存儲模塊介紹：存儲器分類在我們的設(shè)計用到的存儲器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細參數(shù)如下：DDR采用TSSOP封裝技術(shù)，而DDR2和DDR3內(nèi)存均采用FBGA封裝技術(shù)。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長方形，其優(yōu)點是成本低、工藝要求不高，缺點是傳導(dǎo)效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內(nèi)存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的三分之一，有效地縮短信號傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優(yōu)勢，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術(shù)來增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。制造工藝不斷提高，從DDR到DDR2再到DDR3內(nèi)存，其制造工藝都在不斷改善，更高工藝水平會使內(nèi)存電氣性能更好，成本更低；DDR內(nèi)存顆粒大范圍采用0.13微米制造工藝，而DDR2采用了0.09微米制造工藝，DDR3則采用了全新65nm制造工藝，而DDR4使用20nm以下的工藝來制造，從DDR～DDR4的具體參數(shù)如下表所示。布線優(yōu)化的工藝技巧有哪些？湖北高效PCB設(shè)計銷售

Gerber輸出Gerber輸出前重新導(dǎo)入網(wǎng)表，保證終原理圖與PCB網(wǎng)表一致，確保Gerber輸出前“替代”封裝已更新，根據(jù)《PCBLayout檢查表》進行自檢后，進行Gerber輸出。PCBLayout在輸出Gerber階段的所有設(shè)置、操作、檢查子流程步驟如下：Gerber參數(shù)設(shè)置→生成Gerber文件→IPC網(wǎng)表自檢。（1）光繪格式RS274X，原點位置設(shè)置合理，光繪單位設(shè)置為英制，精度5:5（AD精度2:5）。（2）光繪各層種類齊全、每層內(nèi)容選擇正確，鉆孔表放置合理。（3）層名命名正確，前綴統(tǒng)一為布線層ART,電源層PWR，地層GND，與《PCB加工工藝要求說明書》保持一致。（4）檢查Drill層：（5）孔符層左上角添加CAD編號，每層光繪左下角添加各層層標。（5）孔符層左上角添加CAD編號，每層光繪左下角添加各層層標。（5）孔符層左上角添加CAD編號，每層光繪左下角添加各層層標。（5）孔符層左上角添加CAD編號，每層光繪左下角添加各層層標。（5）孔符層左上角添加CAD編號，每層光繪左下角添加各層層標。高效PCB設(shè)計教程如何梳理PCB設(shè)計布局模塊框圖？

ADC/DAC電路：（4）隔離處理：隔離腔體應(yīng)做開窗處理、方便焊接屏蔽殼，在屏蔽腔體上設(shè)計兩排開窗過孔屏蔽，過孔應(yīng)相互錯開，同排過孔間距為150Mil。，在腔體的拐角處應(yīng)設(shè)計3mm的金屬化固定孔，保證其固定屏蔽殼，隔離腔體內(nèi)的器件與屏蔽殼的間距＞0.5mm。如圖6-1-2-4所示。腔體的周邊為密封的，接口的線要引入腔體里采用帶狀線的結(jié)構(gòu)；而腔體內(nèi)部不同模塊之間可以采用微帶線的結(jié)構(gòu)，這樣內(nèi)部的屏蔽腔采用開槽處理，開槽的寬度一般為3mm、微帶線走在中間。（5）布線原則1、首先參考射頻信號的處理原則。2、嚴格按照原理圖的順序進行ADC和DAC前端電路布線。3、空間允許的情況下，模擬信號采用包地處理，包地要間隔≥200Mil打地過孔4、ADC和DAC電源管腳比較好經(jīng)過電容再到電源管腳，線寬≥20Mil，對于管腳比較細的器件，出線寬度與管腳寬度一致。5、模擬信號優(yōu)先采用器件面直接走線，線寬≥10Mil，對50歐姆單端線、100歐姆差分信號要采用隔層參考，在保證阻抗的同時，以降低模擬輸入信號的衰減損耗，6、不同ADC/DAC器件的采樣時鐘彼此之間需要做等長處理。7、當信號線必須要跨分割時，跨接點選擇在跨接磁珠（或者0歐姆電阻）處。

放置固定結(jié)構(gòu)件（1）各固定器件坐標、方向、1腳位置、頂?shù)讓臃胖门c結(jié)構(gòu)圖固定件完全一致，并將器件按照結(jié)構(gòu)圖形對應(yīng)放置。（2）當有如下列情形時，需將問題描述清楚并記錄到《項目設(shè)計溝通記錄》中，同時郵件通知客戶修改確認。結(jié)構(gòu)圖形與部分管腳不能完全重合；結(jié)構(gòu)圖形1腳標識與封裝1腳焊盤指示不符；結(jié)構(gòu)圖形指示孔徑與封裝孔徑不符；文字描述、標注尺寸等和結(jié)構(gòu)圖實際不一致；其他有疑問的地方。（3）安裝孔坐標、孔徑、頂?shù)讓优c結(jié)構(gòu)圖完全一致。（4）安裝孔、定位孔為NPTH且保留焊環(huán)時，焊環(huán)離孔距離8Mil以上，焊盤單邊比孔大33mil（5）固定結(jié)構(gòu)件放置完畢后，對器件賦予不可移動屬性。（6）在孔符層進行尺寸標注，標注單位為公制（mm），精度小數(shù)點后2位，尺寸公差根據(jù)客戶結(jié)構(gòu)圖要求。（7）工藝邊或者拼版如使用V-CUT，需進行標注。（8）如設(shè)計過程中更改結(jié)構(gòu)，按照結(jié)構(gòu)重新繪制板框、繪制結(jié)構(gòu)特殊區(qū)域和放置固定構(gòu)件?？蛻魺o具體的結(jié)構(gòu)要求時，應(yīng)根據(jù)情況記錄到《項目設(shè)計溝通記錄》中。（9）子卡、母卡對插/扣設(shè)計PCB設(shè)計常用規(guī)則之Gerber參數(shù)設(shè)置。

電源、地處理，（1）不同電源、地網(wǎng)絡(luò)銅皮分割帶優(yōu)先≥20Mil，在BGA投影區(qū)域內(nèi)分隔帶小為10Mil。（2）開關(guān)電源按器件資料單點接地，電感下不允許走線；（3）電源、地網(wǎng)絡(luò)銅皮的最小寬度處滿足電源、地電流大小的通流能力，參考4.8銅皮寬度通流表。（4）電源、地平面的換層處過孔數(shù)量必須滿足電流載流能力，參考4.8過孔孔徑通流表。（5）3個以上相鄰過孔反焊盤邊緣間距≥4Mil，禁止出現(xiàn)過孔割斷銅皮的情況，（6）模擬電源、模擬地只在模擬區(qū)域劃分，數(shù)字電源、數(shù)字地只在數(shù)字區(qū)域劃分，投影區(qū)域在所有層面禁止重疊，如下如圖所示。建議在模擬區(qū)域的所有平面層鋪模擬地處理（7）跨區(qū)信號線從模擬地和數(shù)字地的橋接處穿過（8）電源層相對地層內(nèi)縮必須≥20Mil，優(yōu)先40Mil（9）單板孤立銅皮要逐一確認、不需要的要逐一刪除（10）室溫情況下，壓差在10V以上的網(wǎng)絡(luò)，同層必須滿足安規(guī)≥20Mil要求，壓差每增加1V,間距增加1Mil。（11）在疊層不對稱時，信號層鋪電源、地網(wǎng)絡(luò)銅皮，且銅皮、銅線面積占整板總面積50%以上，以防止成品PCB翹曲。整板布線的工藝技巧和規(guī)則。鄂州正規(guī)PCB設(shè)計規(guī)范

射頻、中頻電路的基本概念是什么？湖北高效PCB設(shè)計銷售

布線，PCBLAYOUT在此階段的所有布線必須符合《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》、《PCBLayout工藝參數(shù)》、《PCB加工工藝要求說明書》對整板布線約束的要求。同時也應(yīng)該符合客戶對過孔工藝、小線寬線距等的特殊要求，無法滿足時需和客戶客戶溝通并記錄到《設(shè)計中心溝通記錄》郵件通知客戶確認。布線的流程步驟如下：關(guān)鍵信號布線→整板布線→ICT測試點添加→電源、地處理→等長線處理→布線優(yōu)化，關(guān)鍵信號布線關(guān)鍵信號布線的順序：射頻信號→中頻、低頻信號→時鐘信號→高速信號。關(guān)鍵信號的布線應(yīng)該遵循如下基本原則：★優(yōu)先選擇參考平面是地平面的信號層走線?！镆勒詹季智闆r短布線?！镒呔€間距單端線必須滿足3W以上，差分線對間距必須滿足20Mil以上湖北高效PCB設(shè)計銷售

武漢京曉科技有限公司是一家有著雄厚實力背景、信譽可靠、勵精圖治、展望未來、有夢想有目標，有組織有體系的公司，堅持于帶領(lǐng)員工在未來的道路上大放光明，攜手共畫藍圖，在湖北省等地區(qū)的電工電氣行業(yè)中積累了大批忠誠的客戶粉絲源，也收獲了良好的用戶口碑，為公司的發(fā)展奠定的良好的行業(yè)基礎(chǔ)，也希望未來公司能成為*****，努力為行業(yè)領(lǐng)域的發(fā)展奉獻出自己的一份力量，我們相信精益求精的工作態(tài)度和不斷的完善創(chuàng)新理念以及自強不息，斗志昂揚的的企業(yè)精神將**武漢京曉科技供應(yīng)和您一起攜手步入輝煌，共創(chuàng)佳績，一直以來，公司貫徹執(zhí)行科學管理、創(chuàng)新發(fā)展、誠實守信的方針，員工精誠努力，協(xié)同奮取，以品質(zhì)、服務(wù)來贏得市場，我們一直在路上！