結(jié)構(gòu)繪制結(jié)構(gòu)繪制子流程如下:繪制單板板框→繪制結(jié)構(gòu)特殊區(qū)域及拼板→放置固定結(jié)構(gòu)件。1.1.1繪制單板板框(1)將結(jié)構(gòu)圖直接導(dǎo)入PCB文件且測(cè)量尺寸,確認(rèn)結(jié)構(gòu)圖形中結(jié)構(gòu)尺寸單位為mm,顯示比例為1:1等大。(2)設(shè)計(jì)文件中,單位為mm,則精度為小數(shù)點(diǎn)后4位;單位為Mil,則精度為小數(shù)點(diǎn)后2位,兩種單位之間轉(zhuǎn)換至多一次,特殊要求記錄到《項(xiàng)目設(shè)計(jì)溝通記錄》中。(3)導(dǎo)入結(jié)構(gòu)圖形并命名。(4)導(dǎo)入的結(jié)構(gòu)圖形層命名方式為DXF_日期+版本,舉例:DXF_1031A1,線寬為0Mil。(5)結(jié)構(gòu)圖形導(dǎo)入后應(yīng)在EDA設(shè)計(jì)軟件視界正中,若偏移在一角,應(yīng)整體移動(dòng)結(jié)構(gòu)圖形,使之位于正中。(6)根據(jù)結(jié)構(gòu)圖形,繪制外形板框,板框與結(jié)構(gòu)文件完全一致且重合,并體現(xiàn)在EDA設(shè)計(jì)軟件顯示層。(7)確定坐標(biāo)原點(diǎn),坐標(biāo)原點(diǎn)默認(rèn)為單板左邊與下邊延長(zhǎng)線的交點(diǎn),坐標(biāo)原點(diǎn)有特殊要求的記錄到《項(xiàng)目設(shè)計(jì)溝通記錄》中。(8)對(duì)板邊的直角進(jìn)行倒角處理,倒角形狀、大小依據(jù)結(jié)構(gòu)圖繪制,如無(wú)特殊要求,默認(rèn)倒圓角半徑為1.5mm,工藝邊外沿默認(rèn)倒圓角,半徑為1.5mm并記錄到《項(xiàng)目設(shè)計(jì)溝通記錄》郵件通知客戶確認(rèn)。(9)板框繪制完畢,賦予其不可移動(dòng),不可編輯屬性。京曉科技給您分享屏蔽罩設(shè)計(jì)的具體實(shí)例。隨州了解PCB設(shè)計(jì)報(bào)價(jià)
存儲(chǔ)模塊介紹:存儲(chǔ)器分類在我們的設(shè)計(jì)用到的存儲(chǔ)器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等,其中DDR系列用的是多的,其DDR-DDR4的詳細(xì)參數(shù)如下:DDR采用TSSOP封裝技術(shù),而DDR2和DDR3內(nèi)存均采用FBGA封裝技術(shù)。TSSOP封裝的外形尺寸較大,呈長(zhǎng)方形,其優(yōu)點(diǎn)是成本低、工藝要求不高,缺點(diǎn)是傳導(dǎo)效果差,容易受干擾,散熱不理想,而FBGA內(nèi)存顆粒精致小巧,體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的三分之一,有效地縮短信號(hào)傳輸距離,在抗干擾、散熱等方面更有優(yōu)勢(shì),而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術(shù)來(lái)增大單顆芯片容量,封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。制造工藝不斷提高,從DDR到DDR2再到DDR3內(nèi)存,其制造工藝都在不斷改善,更高工藝水平會(huì)使內(nèi)存電氣性能更好,成本更低;DDR內(nèi)存顆粒大范圍采用0.13微米制造工藝,而DDR2采用了0.09微米制造工藝,DDR3則采用了全新65nm制造工藝,而DDR4使用20nm以下的工藝來(lái)制造,從DDR~DDR4的具體參數(shù)如下表所示。十堰專業(yè)PCB設(shè)計(jì)京曉科技帶您梳理PCB設(shè)計(jì)中的各功能要求。
放置固定結(jié)構(gòu)件(1)各固定器件坐標(biāo)、方向、1腳位置、頂?shù)讓臃胖门c結(jié)構(gòu)圖固定件完全一致,并將器件按照結(jié)構(gòu)圖形對(duì)應(yīng)放置。(2)當(dāng)有如下列情形時(shí),需將問(wèn)題描述清楚并記錄到《項(xiàng)目設(shè)計(jì)溝通記錄》中,同時(shí)郵件通知客戶修改確認(rèn)。結(jié)構(gòu)圖形與部分管腳不能完全重合;結(jié)構(gòu)圖形1腳標(biāo)識(shí)與封裝1腳焊盤(pán)指示不符;結(jié)構(gòu)圖形指示孔徑與封裝孔徑不符;文字描述、標(biāo)注尺寸等和結(jié)構(gòu)圖實(shí)際不一致;其他有疑問(wèn)的地方。(3)安裝孔坐標(biāo)、孔徑、頂?shù)讓优c結(jié)構(gòu)圖完全一致。(4)安裝孔、定位孔為NPTH且保留焊環(huán)時(shí),焊環(huán)離孔距離8Mil以上,焊盤(pán)單邊比孔大33mil(5)固定結(jié)構(gòu)件放置完畢后,對(duì)器件賦予不可移動(dòng)屬性。(6)在孔符層進(jìn)行尺寸標(biāo)注,標(biāo)注單位為公制(mm),精度小數(shù)點(diǎn)后2位,尺寸公差根據(jù)客戶結(jié)構(gòu)圖要求。(7)工藝邊或者拼版如使用V-CUT,需進(jìn)行標(biāo)注。(8)如設(shè)計(jì)過(guò)程中更改結(jié)構(gòu),按照結(jié)構(gòu)重新繪制板框、繪制結(jié)構(gòu)特殊區(qū)域和放置固定構(gòu)件??蛻魺o(wú)具體的結(jié)構(gòu)要求時(shí),應(yīng)根據(jù)情況記錄到《項(xiàng)目設(shè)計(jì)溝通記錄》中。(9)子卡、母卡對(duì)插/扣設(shè)計(jì)
射頻、中頻電路(1)射頻電路★基本概念1、射頻:是電磁波按應(yīng)用劃分的定義,專指具有一定波長(zhǎng)可用于無(wú)線電通信的電磁波,射頻PCB可以定義為具有頻率在30MHz至6GHz范圍模擬信號(hào)的PCB。2、微帶線:是一種傳輸線類型。由平行而不相交的帶狀導(dǎo)體和接地平面構(gòu)成。微帶線的結(jié)構(gòu)如下圖中的圖1所示它是由導(dǎo)體條帶(在基片的一邊)和接地板(在基片的另一邊)所構(gòu)成的傳輸線。微帶線是由介質(zhì)基片,接地平板和導(dǎo)體條帶三部分組成。在微帶線中,電磁能量主要是集中在介質(zhì)基片中傳播的,3、屏蔽罩:是無(wú)線設(shè)備中普遍采用的屏蔽措施。其工作原理如下:當(dāng)在電磁發(fā)射源和需要保護(hù)的電路之間插入一高導(dǎo)電性金屬時(shí),該金屬會(huì)反射和吸收部分輻射電場(chǎng),反射與吸收的量取決于多種不同的因素,這些因素包括輻射的頻率,波長(zhǎng),金屬本身的導(dǎo)電率和滲透性,以及該金屬與發(fā)射源的距離。4、模塊分腔的必要性:腔體內(nèi)腔器件間或RF信號(hào)布線間的典型隔離度約在50-70dB,對(duì)某些敏感電路,有強(qiáng)烈輻射源的電路模塊都要采取屏蔽或隔離措施,例如:a.接收電路前端、VCO電路的電源、環(huán)路濾波電路是敏感電路。b.發(fā)射的后級(jí)電路、功放的電路、數(shù)字信號(hào)處理電路、參考時(shí)鐘和晶體振蕩器是強(qiáng)烈的輻射源。整板布線的工藝技巧和規(guī)則。
生成Gerber文件(1)生成Gerber文件:根據(jù)各EDA軟件操作,生成Gerber文件。(2)檢查Gerber文件:檢查Gerber文件步驟:種類→數(shù)量→格式→時(shí)間。Gerber文件種類及數(shù)量:各層線路、絲印層、阻焊層、鋼網(wǎng)層、鉆孔表、IPC網(wǎng)表必須齊全且不能重復(fù)。盲埋孔板或背鉆板輸出的鉆孔文件個(gè)數(shù)與孔的類型有關(guān),有多少種盲埋孔或背鉆孔,就會(huì)對(duì)應(yīng)有多少個(gè)鉆孔文件,要注意核實(shí)確認(rèn)。Gerber文件格式:Mentor、Allegro、AD、Pads依據(jù)各EDA設(shè)計(jì)軟件操作手冊(cè)生成。所有Gerber文件生成時(shí)間要求保持在連續(xù)5分鐘以內(nèi)。 IPC網(wǎng)表自檢將Gerber文件導(dǎo)入CAM350軟件進(jìn)行IPC網(wǎng)表比,IPC網(wǎng)表比對(duì)結(jié)果與PCB連接狀態(tài)一致,無(wú)開(kāi)、短路存在,客戶有特殊要求的除外。射頻、中頻電路的基本概念是什么?湖北如何PCB設(shè)計(jì)批發(fā)
PCB設(shè)計(jì)常用規(guī)則之Gerber參數(shù)設(shè)置。隨州了解PCB設(shè)計(jì)報(bào)價(jià)
SDRAM模塊SDRAM介紹:SDRAM是SynchronousDynamicRandomAccessMemory(同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)的簡(jiǎn)稱,是使用很的一種存儲(chǔ)器,一般應(yīng)用在200MHz以下,常用在33MHz、90MHz、100MHz、125MHz、133MHz等。其中同步是指時(shí)鐘頻率與SDRAM控制器如CPU前端其時(shí)鐘頻率與CPU前端總線的系統(tǒng)時(shí)鐘頻率相同,并且內(nèi)部命令的發(fā)送和數(shù)據(jù)的傳輸都以它為準(zhǔn);動(dòng)態(tài)是指存儲(chǔ)陣列需要不斷刷新來(lái)保證數(shù)據(jù)不丟失;隨機(jī)是指數(shù)據(jù)不是線性一次存儲(chǔ),而是自由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫(xiě)。為了配合SDRAM控制芯片的總線位寬,必須配合適當(dāng)數(shù)量的SDRAM芯片顆粒,如32位的CPU芯片,如果用位寬16bit的SDRAM芯片就需要2片,而位寬8bit的SDRAM芯片則就需要4片。是某廠家的SDRAM芯片封裝示意圖,圖中列出了16bit、8bit、4bit不同位寬的信號(hào)網(wǎng)絡(luò)管腳分配情況以及信號(hào)網(wǎng)絡(luò)說(shuō)明。隨州了解PCB設(shè)計(jì)報(bào)價(jià)
武漢京曉科技有限公司是一家有著先進(jìn)的發(fā)展理念,先進(jìn)的管理經(jīng)驗(yàn),在發(fā)展過(guò)程中不斷完善自己,要求自己,不斷創(chuàng)新,時(shí)刻準(zhǔn)備著迎接更多挑戰(zhàn)的活力公司,在湖北省等地區(qū)的電工電氣中匯聚了大量的人脈以及**,在業(yè)界也收獲了很多良好的評(píng)價(jià),這些都源自于自身的努力和大家共同進(jìn)步的結(jié)果,這些評(píng)價(jià)對(duì)我們而言是比較好的前進(jìn)動(dòng)力,也促使我們?cè)谝院蟮牡缆飞媳3謯^發(fā)圖強(qiáng)、一往無(wú)前的進(jìn)取創(chuàng)新精神,努力把公司發(fā)展戰(zhàn)略推向一個(gè)新高度,在全體員工共同努力之下,全力拼搏將共同武漢京曉科技供應(yīng)和您一起攜手走向更好的未來(lái),創(chuàng)造更有價(jià)值的產(chǎn)品,我們將以更好的狀態(tài),更認(rèn)真的態(tài)度,更飽滿的精力去創(chuàng)造,去拼搏,去努力,讓我們一起更好更快的成長(zhǎng)!