電氣方面注意事項(xiàng)（1）TVS管、ESD、保險(xiǎn)絲等保護(hù)器件靠近接口放置；（2）熱敏器件遠(yuǎn)離大功率器件布局；（3）高、中、低速器件分區(qū)布局；（4）數(shù)字、模擬器件分區(qū)布局；（5）電源模塊、模擬電路、時(shí)鐘電路、射頻電路、隔離器件布局按器件資料；（6）串聯(lián)電阻靠近源端放置；串聯(lián)電容靠近末端放置；并聯(lián)電阻靠近末端放置；（7）退藕電容靠近芯片的電源管腳；（8）接口電路靠近接口；（9）充分考慮收發(fā)芯片距離，以便走線長(zhǎng)度滿足要求；（10）器件按原理圖擺一起；（11）二極管、LED等極性與原理圖應(yīng)保持一致。射頻、中頻電路的基本概念是什么？鄂州專業(yè)PCB設(shè)計(jì)走線

等長(zhǎng)線處理等長(zhǎng)線處理的步驟：檢查規(guī)則設(shè)置→確定組內(nèi)長(zhǎng)線段→等長(zhǎng)線處理→鎖定等長(zhǎng)線。（1）檢查組內(nèi)等長(zhǎng)規(guī)則設(shè)置并確定組內(nèi)基準(zhǔn)線并鎖定。（2）單端蛇形線同網(wǎng)絡(luò)走線間距S≥3W，差分對(duì)蛇形線同網(wǎng)絡(luò)走線間距≥20Mil。（3）差分線對(duì)內(nèi)等長(zhǎng)優(yōu)先在不匹配端做補(bǔ)償，其次在中間小凸起處理，且凸起高度＜1倍差分對(duì)內(nèi)間距，長(zhǎng)度＞3倍差分線寬，（4）差分線對(duì)內(nèi)≤3.125G等長(zhǎng)誤差≤5mil，＞3.125G等長(zhǎng)誤差≤2mil。（5）DDR同組等長(zhǎng)：DATA≤800M按±25mil，DATA＞800M按±5mil；ADDR按±100mil；DDR2的DQS和CLK按±500mil；QDR按±25mil；客戶有要求或者芯片有特殊要求時(shí)按特殊要求。（6）優(yōu)先在BGA區(qū)域之外做等長(zhǎng)線處理。（7）有源端匹配的走線必須在靠近接收端一側(cè)B段做等長(zhǎng)處理，（8）有末端匹配的走線在A段做等長(zhǎng)線處理，禁止在分支B段做等長(zhǎng)處理（9） T型拓?fù)渥呔€，優(yōu)先在主干走線A段做等長(zhǎng)處理，同網(wǎng)絡(luò)分支走線B或C段長(zhǎng)度＜主干線A段長(zhǎng)度,且分支走線長(zhǎng)度B、C段誤差≤10Mil，（10） Fly-By型拓?fù)渥呔€，優(yōu)先在主干走線A段做等長(zhǎng)處理，分支線B、C、D、E段長(zhǎng)度＜500Mil隨州了解PCB設(shè)計(jì)銷售PCB典型的電路設(shè)計(jì)指導(dǎo)。

布局整體思路（1）整板器件布局整齊、緊湊;滿足“信號(hào)流向順暢，布線短”的原則；（2）不同類型的電路模塊分開擺放，相對(duì)、互不干擾；（3）相同模塊采用復(fù)制的方式相同布局；（4）預(yù)留器件扇出、通流能力、走線通道所需空間；（5）器件間距滿足《PCBLayout工藝參數(shù)》的參數(shù)要求；（6）當(dāng)密集擺放時(shí)，小距離需大于《PCBLayout工藝參數(shù)》中的小器件間距要求；當(dāng)與客戶的要求時(shí)，以客戶為準(zhǔn)，并記錄到《項(xiàng)目設(shè)計(jì)溝通記錄》。（7）器件擺放完成后，逐條核實(shí)《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》中的布局要求，以確保布局滿足客戶要求。

DDR的PCB布局、布線要求4、對(duì)于DDR的地址及控制信號(hào)，如果掛兩片DDR顆粒時(shí)拓?fù)浣ㄗh采用對(duì)稱的Y型結(jié)構(gòu)，分支端靠近信號(hào)的接收端，串聯(lián)電阻靠近驅(qū)動(dòng)端放置（5mm以內(nèi)），并聯(lián)電阻靠近接收端放置（5mm以內(nèi)），布局布線要保證所有地址、控制信號(hào)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的一致性及長(zhǎng)度上的匹配。地址、控制、時(shí)鐘線（遠(yuǎn)端分支結(jié)構(gòu)）的等長(zhǎng)范圍為≤200Mil。5、對(duì)于地址、控制信號(hào)的參考差分時(shí)鐘信號(hào)CK\CK#的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，布局時(shí)串聯(lián)電阻靠近驅(qū)動(dòng)端放置，并聯(lián)電阻靠近接收端放置，布線時(shí)要考慮差分線對(duì)內(nèi)的平行布線及等長(zhǎng)(≤5Mil)要求。6、DDR的IO供電電源是2.5V，對(duì)于控制芯片及DDR芯片，為每個(gè)IO2.5V電源管腳配備退耦電容并靠近管腳放置，在允許的情況下多扇出幾個(gè)孔，同時(shí)芯片配備大的儲(chǔ)能大電容；對(duì)于1.25VVTT電源，該電源的質(zhì)量要求非常高，不允許出現(xiàn)較大紋波，1.25V電源輸出要經(jīng)過充分的濾波，整個(gè)1.25V的電源通道要保持低阻抗特性，每個(gè)上拉至VTT電源的端接電阻為其配備退耦電容。PCB設(shè)置中PCI-E板卡設(shè)計(jì)要求是什么？

DDR的PCB布局、布線要求1、DDR數(shù)據(jù)信號(hào)線的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，在布局時(shí)保證緊湊的布局，即控制器與DDR芯片緊湊布局，需要注意DDR數(shù)據(jù)信號(hào)是雙向的，串聯(lián)端接電阻放在中間可以同時(shí)兼顧數(shù)據(jù)讀/寫時(shí)良好的信號(hào)完整性。2、對(duì)于DDR信號(hào)數(shù)據(jù)信號(hào)DQ是參考選通信號(hào)DQS的，數(shù)據(jù)信號(hào)與選通信號(hào)是分組的；如8位數(shù)據(jù)DQ信號(hào)+1位數(shù)據(jù)掩碼DM信號(hào)+1位數(shù)據(jù)選通DQS信號(hào)組成一組，如是32位數(shù)據(jù)信號(hào)將分成4組，如是64位數(shù)據(jù)信號(hào)將分成8組，每組里面的所有信號(hào)在布局布線時(shí)要保持拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的一致性和長(zhǎng)度上匹配，這樣才能保證良好的信號(hào)完整性和時(shí)序匹配關(guān)系，要保證過孔數(shù)目相同。數(shù)據(jù)線同組（DQS、DM、DQ[7:0]）組內(nèi)等長(zhǎng)為20Mil，不同組的等長(zhǎng)范圍為200Mil，時(shí)鐘線和數(shù)據(jù)線的等長(zhǎng)范圍≤1000Mil。3、對(duì)于DDR信號(hào)，需要注意串?dāng)_的影響，布線時(shí)拉開與同層相鄰信號(hào)的間距，時(shí)鐘線與其它線的間距要保證3W線寬，數(shù)據(jù)線與地址線和控制線的間距要保證3W線寬，數(shù)據(jù)線內(nèi)或地址線和控制線內(nèi)保證2W線寬；如果兩個(gè)信號(hào)層相鄰，要使相鄰兩層的信號(hào)走線正交。PCB設(shè)計(jì)布局以及整體思路。荊州如何PCB設(shè)計(jì)包括哪些

時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器的布局布線要求。鄂州專業(yè)PCB設(shè)計(jì)走線

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