繪制各禁止布局、布線、限高、亮銅、挖空、銑切、開槽、厚度削邊區(qū)域大小，形狀與結(jié)構(gòu)圖完全一致，所在層由各EDA軟件確定。對以上相應(yīng)區(qū)域設(shè)置如下特性：禁布區(qū)設(shè)置禁止布局、禁止布線屬性；限高區(qū)域設(shè)置對應(yīng)高度限制屬性；亮銅區(qū)域鋪相應(yīng)網(wǎng)絡(luò)屬性銅皮和加SolderMask；板卡金屬導(dǎo)軌按結(jié)構(gòu)圖要求鋪銅皮和加SolderMask，距導(dǎo)軌內(nèi)沿2mm范圍內(nèi)，禁止布線、打孔、放置器件。挖空、銑切、開槽區(qū)域周邊0.5mm范圍增加禁止布局、布線區(qū)域，客戶有特殊要求除外。PCB設(shè)計中常用的電源電路有哪些？十堰PCB設(shè)計銷售

絲印調(diào)整，子流程：設(shè)置字符格式→調(diào)整器件字符→添加特殊字符→添加特殊絲印。設(shè)置字符格式，字符的寬度/高度：1/3盎司、1/2盎司（基銅）：4/23Mil(推薦設(shè)計成4/25Mil)；1盎司（基銅）：5/30Mil；2盎司(基銅)：6/45Mil；字高與字符線寬之比≥6:1。調(diào)整器件字符（1）字符與阻焊的間距≥6Mil。字符之間的距離≥6Mil，距離板邊≥10Mil；任何字符不能重疊且不能被元器件覆蓋。（2）絲印字符陰字線寬≥8mil；（3）字符只能有兩個方向，排列應(yīng)遵循正視時位號的字母數(shù)字排序為從左到右，從下到上。（4）字符的位號要與器件一一對應(yīng)，不能顛倒、變換順序，每個元器件上必須標(biāo)出位號不可缺失，對于高密度板，可將位號標(biāo)在PCB其他有空間的位置,用箭頭加圖框表示或者字符加圖框表示，如下圖所示。字符擺放完成后，逐個高亮器件，確認(rèn)位號高亮順序和器件高亮順序一致。隨州高速PCB設(shè)計包括哪些京曉科技與您分享等長線處理的具體步驟。

添加特殊字符（1）靠近器件管腳擺放網(wǎng)絡(luò)名，擺放要求同器件字符，（2）板名、版本絲?。悍胖迷赑CB的元件面，水平放置，比元件位號絲印大（常規(guī)絲印字符寬度10Mil，高度80Mil）；扣板正反面都需要有板名絲印，方便識別。添加特殊絲?。?）條碼：條碼位置應(yīng)靠近PCB板名版本號，且長邊必須與傳送方向平行，區(qū)域內(nèi)不能有焊盤直徑大于0.5mm的導(dǎo)通孔，如有導(dǎo)通孔則必須用綠油覆蓋。條碼位置必須符合以下要求，否則無法噴碼或貼標(biāo)簽。1、預(yù)留區(qū)域為涂滿油墨的絲印區(qū)。2、尺寸為22.5mmX6.5mm。3、絲印區(qū)外20mm范圍內(nèi)不能有高度超過25mm的元器件。2）其他絲印：所有射頻PCB建議添加標(biāo)準(zhǔn)“RF”的絲印字樣。對于過波峰焊的過板方向有明確規(guī)定的PCB,如設(shè)計了偷錫焊盤、淚滴焊盤或器件焊接方向，需要用絲印標(biāo)示出過板方向。如果有扣板散熱器，要用絲印將扣板散熱器的輪廓按真實大小標(biāo)示出來。放靜電標(biāo)記的優(yōu)先位置是PCB的元件面，采用標(biāo)準(zhǔn)的封裝庫。在板名旁留出生產(chǎn)序列號的空間，字體格式、大小由客戶確認(rèn)。

存儲模塊介紹：存儲器分類在我們的設(shè)計用到的存儲器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細(xì)參數(shù)如下：DDR采用TSSOP封裝技術(shù)，而DDR2和DDR3內(nèi)存均采用FBGA封裝技術(shù)。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長方形，其優(yōu)點是成本低、工藝要求不高，缺點是傳導(dǎo)效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內(nèi)存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的三分之一，有效地縮短信號傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優(yōu)勢，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術(shù)來增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。制造工藝不斷提高，從DDR到DDR2再到DDR3內(nèi)存，其制造工藝都在不斷改善，更高工藝水平會使內(nèi)存電氣性能更好，成本更低；DDR內(nèi)存顆粒大范圍采用0.13微米制造工藝，而DDR2采用了0.09微米制造工藝，DDR3則采用了全新65nm制造工藝，而DDR4使用20nm以下的工藝來制造，從DDR～DDR4的具體參數(shù)如下表所示。關(guān)鍵信號的布線應(yīng)該遵循哪些基本原則？

SDRAM各管腳功能說明：1、CLK是由系統(tǒng)時鐘驅(qū)動的，SDRAM所有的輸入信號都是在CLK的上升沿采樣，CLK還用于觸發(fā)內(nèi)部計數(shù)器和輸出寄存器；2、CKE為時鐘使能信號，高電平時時鐘有效，低電平時時鐘無效，CKE為低電平時SDRAM處于預(yù)充電斷電模式和自刷新模式。此時包括CLK在內(nèi)的所有輸入Buffer都被禁用，以降低功耗，CKE可以直接接高電平。3、CS#為片選信號，低電平有效，當(dāng)CS#為高時器件內(nèi)部所有的命令信號都被屏蔽，同時，CS#也是命令信號的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分別為行選擇、列選擇、寫使能信號，低電平有效，這三個信號與CS#一起組合定義輸入的命令。5、DQML，DQMU為數(shù)據(jù)掩碼信號。寫數(shù)據(jù)時，當(dāng)DQM為高電平時對應(yīng)的寫入數(shù)據(jù)無效，DQML與DQMU分別對應(yīng)于數(shù)據(jù)信號的低8位與高8位。6、A<0..12>為地址總線信號，在讀寫命令時行列地址都由該總線輸入。7、BA0、BA1為BANK地址信號，用以確定當(dāng)前的命令操作對哪一個BANK有效。8、DQ<0..15>為數(shù)據(jù)總線信號，讀寫操作時的數(shù)據(jù)信號通過該總線輸出或輸入。DDR3的PCB布局布線要求是什么？咸寧定制PCB設(shè)計原理

京曉科技給您帶來PCB設(shè)計布線的技巧。十堰PCB設(shè)計銷售

規(guī)則設(shè)置子流程：層疊設(shè)置→物理規(guī)則設(shè)置→間距規(guī)則設(shè)置→差分線規(guī)則設(shè)置→特殊區(qū)域規(guī)則設(shè)置→時序規(guī)則設(shè)置◆層疊設(shè)置：根據(jù)《PCB加工工藝要求說明書》上的層疊信息，在PCB上進(jìn)行對應(yīng)的規(guī)則設(shè)置?！粑锢硪?guī)則設(shè)置（1）所有阻抗線線寬滿足《PCB加工工藝要求說明書》中的阻抗信息，非阻抗線外層6Mil,內(nèi)層5Mil。（2）電源/地線：線寬>=15Mil。（3）整板過孔種類≤2,且過孔孔環(huán)≥4Mil，Via直徑與《PCBLayout工藝參數(shù)》一致，板厚孔徑比滿足制造工廠或客戶要求，過孔設(shè)置按《PCBLayout工藝參數(shù)》要求?！糸g距規(guī)則設(shè)置：根據(jù)《PCBLayout工藝參數(shù)》中的間距要求設(shè)置間距規(guī)則，阻抗線距與《PCB加工工藝要求說明書》要求一致。此外，應(yīng)保證以下參數(shù)與《PCBLayout工藝參數(shù)》一致，以免短路：（1）內(nèi)外層導(dǎo)體到安裝孔或定位孔邊緣距離；（2）內(nèi)外層導(dǎo)體到郵票孔邊緣距離；（3）內(nèi)外層導(dǎo)體到V-CUT邊緣距離；（4）外層導(dǎo)體到導(dǎo)軌邊緣距離；（5）內(nèi)外層導(dǎo)體到板邊緣距離；◆差分線規(guī)則設(shè)置（1）滿足《PCB加工工藝要求說明書》中差分線的線寬/距要求。（2）差分線信號與任意信號的距離≥20Mil。十堰PCB設(shè)計銷售

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