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來源: 發(fā)布時(shí)間:2021-09-24

塊狀金屬鈀能吸收大量氫氣,使體積脹大,變脆乃至破裂成碎片?;瘜W(xué)性質(zhì)不活潑,常溫下在空氣和潮濕環(huán)境中穩(wěn)定,加熱至 800℃,鈀表面形成一氧化鈀薄膜。 二、主要產(chǎn)品: 1、鈀 顆粒 99.99% 常規(guī)尺寸:φ3*6mm;量大可定做 2、鈀 靶材 99.99%?  常規(guī)尺寸:φ50*1mm;φ60*3mm;φ76.2*4mm等,尺寸可定做 3、電鏡鈀片常規(guī)尺寸:φ57*0.1mm *0.2mm 4、鈀 箔片 99.9 2mm等,尺寸可定做 二、其他 : 打穿的鈀靶材、鈀殘料可提供回收再加工 。 回收流程如下: 稱重----清洗、提純---熔煉加工---靶材等成品 高純靶,靶靶材鈀顆粒,鈀粉,鈀靶材 產(chǎn)品編碼 產(chǎn)品名稱 規(guī)格 應(yīng)用 Sc-I4006 鈧 x 真空熔煉 Li-G30610 鋰 顆粒 99.9% φ6*10mm 真空熔煉 Sr-I2011 鍶 塊狀 99% 氮?dú)獍b 真空熔煉 Mg-G3514 鎂 顆粒 99.93% 4mm類球形 真空熔煉 Mg-I3503 鎂 塊狀 99.95%  200g/塊 真空熔煉 Fe-G3533 鐵 顆粒 99.95% φ3*3mm 真空熔煉 Cr-G3501 mm 真空熔煉 Al-G4066 鋁 顆粒 99.99% φ6*6mm 真空熔煉 Cu-G5033 銅 顆粒 99.999% φ3*3mm 真空熔煉 Cu-G3533 銅 顆粒 99.95% φ3*3mm 真空熔煉 Ti-G3033 鈦 顆粒 99.9% φ3*3mm 真空熔煉 Ni-G3025 鎳 顆粒 99.9% φ2*5mm 真空熔煉 V-G3015 釩 顆粒 99.9% 樹枝狀半導(dǎo)體工業(yè)用的純鋁及鋁合金靶材,對(duì)堿金屬含量和放射性元素含量都有特殊要求。杭州鎳靶哪家好

什么是DLC薄膜?類金剛石薄膜通常又被人們稱為DLC薄膜,是英文詞匯DiamondLikeCarbon的簡(jiǎn)稱,它是一類性質(zhì)近似于金剛石,具有高硬度,高電阻率。良好光學(xué)性能等,同時(shí)又具有自身獨(dú)特摩擦學(xué)特性的非晶碳薄膜。碳元素因碳原子和碳原子之間的不同結(jié)合方式,從而使其終產(chǎn)生不同的物質(zhì):金剛石(diamond)—碳碳以sp3鍵的形式結(jié)合;石墨(graphite)—碳碳以sp2鍵的形式結(jié)合。而類金剛石(DLC)—碳碳則是以sp3和sp2鍵的形式結(jié)合,生成的無定形碳的一種亞穩(wěn)定形態(tài),它沒有嚴(yán)格的定義,可以包括很寬性質(zhì)范圍的非晶碳,因此兼具了金剛石和石墨的優(yōu)良特性;所以由類金剛石而來的DLC膜同樣是一種亞穩(wěn)態(tài)長(zhǎng)程無序的非晶材料,碳原子間的鍵合方式是共價(jià)鍵,主要包含sp2和sp3兩種雜化鍵,而在含氫的DLC膜中還存在一定數(shù)量的C-H鍵。杭州鎳靶哪家好再用手轉(zhuǎn)緊對(duì)角線上的另外一顆鏍栓,如此重復(fù)直到安裝上所有鏍栓后,再用工具收緊。

濺射過程不影響靶材合金、混合材質(zhì)的比例和性質(zhì),所以如果是表面容易變質(zhì)的靶材,如果不拋光去除表面變質(zhì)部分,沉積到基材上的膜層性質(zhì)就是表面變質(zhì)的雜質(zhì)。

有一部分靶材在安裝之前需要拋光,比如鋁靶材等活性金屬靶材,長(zhǎng)期暴露在大氣中,表面容易形成一層氧化皮,在直流脈沖、中頻濺射過程中,離子撞擊的能量不足以破壞氧化皮,所以一般在濺射的時(shí)候進(jìn)行物理拋光。

一般靶材拋光后,濺射速率、電壓等工藝參數(shù)比較穩(wěn)定,容易控制。

所以結(jié)論就是,活性金屬靶材要求表面拋光,不活潑金屬靶材不一定非要求表面拋光。其他非金屬的靶材不需要拋光。

磁控濺射鍍膜生產(chǎn)ZnO∶Al(AZO)薄膜的工藝探討目前主要的薄膜太陽能電池有:碲化鎘(CdTe)系薄膜太陽能電池、硒銦銅(CIS)系薄膜太陽能電池、非晶硅系薄膜太陽能電池、晶硅系薄膜太陽能電池。研究人員研制出了價(jià)格低廉、原材料豐富且性能穩(wěn)定的絨面ZnO∶Al陷光結(jié)構(gòu)來作為薄膜太陽能電池的前電極。具有彈坑狀絨面結(jié)構(gòu)的AZO透明導(dǎo)電薄膜可以增強(qiáng)太陽光的散射作用,改善陷光效果,增加電池對(duì)太陽能的吸收量,提高薄膜太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。磁控濺射鍍膜工藝在玻璃襯底上制作AZO透明導(dǎo)電薄膜具有成膜速度快、膜層均勻、成膜面積大等優(yōu)點(diǎn),是較為合適的生產(chǎn)AZO薄膜的工藝方法。目前由磁控濺射工藝生產(chǎn)透明導(dǎo)電薄膜AZO時(shí)所用靶材有兩種類型:①陶瓷AZO靶材;②合金鋅鋁靶材。應(yīng)根據(jù)實(shí)際情況,選擇適合本企業(yè)的靶材產(chǎn)品。作為一種新的TCO材料,AZO相對(duì)于ITO和FTO有很大優(yōu)勢(shì),要大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化還必須在如何降低設(shè)備及工藝成本上進(jìn)一步研發(fā)。從根本上說,AZO薄膜的結(jié)構(gòu)性能的好壞決定了其光電性能的優(yōu)劣,必須在工藝參數(shù)上多做研究,實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量和低成本的雙贏。靶與地線之間短路 ----------關(guān)掉機(jī)器,把設(shè)備的濺射靶卸下來,靶附近的零件仔細(xì)清洗一下。

目前市場(chǎng)上常見的合金靶材有哪些? 鈦鋁靶材,TiAl靶材,鈦硅靶材,TiSi靶材,鈦鎢靶材,TiW靶材,鎢鈦靶材WTi靶材,鈦鋁硅靶材,TiAlSi靶材,鉻鋁靶材,CrAl靶材,鉻硅靶材,CrSi靶材,硅鋁靶材,SiAl靶材,鋅錫靶材,ZnSn靶材,鋅鋁靶材,ZnAl靶材,鋁銅靶材,AlCu靶材,鎳鉻靶材,NiCr靶材,鎳釩靶材,NiV靶材,鎳鐵靶材,NiFe靶材,鎳銅靶材,NiCu靶材,鐵鈷靶材,FeCo靶材,鈦鈮靶材,TiNb靶材,鈦鋯靶材,TiZr靶材,銦錫靶材,InSn靶材,銅鋯靶材,CuZr靶材,鎂鋅鈣靶材,MgZnCa靶材,鎳鉻銅靶材,NiCrCu靶材,鉬鈮靶材,MoNb靶材,鋁釹靶材,AlNd靶材,鋁鈧靶材,AlSc靶材,銀鋁靶材,AgAl靶材, 鉻鋁硅靶材,CrAlSi靶材,鏑鋁靶材,DyAl靶材,鈮鋯靶材,NbZr靶材等等。在一定功率的情況下,參與化合物生成的反應(yīng)氣體量增加,化合物生成率增加。無錫鋅鋁靶品牌

而是堆積在靶面上,容易產(chǎn)生冷場(chǎng)致弧光放電---打弧,使陰極濺射無法進(jìn)行下去。杭州鎳靶哪家好

利用原子力顯微鏡(AFM)和掃描電子顯微鏡(SEM),對(duì)所制備的非晶硅薄膜進(jìn)行了定性和定量的表征,研究了濺射功率、襯底溫度、濺射時(shí)間、氬氣氣壓等因素對(duì)非晶硅薄膜表面形貌和厚度的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:非晶硅薄膜的表面粗糙度會(huì)隨濺射功率、濺射時(shí)間和濺射氣壓的增加而增大,而隨著襯底加熱溫度的增加而減小。   對(duì)制備的非晶硅薄膜在不同溫度和時(shí)間進(jìn)行了退火處理。再利用X- 射線衍射儀(XRD)和拉曼光譜儀,對(duì)不同退火溫度的樣品進(jìn)行晶化程度的表征。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:不同條件制備的非晶硅薄膜在750℃退火1 h 后就已發(fā)生不同程度的晶化,并且直流磁控濺射制備的非晶硅薄膜比射頻磁控濺射制備的非晶硅薄膜更容易發(fā)生晶化;退火溫度越高,非晶硅薄膜晶化速率越快。   此外,通過拉曼激光誘導(dǎo)晶化,結(jié)果表明:拉曼激光誘導(dǎo)非晶硅晶化為局域晶化,具有晶化速度快的特點(diǎn);晶化過程中,需要控制激光強(qiáng)度,過強(qiáng)的激光會(huì)把非晶硅薄膜燒蝕掉。杭州鎳靶哪家好

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