶材拋光裝置100，所述靶材拋光裝置100相對(duì)所述靶材600移動(dòng)，移動(dòng)方向平行與被拋光的所述側(cè)棱601延伸方向。所述拋光片300表面的磨砂顆粒與靶材600表面相摩擦，以獲得光亮、平整的靶材600表面。

本實(shí)施例提供一種長壽命靶材組件，所述靶材表面的比較高點(diǎn)和比較低點(diǎn)的垂直距離為5.78mm；所述靶材表面的硬度為26hv；

其中，所述靶材的比較大厚度為22mm；所述靶材組件還包括用于固定靶材的背板；所述靶材呈凹形結(jié)構(gòu)；所述靶材包括用于濺射的濺射面；所述濺射面包括平面、第二平面和斜面；所述斜面與水平面的夾角為4°；所述斜面位于所述平面和第二平面之間；所述平面為圓形；所述第二平面為環(huán)形；所述靶材的材質(zhì)包括鈦；所述背板的材質(zhì)包括鋁。

所得靶材組件濺射強(qiáng)度好，使得濺射過程中薄膜厚度均勻，使用壽命增加。

對(duì)比例1

與實(shí)施例1的區(qū)別*在于所述靶材表面的比較高點(diǎn)和比較低點(diǎn)的垂直距離為5.5mm；所得靶材組件濺射強(qiáng)度差，使得濺射過程中薄膜厚度不均勻，使用壽命減少。

對(duì)比例2

與實(shí)施例1的區(qū)別*在于所述靶材表面的比較高點(diǎn)和比較低點(diǎn)的垂直距離為8mm；所得靶材組件濺射強(qiáng)度差，使得濺射過程中薄膜厚度不均勻，使用壽命減少。 采用閉環(huán)控制反應(yīng)氣體的通入量。

電致變色的工作原理：   電致變色材料在外加電場作用下發(fā)生電化學(xué)氧化還原反應(yīng)，得失電子，使材料的顏色發(fā)生變化電致變色器件的典型結(jié)構(gòu)器件結(jié)構(gòu)從上到下分別為：玻璃或透明基底材料、透明導(dǎo)電層（如：ITO）、電致變色層、電解質(zhì)層、離子存儲(chǔ)層、透明導(dǎo)電層（如：ITO）、玻璃或透明基底材料。器件工作時(shí)，在兩個(gè)透明導(dǎo)電層之間加上一定的電壓，電致變色層材料在電壓作用下發(fā)生氧化還原反應(yīng)，顏色發(fā)生變化；而電解質(zhì)層則由特殊的導(dǎo)電材料組成，如包含有高氯酸鋰、高氯酸納等的溶液或固體電解質(zhì)材料；離子存儲(chǔ)層在電致變色材料發(fā)生氧化還原反應(yīng)時(shí)起到儲(chǔ)存相應(yīng)的反離子，保持整個(gè)體系電荷平衡的作用，離子存儲(chǔ)層也可以為一種與前面一層電致變色材料變色性能相反的電致變色材料，這樣可以起到顏色疊加或互補(bǔ)的作用。如：電致變色層材料采用的是陽極氧化變色材料，則離子存儲(chǔ)層可采用陰極還原變色材料。如果反應(yīng)氣體量增加過度，化合物覆蓋面積增加。成都鐵鈷靶材功能

靶面金屬化合物的形成。成都高熵合金靶材綁定

PECVD 制備氫化非晶硅薄膜   本實(shí)驗(yàn)采用單晶硅片為襯底，按石英玻璃基片的清洗步驟清洗后烘干，然后置于PECVD系統(tǒng)中。樣品制備條件為襯底溫度250℃，工作氣壓120 Pa， 射頻功率100 W， 氣體流量SiH4/H2=15/5 sccm， 沉積時(shí)間30min， 制備得到a- Si：H 薄膜樣品。   (1) 非晶硅薄膜的表面粗糙度會(huì)隨著濺射功率的增大而增大，膜的均勻性將會(huì)變差;   (2) 非晶硅薄膜的表面粗糙度隨著襯底加熱溫度的增大而減小，非晶硅薄膜均勻性變好;   (3) 在0.5 Pa 至2.0 Pa范圍內(nèi)，隨著氬氣氣壓的增加非晶硅薄膜的表面粗糙度稍微變大;   (4) 隨著濺射時(shí)間的增加, 膜的厚度成非線性增加，沉積速率開始較快，之后逐漸減慢，膜的表面粗糙度逐漸變大;   (5)隨著濺射氣壓的增大，沉積速率有所降低。成都高熵合金靶材綁定

江陰典譽(yù)新材料科技有限公司地處江蘇省江陰市，是一家專業(yè)生產(chǎn)濺射靶材和蒸發(fā)材料的公司，濺射靶材充分借鑒國外的先進(jìn)技術(shù)，并通過與國內(nèi)外**研發(fā)機(jī)構(gòu)合作，整合各行業(yè)資源優(yōu)勢，生產(chǎn)出多系列***濺射靶材產(chǎn)品。 公司目前主要生產(chǎn)金屬，合金，陶瓷三大類靶材產(chǎn)品。經(jīng)過幾年的發(fā)展和技術(shù)積累，已經(jīng)擁有：真空熱壓，冷壓燒結(jié)，真空熔煉，熱等靜壓，等離子噴涂等技術(shù)。另外也可根據(jù)客戶要求研發(fā)新型靶材并提供靶材金屬化、綁定和背板服務(wù)。 江陰典譽(yù)新材料科技有限公司已為以下行業(yè)提供***的靶材：平面顯示、裝飾與工具、太陽能光伏和光熱、電子和半導(dǎo)體、建筑與汽車玻璃大面積鍍膜等工業(yè)領(lǐng)域。同時(shí)也為國內(nèi)外各大院校和研究所提供了很多常規(guī)和新型的試驗(yàn)用靶材。 江陰典譽(yù)目前擁有真空熱壓爐兩臺(tái)，冷壓燒結(jié)爐一臺(tái)，真空熔煉設(shè)備兩臺(tái)，等靜壓設(shè)備一臺(tái)，等離子噴涂兩套，綁定平臺(tái)兩套，各類機(jī)加工設(shè)備七臺(tái)，檢驗(yàn)設(shè)備若干，確保出廠的每件產(chǎn)品都能達(dá)到甚至超過客戶的預(yù)期。 江陰典譽(yù)秉承：“一切以客戶的需求為導(dǎo)向，客戶的所有需求一次做好?！钡陌l(fā)展理念。