射頻、中頻電路（3）射頻電路的PCBLAYOUT注意事項1、在同一個屏蔽腔體內(nèi)，布局時應(yīng)該按RF主信號流一字布局，由于空間限制，如果在同一個屏蔽腔內(nèi)，RF主信號的元器件不能采用一字布局時，可以采用L形布局，比較好不要用U字形布局，在使用U字形布局前，一定要對U形布局的輸出與輸入間的隔離度要做仔細分析，確保不會出問題。2、相同單元的布局要保證完全相同，例如TRX有多個接收通道和發(fā)射通道。3、布局時就要考慮RF主信號走向，和器件間的相互耦合作用。4、感性器件應(yīng)防止互感，與鄰近的電感垂直放置中的電感布局。5、把高功率RF放大器(HPA)和低噪音放大器(LNA)隔離開來，簡單地說，就是讓高功率RF發(fā)射電路遠離低功率RF接收電路，或者讓它們交替工作，而不是同時工作，高功率電路有時還可包括RF緩沖器和壓控制振蕩器(VCO)。6、確保PCB板上高功率區(qū)至少有一整塊地，且沒有過孔，銅皮面積越大越好。7、RF輸出要遠離RF輸入，或者采取屏蔽隔離措施，防止輸出信號串到輸入端。8、敏感的模擬信號應(yīng)該遠離高速數(shù)字信號和RF信號。SDRAM 的PCB布局布線要求是什么？湖北打造PCB設(shè)計怎么樣

繪制結(jié)構(gòu)特殊區(qū)域及拼板（1）設(shè)置允許布局區(qū)域：回流焊傳送邊的寬度要求為5mm以上,傳送邊上不能有貼片元器件；一般使用板框長邊用作回流焊傳送邊；短邊內(nèi)縮默認2mm，不小于1mm；如短邊作為傳送邊時，寬長比＞2:3；傳送邊進板方向不允許有缺口；傳送邊中間有缺口時長度不超過傳送邊1/3。特殊要求按照《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》要求進行，并記錄到《項目設(shè)計溝通記錄表》中。（2）設(shè)置允許布線區(qū)域：允許布線區(qū)域為從板框邊緣內(nèi)縮默認40Mil，不小于20Mil；特殊要求按照《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》要求進行，并記錄到《項目設(shè)計溝通記錄》中。（3）螺釘孔禁布區(qū)域由器件焊盤單邊向外擴大1mm，特殊要求按照《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》要求進行，并記錄到《項目設(shè)計溝通記錄》中。（4）PCB中Top及Bottom面各增加3個非對稱的Mark點，Mark點封裝由封裝組提供，1mm標準Mark點外邊沿距離傳送邊板邊間距≥5mm隨州正規(guī)PCB設(shè)計教程在布線過程中如何添加 ICT測試點？

ADC/DAC電路：（2）模擬地與數(shù)字地處理：大多數(shù)ADC、DAC往往依據(jù)數(shù)據(jù)手冊和提供的參考設(shè)計進行地分割處理，通常情況是將PCB地層分為模擬地AGND和數(shù)字地DGND，然后將二者單點連接，（3）模擬電源和數(shù)字電源當電源入口只有統(tǒng)一的數(shù)字地和數(shù)字電源時，在電源入口處通過將數(shù)字地加磁珠或電感，將數(shù)字地拆分成成模擬地；同樣在電源入口處將數(shù)字電源通過磁珠或電感拆分成模擬電源。負載端所有的數(shù)字電源都通過入口處數(shù)字電源生成、模擬電源都通過經(jīng)過磁珠或電感隔離后的模擬電源生成。如果在電源入口處（外部提供的電源）既有模擬地又有數(shù)字地、既有模擬電源又有數(shù)字電源，板子上所有的數(shù)字電源都用入口處的數(shù)字電源生成、模擬電源都用入口處的模擬電源生成。ADC和DAC器件的模擬電源一般采用LDO進行供電，因為其電流小、紋波小，而DC/DC會引入較大開關(guān)電源噪聲，嚴重影響ADC/DAC器件性能，因此，模擬電路應(yīng)該采用LDO進行供電。

ICT測試點添加ICT測試點添加注意事項：（1）測試點焊盤≥32mil；（2）測試點距離板邊緣≥3mm；（3）相鄰測試點的中心間距≥60Mil。（4）測試點邊緣距離非Chip器件本體邊緣≥20mil，Chip器件焊盤邊緣≥10mil，其它導體邊緣≥12mil。（5）整板必須有3個孔徑≥2mm的非金屬化定位孔，且在板子的對角線上非對稱放置。（6）優(yōu)先在焊接面添加ICT測試點，正面添加ICT測試點需經(jīng)客戶確認。（7）電源、地網(wǎng)絡(luò)添加ICT測試點至少3個以上且均勻放置。（8）優(yōu)先采用表貼焊盤測試點，其次采用通孔測試點，禁止直接將器件通孔管腳作為測試點使用。（9）優(yōu)先在信號線上直接添加測試點或者用扇出的過孔作為測試點，采用Stub方式添加ICT測試點時，Stub走線長不超過150Mil。（10）2.5Ghz以上的高速信號網(wǎng)絡(luò)禁止添加測試點。（11）測試點禁止在器件、散熱片、加固件、拉手條、接插件、壓接件、條形碼、標簽等正下方，以防止被器件或物件覆蓋。（12）差分信號增加測試點，必須對稱添加，即同時在差分線對的兩個網(wǎng)絡(luò)的同一個地方對稱加測試點DDR與SDRAM信號的不同之處在哪？

布線優(yōu)化布線優(yōu)化的步驟：連通性檢查→DRC檢查→STUB殘端走線及過孔檢查→跨分割走線檢查→走線串擾檢查→殘銅率檢查→走線角度檢查。（1）連通性檢查：整板連通性為100%，未連接網(wǎng)絡(luò)需確認并記錄《項目設(shè)計溝通記錄》中。（2）整板DRC檢查：對整板DRC進行檢查、修改、確認、記錄。（3）Stub殘端走線及過孔檢查：整板檢查Stub殘端走線及孤立過孔并刪除。（4）跨分割區(qū)域檢查：檢查所有分隔帶區(qū)域，并對在分隔帶上的阻抗線進行調(diào)整。（5）走線串擾檢查：所有相鄰層走線檢查并調(diào)整。（6）殘銅率檢查：對稱層需檢查殘銅率是否對稱并進行調(diào)整。（7）走線角度檢查：整板檢查直角、銳角走線。PCB設(shè)計工藝上的注意事項是什么？湖北打造PCB設(shè)計怎么樣

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DDRII新增特性，ODT（ On Die Termination）,DDR匹配放在PCB電路板上，而DDRII則把匹配直接設(shè)計到DRAM芯片內(nèi)部，用來改善信號品質(zhì)，這使得DDRII的拓撲結(jié)構(gòu)較DDR簡單，布局布線也相對較容易一些。說明：ODT（On-Die Termination）即芯片內(nèi)部匹配終結(jié)，可以節(jié)省PCB面積，另一方面因為數(shù)據(jù)線的串聯(lián)電阻位置很難兼顧讀寫兩個方向的要求。而在DDR2芯片提供一個ODT引腳來控制芯片內(nèi)部終結(jié)電阻的開關(guān)狀態(tài)。寫操作時，DDR2作為接收端，ODT引腳為高電平打開芯片內(nèi)部的終結(jié)電阻，讀操作時，DDR2作為發(fā)送端，ODT引腳為低電平關(guān)閉芯片內(nèi)部的終結(jié)電阻。ODT允許配置的阻值包括關(guān)閉、75Ω、150Ω、50Ω四種模式。ODT功能只針對DQ\DM\DQS等信號，而地址和控制仍然需要外部端接電阻。湖北打造PCB設(shè)計怎么樣

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