存儲(chǔ)模塊介紹：存儲(chǔ)器分類在我們的設(shè)計(jì)用到的存儲(chǔ)器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細(xì)參數(shù)如下：DDR采用TSSOP封裝技術(shù)，而DDR2和DDR3內(nèi)存均采用FBGA封裝技術(shù)。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長(zhǎng)方形，其優(yōu)點(diǎn)是成本低、工藝要求不高，缺點(diǎn)是傳導(dǎo)效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內(nèi)存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的三分之一，有效地縮短信號(hào)傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優(yōu)勢(shì)，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術(shù)來(lái)增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。制造工藝不斷提高，從DDR到DDR2再到DDR3內(nèi)存，其制造工藝都在不斷改善，更高工藝水平會(huì)使內(nèi)存電氣性能更好，成本更低；DDR內(nèi)存顆粒大范圍采用0.13微米制造工藝，而DDR2采用了0.09微米制造工藝，DDR3則采用了全新65nm制造工藝，而DDR4使用20nm以下的工藝來(lái)制造，從DDR～DDR4的具體參數(shù)如下表所示。PCB設(shè)計(jì)工藝上的注意事項(xiàng)是什么？十堰什么是PCB設(shè)計(jì)包括哪些

射頻、中頻電路（1）射頻電路★基本概念1、射頻：是電磁波按應(yīng)用劃分的定義,專指具有一定波長(zhǎng)可用于無(wú)線電通信的電磁波，射頻PCB可以定義為具有頻率在30MHz至6GHz范圍模擬信號(hào)的PCB。2、微帶線：是一種傳輸線類型。由平行而不相交的帶狀導(dǎo)體和接地平面構(gòu)成。微帶線的結(jié)構(gòu)如下圖中的圖1所示它是由導(dǎo)體條帶（在基片的一邊）和接地板（在基片的另一邊）所構(gòu)成的傳輸線。微帶線是由介質(zhì)基片，接地平板和導(dǎo)體條帶三部分組成。在微帶線中，電磁能量主要是集中在介質(zhì)基片中傳播的，3、屏蔽罩：是無(wú)線設(shè)備中普遍采用的屏蔽措施。其工作原理如下：當(dāng)在電磁發(fā)射源和需要保護(hù)的電路之間插入一高導(dǎo)電性金屬時(shí)，該金屬會(huì)反射和吸收部分輻射電場(chǎng)，反射與吸收的量取決于多種不同的因素，這些因素包括輻射的頻率，波長(zhǎng)，金屬本身的導(dǎo)電率和滲透性，以及該金屬與發(fā)射源的距離。4、模塊分腔的必要性：腔體內(nèi)腔器件間或RF信號(hào)布線間的典型隔離度約在50－70dB，對(duì)某些敏感電路，有強(qiáng)烈輻射源的電路模塊都要采取屏蔽或隔離措施，例如：a.接收電路前端、VCO電路的電源、環(huán)路濾波電路是敏感電路。b.發(fā)射的后級(jí)電路、功放的電路、數(shù)字信號(hào)處理電路、參考時(shí)鐘和晶體振蕩器是強(qiáng)烈的輻射源。黃岡打造PCB設(shè)計(jì)多少錢如何創(chuàng)建PCB文件、設(shè)置庫(kù)路徑？

結(jié)構(gòu)繪制結(jié)構(gòu)繪制子流程如下：繪制單板板框→繪制結(jié)構(gòu)特殊區(qū)域及拼板→放置固定結(jié)構(gòu)件。1.1.1繪制單板板框（1）將結(jié)構(gòu)圖直接導(dǎo)入PCB文件且測(cè)量尺寸，確認(rèn)結(jié)構(gòu)圖形中結(jié)構(gòu)尺寸單位為mm，顯示比例為1：1等大。（2）設(shè)計(jì)文件中，單位為mm，則精度為小數(shù)點(diǎn)后4位；單位為Mil，則精度為小數(shù)點(diǎn)后2位，兩種單位之間轉(zhuǎn)換至多一次，特殊要求記錄到《項(xiàng)目設(shè)計(jì)溝通記錄》中。（3）導(dǎo)入結(jié)構(gòu)圖形并命名。（4）導(dǎo)入的結(jié)構(gòu)圖形層命名方式為DXF_日期+版本，舉例：DXF_1031A1，線寬為0Mil。（5）結(jié)構(gòu)圖形導(dǎo)入后應(yīng)在EDA設(shè)計(jì)軟件視界正中，若偏移在一角，應(yīng)整體移動(dòng)結(jié)構(gòu)圖形，使之位于正中。（6）根據(jù)結(jié)構(gòu)圖形，繪制外形板框，板框與結(jié)構(gòu)文件完全一致且重合，并體現(xiàn)在EDA設(shè)計(jì)軟件顯示層。（7）確定坐標(biāo)原點(diǎn)，坐標(biāo)原點(diǎn)默認(rèn)為單板左邊與下邊延長(zhǎng)線的交點(diǎn)，坐標(biāo)原點(diǎn)有特殊要求的記錄到《項(xiàng)目設(shè)計(jì)溝通記錄》中。（8）對(duì)板邊的直角進(jìn)行倒角處理，倒角形狀、大小依據(jù)結(jié)構(gòu)圖繪制，如無(wú)特殊要求，默認(rèn)倒圓角半徑為1.5mm，工藝邊外沿默認(rèn)倒圓角，半徑為1.5mm并記錄到《項(xiàng)目設(shè)計(jì)溝通記錄》郵件通知客戶確認(rèn)。（9）板框繪制完畢，賦予其不可移動(dòng)，不可編輯屬性。

工藝方面注意事項(xiàng)（1）質(zhì)量較大、體積較大的SMD器件不要兩面放置；（2）質(zhì)量較大的元器件放在板的中心；（3）可調(diào)元器件的布局要方便調(diào)試（如跳線、可變電容、電位器等）；（4）電解電容、鉭電容極性方向不超過(guò)2個(gè)；（5）SMD器件原點(diǎn)應(yīng)在器件中心，布局過(guò)程中如發(fā)現(xiàn)異常，通知客戶或封裝工程師更新PCB封裝。布局子流程為：模塊布局→整體布局→層疊方案→規(guī)則設(shè)置→整板扇出。模塊布局模塊布局子流程：模塊劃分→主芯片放置并扇出→RLC電路放置→時(shí)鐘電路放置。常見(jiàn)模塊布局參考5典型電路設(shè)計(jì)指導(dǎo)。PCB設(shè)計(jì)中PCI-E接口通用設(shè)計(jì)要求有哪些？

 射頻、中頻電路（2）屏蔽腔的設(shè)計(jì)1、應(yīng)把不同模塊的射頻單元用腔體隔離，特別是敏感電路和強(qiáng)烈輻射源之間，在大功率多級(jí)放大器中，也應(yīng)保證級(jí)與級(jí)之間隔開(kāi)。2、印刷電路板的腔體應(yīng)做開(kāi)窗處理、方便焊接屏蔽殼。3、在屏蔽腔體上設(shè)計(jì)兩排開(kāi)窗過(guò)孔屏，過(guò)孔應(yīng)相互錯(cuò)開(kāi)，同排過(guò)孔間距為150Mil。4、在腔體的拐角處應(yīng)設(shè)計(jì)3mm的金屬化固定孔，保證其固定屏蔽殼。5、腔體的周邊為密封的，一般接口的線要引入腔體里采用帶狀線的結(jié)構(gòu)；而腔體內(nèi)部不同模塊之間可以采用微帶線的結(jié)構(gòu)，這樣內(nèi)部的屏蔽腔采用開(kāi)槽處理，開(kāi)槽的寬度一般為3mm、微帶線走在中間。6、屏蔽罩設(shè)計(jì)實(shí)例什么是模擬電源和數(shù)字電源？荊州常規(guī)PCB設(shè)計(jì)怎么樣

時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器的布局布線要求。十堰什么是PCB設(shè)計(jì)包括哪些

繪制結(jié)構(gòu)特殊區(qū)域及拼板（1）設(shè)置允許布局區(qū)域：回流焊?jìng)魉瓦叺膶挾纫鬄?mm以上,傳送邊上不能有貼片元器件；一般使用板框長(zhǎng)邊用作回流焊?jìng)魉瓦?；短邊?nèi)縮默認(rèn)2mm，不小于1mm；如短邊作為傳送邊時(shí)，寬長(zhǎng)比＞2:3；傳送邊進(jìn)板方向不允許有缺口；傳送邊中間有缺口時(shí)長(zhǎng)度不超過(guò)傳送邊1/3。特殊要求按照《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》要求進(jìn)行，并記錄到《項(xiàng)目設(shè)計(jì)溝通記錄表》中。（2）設(shè)置允許布線區(qū)域：允許布線區(qū)域?yàn)閺陌蹇蜻吘墐?nèi)縮默認(rèn)40Mil，不小于20Mil；特殊要求按照《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》要求進(jìn)行，并記錄到《項(xiàng)目設(shè)計(jì)溝通記錄》中。（3）螺釘孔禁布區(qū)域由器件焊盤(pán)單邊向外擴(kuò)大1mm，特殊要求按照《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》要求進(jìn)行，并記錄到《項(xiàng)目設(shè)計(jì)溝通記錄》中。（4）PCB中Top及Bottom面各增加3個(gè)非對(duì)稱的Mark點(diǎn)，Mark點(diǎn)封裝由封裝組提供，1mm標(biāo)準(zhǔn)Mark點(diǎn)外邊沿距離傳送邊板邊間距≥5mm十堰什么是PCB設(shè)計(jì)包括哪些

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