DDR的PCB布局、布線要求1、DDR數(shù)據(jù)信號(hào)線的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，在布局時(shí)保證緊湊的布局，即控制器與DDR芯片緊湊布局，需要注意DDR數(shù)據(jù)信號(hào)是雙向的，串聯(lián)端接電阻放在中間可以同時(shí)兼顧數(shù)據(jù)讀/寫(xiě)時(shí)良好的信號(hào)完整性。2、對(duì)于DDR信號(hào)數(shù)據(jù)信號(hào)DQ是參考選通信號(hào)DQS的，數(shù)據(jù)信號(hào)與選通信號(hào)是分組的；如8位數(shù)據(jù)DQ信號(hào)+1位數(shù)據(jù)掩碼DM信號(hào)+1位數(shù)據(jù)選通DQS信號(hào)組成一組，如是32位數(shù)據(jù)信號(hào)將分成4組，如是64位數(shù)據(jù)信號(hào)將分成8組，每組里面的所有信號(hào)在布局布線時(shí)要保持拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的一致性和長(zhǎng)度上匹配，這樣才能保證良好的信號(hào)完整性和時(shí)序匹配關(guān)系，要保證過(guò)孔數(shù)目相同。數(shù)據(jù)線同組（DQS、DM、DQ[7:0]）組內(nèi)等長(zhǎng)為20Mil，不同組的等長(zhǎng)范圍為200Mil，時(shí)鐘線和數(shù)據(jù)線的等長(zhǎng)范圍≤1000Mil。3、對(duì)于DDR信號(hào)，需要注意串?dāng)_的影響，布線時(shí)拉開(kāi)與同層相鄰信號(hào)的間距，時(shí)鐘線與其它線的間距要保證3W線寬，數(shù)據(jù)線與地址線和控制線的間距要保證3W線寬，數(shù)據(jù)線內(nèi)或地址線和控制線內(nèi)保證2W線寬；如果兩個(gè)信號(hào)層相鄰，要使相鄰兩層的信號(hào)走線正交。京曉科技與您分享PCB設(shè)計(jì)工藝以及技巧。襄陽(yáng)定制PCB設(shè)計(jì)報(bào)價(jià)

調(diào)整器件字符的方法還有：“1”、“O”、△、或者其他符號(hào)要放在對(duì)應(yīng)的1管腳處；對(duì)BGA器件用英文字母和阿拉伯?dāng)?shù)字構(gòu)成的矩陣方式表示。帶極性器件要把“+”或其他標(biāo)識(shí)放在正極旁；對(duì)于管腳較多的器件要每隔5個(gè)管腳或者收尾管腳都要標(biāo)出管腳號(hào)（6）對(duì)于二極管正極標(biāo)注的擺放需要特別注意：首先在原理圖中確認(rèn)正極對(duì)應(yīng)的管腳號(hào)（接高電壓），然后在PCB中，找到對(duì)應(yīng)的管腳，將正極極性標(biāo)識(shí)放在對(duì)應(yīng)的管腳旁邊7）穩(wěn)壓二級(jí)管是利用pn結(jié)反向擊穿狀態(tài)制成的二極管。所以正極標(biāo)注放在接低電壓的管腳處。荊州哪里的PCB設(shè)計(jì)哪家好如何創(chuàng)建PCB文件、設(shè)置庫(kù)路徑？

存儲(chǔ)模塊介紹：存儲(chǔ)器分類在我們的設(shè)計(jì)用到的存儲(chǔ)器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細(xì)參數(shù)如下：DDR采用TSSOP封裝技術(shù)，而DDR2和DDR3內(nèi)存均采用FBGA封裝技術(shù)。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長(zhǎng)方形，其優(yōu)點(diǎn)是成本低、工藝要求不高，缺點(diǎn)是傳導(dǎo)效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內(nèi)存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的三分之一，有效地縮短信號(hào)傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優(yōu)勢(shì)，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術(shù)來(lái)增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。制造工藝不斷提高，從DDR到DDR2再到DDR3內(nèi)存，其制造工藝都在不斷改善，更高工藝水平會(huì)使內(nèi)存電氣性能更好，成本更低；DDR內(nèi)存顆粒大范圍采用0.13微米制造工藝，而DDR2采用了0.09微米制造工藝，DDR3則采用了全新65nm制造工藝，而DDR4使用20nm以下的工藝來(lái)制造，從DDR～DDR4的具體參數(shù)如下表所示。

FPGA管換注意事項(xiàng)，首先和客戶確認(rèn)是否可以交換以及交換原則，其次，在FPGA交換管腳期間，不允許有原理圖的更改，如果原理圖要更改，在導(dǎo)入更改之后再調(diào)整管腳，管換的一般原則如下，在調(diào)整時(shí)應(yīng)嚴(yán)格意遵守：（1）基本原則：管腳不能調(diào)整，I/O管腳、Input管腳或者Output管腳可調(diào)整。（2）FPGA的同一BANK的供電電壓相同，如果兩個(gè)Bank電壓不同，則I/O管腳不能交換；如果電壓相同，應(yīng)優(yōu)先考慮在同一BANK內(nèi)交換，其次在BANK間交換。（3）對(duì)于全局時(shí)鐘管腳，只能在全局時(shí)鐘管腳間進(jìn)行調(diào)整，并與客戶進(jìn)行確認(rèn)。（4）差分信號(hào)對(duì)要關(guān)聯(lián)起來(lái)成對(duì)調(diào)整，成對(duì)調(diào)整，不能單根調(diào)整，即N和N調(diào)整，P和P調(diào)整。（5）在管腳調(diào)整以后，必須進(jìn)行檢查，查看交換的內(nèi)容是否滿足設(shè)計(jì)要求。（6）與調(diào)整管腳之前的PCB文件對(duì)比，生產(chǎn)交換管腳對(duì)比的表格給客戶確認(rèn)和修改原理圖文件。PCB設(shè)計(jì)布局的整體思路是什么？

工藝方面注意事項(xiàng)（1）質(zhì)量較大、體積較大的SMD器件不要兩面放置；（2）質(zhì)量較大的元器件放在板的中心；（3）可調(diào)元器件的布局要方便調(diào)試（如跳線、可變電容、電位器等）；（4）電解電容、鉭電容極性方向不超過(guò)2個(gè)；（5）SMD器件原點(diǎn)應(yīng)在器件中心，布局過(guò)程中如發(fā)現(xiàn)異常，通知客戶或封裝工程師更新PCB封裝。布局子流程為：模塊布局→整體布局→層疊方案→規(guī)則設(shè)置→整板扇出。模塊布局模塊布局子流程：模塊劃分→主芯片放置并扇出→RLC電路放置→時(shí)鐘電路放置。常見(jiàn)模塊布局參考5典型電路設(shè)計(jì)指導(dǎo)。PCB設(shè)計(jì)的整體模塊布局。黃石定制PCB設(shè)計(jì)批發(fā)

PCB布局設(shè)計(jì)中布線的設(shè)計(jì)技巧。襄陽(yáng)定制PCB設(shè)計(jì)報(bào)價(jià)

DDR2模塊相對(duì)于DDR內(nèi)存技術(shù)（有時(shí)稱為DDRI），DDRII內(nèi)存可進(jìn)行4bit預(yù)讀取。兩倍于標(biāo)準(zhǔn)DDR內(nèi)存的2BIT預(yù)讀取，這就意味著，DDRII擁有兩倍于DDR的預(yù)讀系統(tǒng)命令數(shù)據(jù)的能力，因此，DDRII則簡(jiǎn)單的獲得兩倍于DDR的完整的數(shù)據(jù)傳輸能力；DDR采用了支持2.5V電壓的SSTL-2電平標(biāo)準(zhǔn)，而DDRII采用了支持1.8V電壓的SSTL-18電平標(biāo)準(zhǔn)；DDR采用的是TSOP封裝，而DDRII采用的是FBGA封裝，相對(duì)于DDR，DDRII不僅獲得的更高的速度和更高的帶寬，而且在低功耗、低發(fā)熱量及電器穩(wěn)定性方面有著更好的表現(xiàn)。DDRII內(nèi)存技術(shù)比較大的突破點(diǎn)其實(shí)不在于用戶們所認(rèn)為的兩倍于DDR的傳輸能力，而是在采用更低發(fā)熱量、更低功耗的情況下，DDRII可以獲得更快的頻率提升，突破標(biāo)準(zhǔn)DDR的400MHZ限制。襄陽(yáng)定制PCB設(shè)計(jì)報(bào)價(jià)

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