導(dǎo)入網(wǎng)表（1）原理圖和PCB文件各自之一的設(shè)計，在原理圖中生成網(wǎng)表，并導(dǎo)入到新建PCBLayout文件中，確認(rèn)網(wǎng)表導(dǎo)入過程中無錯誤提示，確保原理圖和PCB的一致性。（2）原理圖和PCB文件為工程文件的，把創(chuàng)建的PCB文件的放到工程中，執(zhí)行更新網(wǎng)表操作。（3）將導(dǎo)入網(wǎng)表后的PCBLayout文件中所有器件無遺漏的全部平鋪放置，所有器件在PCBLAYOUT文件中可視范圍之內(nèi)。（4）為確保原理圖和PCB的一致性，需與客戶確認(rèn)軟件版本，設(shè)計時使用和客戶相同軟件版本。（5）不允許使用替代封裝，資料不齊全時暫停設(shè)計；如必須替代封裝，則替代封裝在絲印字符層寫上“替代”、字體大小和封裝體一樣。晶體電路布局布線要求有哪些？咸寧正規(guī)PCB設(shè)計多少錢

規(guī)則設(shè)置子流程：層疊設(shè)置→物理規(guī)則設(shè)置→間距規(guī)則設(shè)置→差分線規(guī)則設(shè)置→特殊區(qū)域規(guī)則設(shè)置→時序規(guī)則設(shè)置◆層疊設(shè)置：根據(jù)《PCB加工工藝要求說明書》上的層疊信息，在PCB上進行對應(yīng)的規(guī)則設(shè)置?！粑锢硪?guī)則設(shè)置（1）所有阻抗線線寬滿足《PCB加工工藝要求說明書》中的阻抗信息，非阻抗線外層6Mil,內(nèi)層5Mil。（2）電源/地線：線寬>=15Mil。（3）整板過孔種類≤2,且過孔孔環(huán)≥4Mil，Via直徑與《PCBLayout工藝參數(shù)》一致，板厚孔徑比滿足制造工廠或客戶要求，過孔設(shè)置按《PCBLayout工藝參數(shù)》要求?！糸g距規(guī)則設(shè)置：根據(jù)《PCBLayout工藝參數(shù)》中的間距要求設(shè)置間距規(guī)則，阻抗線距與《PCB加工工藝要求說明書》要求一致。此外，應(yīng)保證以下參數(shù)與《PCBLayout工藝參數(shù)》一致，以免短路：（1）內(nèi)外層導(dǎo)體到安裝孔或定位孔邊緣距離；（2）內(nèi)外層導(dǎo)體到郵票孔邊緣距離；（3）內(nèi)外層導(dǎo)體到V-CUT邊緣距離；（4）外層導(dǎo)體到導(dǎo)軌邊緣距離；（5）內(nèi)外層導(dǎo)體到板邊緣距離；◆差分線規(guī)則設(shè)置（1）滿足《PCB加工工藝要求說明書》中差分線的線寬/距要求。（2）差分線信號與任意信號的距離≥20Mil。鄂州定制PCB設(shè)計銷售整板布線的工藝技巧和規(guī)則。

射頻、中頻電路（3）射頻電路的PCBLAYOUT注意事項1、在同一個屏蔽腔體內(nèi)，布局時應(yīng)該按RF主信號流一字布局，由于空間限制，如果在同一個屏蔽腔內(nèi)，RF主信號的元器件不能采用一字布局時，可以采用L形布局，比較好不要用U字形布局，在使用U字形布局前，一定要對U形布局的輸出與輸入間的隔離度要做仔細(xì)分析，確保不會出問題。2、相同單元的布局要保證完全相同，例如TRX有多個接收通道和發(fā)射通道。3、布局時就要考慮RF主信號走向，和器件間的相互耦合作用。4、感性器件應(yīng)防止互感，與鄰近的電感垂直放置中的電感布局。5、把高功率RF放大器(HPA)和低噪音放大器(LNA)隔離開來，簡單地說，就是讓高功率RF發(fā)射電路遠(yuǎn)離低功率RF接收電路，或者讓它們交替工作，而不是同時工作，高功率電路有時還可包括RF緩沖器和壓控制振蕩器(VCO)。6、確保PCB板上高功率區(qū)至少有一整塊地，且沒有過孔，銅皮面積越大越好。7、RF輸出要遠(yuǎn)離RF輸入，或者采取屏蔽隔離措施，防止輸出信號串到輸入端。8、敏感的模擬信號應(yīng)該遠(yuǎn)離高速數(shù)字信號和RF信號。

存儲模塊介紹：存儲器分類在我們的設(shè)計用到的存儲器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細(xì)參數(shù)如下：DDR采用TSSOP封裝技術(shù)，而DDR2和DDR3內(nèi)存均采用FBGA封裝技術(shù)。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長方形，其優(yōu)點是成本低、工藝要求不高，缺點是傳導(dǎo)效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內(nèi)存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的三分之一，有效地縮短信號傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優(yōu)勢，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術(shù)來增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。制造工藝不斷提高，從DDR到DDR2再到DDR3內(nèi)存，其制造工藝都在不斷改善，更高工藝水平會使內(nèi)存電氣性能更好，成本更低；DDR內(nèi)存顆粒大范圍采用0.13微米制造工藝，而DDR2采用了0.09微米制造工藝，DDR3則采用了全新65nm制造工藝，而DDR4使用20nm以下的工藝來制造，從DDR～DDR4的具體參數(shù)如下表所示。在PCB設(shè)計中如何繪制結(jié)構(gòu)特殊區(qū)域及拼板？

等長線處理等長線處理的步驟：檢查規(guī)則設(shè)置→確定組內(nèi)長線段→等長線處理→鎖定等長線。（1）檢查組內(nèi)等長規(guī)則設(shè)置并確定組內(nèi)基準(zhǔn)線并鎖定。（2）單端蛇形線同網(wǎng)絡(luò)走線間距S≥3W，差分對蛇形線同網(wǎng)絡(luò)走線間距≥20Mil。（3）差分線對內(nèi)等長優(yōu)先在不匹配端做補償，其次在中間小凸起處理，且凸起高度＜1倍差分對內(nèi)間距，長度＞3倍差分線寬，（4）差分線對內(nèi)≤3.125G等長誤差≤5mil，＞3.125G等長誤差≤2mil。（5）DDR同組等長：DATA≤800M按±25mil，DATA＞800M按±5mil；ADDR按±100mil；DDR2的DQS和CLK按±500mil；QDR按±25mil；客戶有要求或者芯片有特殊要求時按特殊要求。（6）優(yōu)先在BGA區(qū)域之外做等長線處理。（7）有源端匹配的走線必須在靠近接收端一側(cè)B段做等長處理，（8）有末端匹配的走線在A段做等長線處理，禁止在分支B段做等長處理（9） T型拓?fù)渥呔€，優(yōu)先在主干走線A段做等長處理，同網(wǎng)絡(luò)分支走線B或C段長度＜主干線A段長度,且分支走線長度B、C段誤差≤10Mil，（10） Fly-By型拓?fù)渥呔€，優(yōu)先在主干走線A段做等長處理，分支線B、C、D、E段長度＜500Mil晶振電路的布局布線要求。襄陽了解PCB設(shè)計

時鐘驅(qū)動器的布局布線要求。咸寧正規(guī)PCB設(shè)計多少錢

Gerber輸出Gerber輸出前重新導(dǎo)入網(wǎng)表，保證終原理圖與PCB網(wǎng)表一致，確保Gerber輸出前“替代”封裝已更新，根據(jù)《PCBLayout檢查表》進行自檢后，進行Gerber輸出。PCBLayout在輸出Gerber階段的所有設(shè)置、操作、檢查子流程步驟如下：Gerber參數(shù)設(shè)置→生成Gerber文件→IPC網(wǎng)表自檢。（1）光繪格式RS274X，原點位置設(shè)置合理，光繪單位設(shè)置為英制，精度5:5（AD精度2:5）。（2）光繪各層種類齊全、每層內(nèi)容選擇正確，鉆孔表放置合理。（3）層名命名正確，前綴統(tǒng)一為布線層ART,電源層PWR，地層GND，與《PCB加工工藝要求說明書》保持一致。（4）檢查Drill層：（5）孔符層左上角添加CAD編號，每層光繪左下角添加各層層標(biāo)。（5）孔符層左上角添加CAD編號，每層光繪左下角添加各層層標(biāo)。（5）孔符層左上角添加CAD編號，每層光繪左下角添加各層層標(biāo)。（5）孔符層左上角添加CAD編號，每層光繪左下角添加各層層標(biāo)。（5）孔符層左上角添加CAD編號，每層光繪左下角添加各層層標(biāo)。咸寧正規(guī)PCB設(shè)計多少錢

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