DDRII新增特性，ODT（ On Die Termination）,DDR匹配放在PCB電路板上，而DDRII則把匹配直接設(shè)計(jì)到DRAM芯片內(nèi)部，用來(lái)改善信號(hào)品質(zhì)，這使得DDRII的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)較DDR簡(jiǎn)單，布局布線也相對(duì)較容易一些。說(shuō)明：ODT（On-Die Termination）即芯片內(nèi)部匹配終結(jié)，可以節(jié)省PCB面積，另一方面因?yàn)閿?shù)據(jù)線的串聯(lián)電阻位置很難兼顧讀寫(xiě)兩個(gè)方向的要求。而在DDR2芯片提供一個(gè)ODT引腳來(lái)控制芯片內(nèi)部終結(jié)電阻的開(kāi)關(guān)狀態(tài)。寫(xiě)操作時(shí)，DDR2作為接收端，ODT引腳為高電平打開(kāi)芯片內(nèi)部的終結(jié)電阻，讀操作時(shí)，DDR2作為發(fā)送端，ODT引腳為低電平關(guān)閉芯片內(nèi)部的終結(jié)電阻。ODT允許配置的阻值包括關(guān)閉、75Ω、150Ω、50Ω四種模式。ODT功能只針對(duì)DQ\DM\DQS等信號(hào)，而地址和控制仍然需要外部端接電阻。PCB設(shè)計(jì)布局以及整體思路。高速PCB設(shè)計(jì)報(bào)價(jià)

DDR與SDRAM信號(hào)的不同之處，1、DDR的數(shù)據(jù)信號(hào)與地址\控制信號(hào)是參考不同的時(shí)鐘信號(hào)，數(shù)據(jù)信號(hào)參考DQS選通信號(hào)，地址\控制信號(hào)參考CK\CK#差分時(shí)鐘信號(hào)；而SDRAM信號(hào)的數(shù)據(jù)、地址、控制信號(hào)是參考同一個(gè)時(shí)鐘信號(hào)。2、數(shù)據(jù)信號(hào)參考的時(shí)鐘信號(hào)即DQS信號(hào)是上升沿和下降沿都有效，即DQS信號(hào)的上升沿和下降沿都可以觸發(fā)和鎖存數(shù)據(jù)，而SDRAM的時(shí)鐘信號(hào)只有在上升沿有效，相對(duì)而言DDR的數(shù)據(jù)速率翻倍。3、DDR的數(shù)據(jù)信號(hào)通常分成幾組，如每8位數(shù)據(jù)信號(hào)加一位選通信號(hào)DQS組成一組，同一組的數(shù)據(jù)信號(hào)參考相同組里的選通信號(hào)。4、為DDRSDRAM接口同步工作示意圖，數(shù)據(jù)信號(hào)與選通信號(hào)分成多組，同組內(nèi)的數(shù)據(jù)信號(hào)參考同組內(nèi)的選通信號(hào)；地址、控制信號(hào)參考CK\CK#差分時(shí)鐘信號(hào)。鄂州PCB設(shè)計(jì)銷(xiāo)售晶體電路布局布線要求有哪些？

繪制各禁止布局、布線、限高、亮銅、挖空、銑切、開(kāi)槽、厚度削邊區(qū)域大小，形狀與結(jié)構(gòu)圖完全一致，所在層由各EDA軟件確定。對(duì)以上相應(yīng)區(qū)域設(shè)置如下特性：禁布區(qū)設(shè)置禁止布局、禁止布線屬性；限高區(qū)域設(shè)置對(duì)應(yīng)高度限制屬性；亮銅區(qū)域鋪相應(yīng)網(wǎng)絡(luò)屬性銅皮和加SolderMask；板卡金屬導(dǎo)軌按結(jié)構(gòu)圖要求鋪銅皮和加SolderMask，距導(dǎo)軌內(nèi)沿2mm范圍內(nèi)，禁止布線、打孔、放置器件。挖空、銑切、開(kāi)槽區(qū)域周邊0.5mm范圍增加禁止布局、布線區(qū)域，客戶(hù)有特殊要求除外。

電源、地處理，（1）不同電源、地網(wǎng)絡(luò)銅皮分割帶優(yōu)先≥20Mil，在BGA投影區(qū)域內(nèi)分隔帶小為10Mil。（2）開(kāi)關(guān)電源按器件資料單點(diǎn)接地，電感下不允許走線；（3）電源、地網(wǎng)絡(luò)銅皮的最小寬度處滿(mǎn)足電源、地電流大小的通流能力，參考4.8銅皮寬度通流表。（4）電源、地平面的換層處過(guò)孔數(shù)量必須滿(mǎn)足電流載流能力，參考4.8過(guò)孔孔徑通流表。（5）3個(gè)以上相鄰過(guò)孔反焊盤(pán)邊緣間距≥4Mil，禁止出現(xiàn)過(guò)孔割斷銅皮的情況，（6）模擬電源、模擬地只在模擬區(qū)域劃分，數(shù)字電源、數(shù)字地只在數(shù)字區(qū)域劃分，投影區(qū)域在所有層面禁止重疊，如下如圖所示。建議在模擬區(qū)域的所有平面層鋪模擬地處理（7）跨區(qū)信號(hào)線從模擬地和數(shù)字地的橋接處穿過(guò)（8）電源層相對(duì)地層內(nèi)縮必須≥20Mil，優(yōu)先40Mil（9）單板孤立銅皮要逐一確認(rèn)、不需要的要逐一刪除（10）室溫情況下，壓差在10V以上的網(wǎng)絡(luò)，同層必須滿(mǎn)足安規(guī)≥20Mil要求，壓差每增加1V,間距增加1Mil。（11）在疊層不對(duì)稱(chēng)時(shí)，信號(hào)層鋪電源、地網(wǎng)絡(luò)銅皮，且銅皮、銅線面積占整板總面積50%以上，以防止成品PCB翹曲。PCB設(shè)計(jì)中FPGA管腳的交換注意事項(xiàng)。

整板扇出（1）對(duì)板上已處理的表層線和過(guò)孔按照規(guī)則進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整。（2）格點(diǎn)優(yōu)先選用25Mil的，其次采用5Mil格點(diǎn)，過(guò)孔扇出在格點(diǎn)上，相同器件過(guò)孔走線采用復(fù)制方式，保證過(guò)孔上下左右對(duì)齊、常見(jiàn)分立器件的扇出形式（3）8MIL過(guò)孔中心間距35MIL以上，10MIL過(guò)孔中心間距40MIL以上，以免將平面層隔斷；差分過(guò)孔間距一般為30Mil（或過(guò)孔邊緣距為8Mil）。（4）芯片電源管腳先過(guò)電容再打過(guò)孔（5）所有電源/地管腳就近打孔，高速差分過(guò)孔附近30-50Mil內(nèi)加回流地孔，模塊內(nèi)通過(guò)表層線直連，無(wú)法連接的打過(guò)孔處理。（6）電源輸出過(guò)孔打在輸出濾波電容之后，電源輸入過(guò)孔扇出在輸入濾波電容之前，過(guò)孔數(shù)目滿(mǎn)足電源載流要求，過(guò)孔通流能力參照，地孔數(shù)不少于電源過(guò)孔數(shù)。PCB布局布線設(shè)計(jì)規(guī)則。鄂州PCB設(shè)計(jì)銷(xiāo)售

如何梳理PCB設(shè)計(jì)布局模塊框圖？高速PCB設(shè)計(jì)報(bào)價(jià)

添加特殊字符（1）靠近器件管腳擺放網(wǎng)絡(luò)名，擺放要求同器件字符，（2）板名、版本絲?。悍胖迷赑CB的元件面，水平放置，比元件位號(hào)絲印大（常規(guī)絲印字符寬度10Mil，高度80Mil）；扣板正反面都需要有板名絲印，方便識(shí)別。添加特殊絲?。?）條碼：條碼位置應(yīng)靠近PCB板名版本號(hào)，且長(zhǎng)邊必須與傳送方向平行，區(qū)域內(nèi)不能有焊盤(pán)直徑大于0.5mm的導(dǎo)通孔，如有導(dǎo)通孔則必須用綠油覆蓋。條碼位置必須符合以下要求，否則無(wú)法噴碼或貼標(biāo)簽。1、預(yù)留區(qū)域?yàn)橥繚M(mǎn)油墨的絲印區(qū)。2、尺寸為22.5mmX6.5mm。3、絲印區(qū)外20mm范圍內(nèi)不能有高度超過(guò)25mm的元器件。2）其他絲印：所有射頻PCB建議添加標(biāo)準(zhǔn)“RF”的絲印字樣。對(duì)于過(guò)波峰焊的過(guò)板方向有明確規(guī)定的PCB,如設(shè)計(jì)了偷錫焊盤(pán)、淚滴焊盤(pán)或器件焊接方向，需要用絲印標(biāo)示出過(guò)板方向。如果有扣板散熱器，要用絲印將扣板散熱器的輪廓按真實(shí)大小標(biāo)示出來(lái)。放靜電標(biāo)記的優(yōu)先位置是PCB的元件面，采用標(biāo)準(zhǔn)的封裝庫(kù)。在板名旁留出生產(chǎn)序列號(hào)的空間，字體格式、大小由客戶(hù)確認(rèn)。高速PCB設(shè)計(jì)報(bào)價(jià)

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