ADC/DAC電路：（4）隔離處理：隔離腔體應做開窗處理、方便焊接屏蔽殼，在屏蔽腔體上設計兩排開窗過孔屏蔽，過孔應相互錯開，同排過孔間距為150Mil。，在腔體的拐角處應設計3mm的金屬化固定孔，保證其固定屏蔽殼，隔離腔體內的器件與屏蔽殼的間距＞0.5mm。如圖6-1-2-4所示。腔體的周邊為密封的，接口的線要引入腔體里采用帶狀線的結構；而腔體內部不同模塊之間可以采用微帶線的結構，這樣內部的屏蔽腔采用開槽處理，開槽的寬度一般為3mm、微帶線走在中間。（5）布線原則1、首先參考射頻信號的處理原則。2、嚴格按照原理圖的順序進行ADC和DAC前端電路布線。3、空間允許的情況下，模擬信號采用包地處理，包地要間隔≥200Mil打地過孔4、ADC和DAC電源管腳比較好經過電容再到電源管腳，線寬≥20Mil，對于管腳比較細的器件，出線寬度與管腳寬度一致。5、模擬信號優(yōu)先采用器件面直接走線，線寬≥10Mil，對50歐姆單端線、100歐姆差分信號要采用隔層參考，在保證阻抗的同時，以降低模擬輸入信號的衰減損耗，6、不同ADC/DAC器件的采樣時鐘彼此之間需要做等長處理。7、當信號線必須要跨分割時，跨接點選擇在跨接磁珠（或者0歐姆電阻）處。PCB設計疊層相關方案。黃岡如何PCB設計走線

ADC/DAC電路：（2）模擬地與數(shù)字地處理：大多數(shù)ADC、DAC往往依據(jù)數(shù)據(jù)手冊和提供的參考設計進行地分割處理，通常情況是將PCB地層分為模擬地AGND和數(shù)字地DGND，然后將二者單點連接，（3）模擬電源和數(shù)字電源當電源入口只有統(tǒng)一的數(shù)字地和數(shù)字電源時，在電源入口處通過將數(shù)字地加磁珠或電感，將數(shù)字地拆分成成模擬地；同樣在電源入口處將數(shù)字電源通過磁珠或電感拆分成模擬電源。負載端所有的數(shù)字電源都通過入口處數(shù)字電源生成、模擬電源都通過經過磁珠或電感隔離后的模擬電源生成。如果在電源入口處（外部提供的電源）既有模擬地又有數(shù)字地、既有模擬電源又有數(shù)字電源，板子上所有的數(shù)字電源都用入口處的數(shù)字電源生成、模擬電源都用入口處的模擬電源生成。ADC和DAC器件的模擬電源一般采用LDO進行供電，因為其電流小、紋波小，而DC/DC會引入較大開關電源噪聲，嚴重影響ADC/DAC器件性能，因此，模擬電路應該采用LDO進行供電。湖北高效PCB設計教程PCB設計布局以及整體思路。

SDRAM時鐘源同步和外同步1、源同步：是指時鐘與數(shù)據(jù)同時在兩個芯片之間間傳輸，不需要外部時鐘源來給SDRAM提供時鐘，CLK由SDRAM控制芯片（如CPU）輸出，數(shù)據(jù)總線、地址總線、控制總線信號由CLK來觸發(fā)和鎖存，CLK必須與數(shù)據(jù)總線、地址總線、控制總線信號滿足一定的時序匹配關系才能保證SDRAM正常工作，即CLK必須與數(shù)據(jù)總線、地址總線、控制總線信號在PCB上滿足一定的傳輸線長度匹配。2、外同步：由外部時鐘給系統(tǒng)提供參考時鐘，數(shù)據(jù)從發(fā)送到接收需要兩個時鐘，一個鎖存發(fā)送數(shù)據(jù)，一個鎖存接收數(shù)據(jù)，在一個時鐘周期內完成，對于SDRAM及其控制芯片，參考時鐘CLK1、CLK2由外部時鐘驅動產生，此時CLK1、CLK2到達SDRAM及其控制芯片的延時必須滿足數(shù)據(jù)總線、地址總線及控制總線信號的時序匹配要求，即CLK1、CLK2必須與數(shù)據(jù)總線、地址總線、控制總線信號在PCB上滿足一定的傳輸線長度匹配。如圖6-1-4-3所示。

調整器件字符的方法還有：“1”、“O”、△、或者其他符號要放在對應的1管腳處；對BGA器件用英文字母和阿拉伯數(shù)字構成的矩陣方式表示。帶極性器件要把“+”或其他標識放在正極旁；對于管腳較多的器件要每隔5個管腳或者收尾管腳都要標出管腳號（6）對于二極管正極標注的擺放需要特別注意：首先在原理圖中確認正極對應的管腳號（接高電壓），然后在PCB中，找到對應的管腳，將正極極性標識放在對應的管腳旁邊7）穩(wěn)壓二級管是利用pn結反向擊穿狀態(tài)制成的二極管。所以正極標注放在接低電壓的管腳處。京曉科技與您分享PCB設計中布局布線的注意事項。

ICT測試點添加ICT測試點添加注意事項：（1）測試點焊盤≥32mil；（2）測試點距離板邊緣≥3mm；（3）相鄰測試點的中心間距≥60Mil。（4）測試點邊緣距離非Chip器件本體邊緣≥20mil，Chip器件焊盤邊緣≥10mil，其它導體邊緣≥12mil。（5）整板必須有3個孔徑≥2mm的非金屬化定位孔，且在板子的對角線上非對稱放置。（6）優(yōu)先在焊接面添加ICT測試點，正面添加ICT測試點需經客戶確認。（7）電源、地網(wǎng)絡添加ICT測試點至少3個以上且均勻放置。（8）優(yōu)先采用表貼焊盤測試點，其次采用通孔測試點，禁止直接將器件通孔管腳作為測試點使用。（9）優(yōu)先在信號線上直接添加測試點或者用扇出的過孔作為測試點，采用Stub方式添加ICT測試點時，Stub走線長不超過150Mil。（10）2.5Ghz以上的高速信號網(wǎng)絡禁止添加測試點。（11）測試點禁止在器件、散熱片、加固件、拉手條、接插件、壓接件、條形碼、標簽等正下方，以防止被器件或物件覆蓋。（12）差分信號增加測試點，必須對稱添加，即同時在差分線對的兩個網(wǎng)絡的同一個地方對稱加測試點晶振電路的布局布線要求。湖北什么是PCB設計布線

SDRAM 的PCB布局布線要求是什么？黃岡如何PCB設計走線

 DDR模塊，DDRSDRAM全稱為DoubleDataRateSDRAM，中文名為“雙倍數(shù)據(jù)率SDRAM”，是在SDRAM的基礎上改進而來，人們習慣稱為DDR，DDR本質上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高SDRAM的數(shù)據(jù)傳輸速率，它允許在時鐘的上升沿和下降沿讀取數(shù)據(jù)，因而其速度是標準SDRAM的兩倍。（1）DDRSDRAM管腳功能說明：圖6-1-5-1為512MDDR（8M×16bit×4Bank）的66-pinTSOP封裝圖和各引腳及功能簡述1、CK/CK#是DDR的全局時鐘，DDR的所有命令信號，地址信號都是以CK/CK#為時序參考的。2、CKE為時鐘使能信號，與SDRAM不同的是，在進行讀寫操作時CKE要保持為高電平，當CKE由高電平變?yōu)榈碗娖綍r，器件進入斷電模式（所有BANK都沒有時）或自刷新模式（部分BANK時），當CKE由低電平變?yōu)楦唠娖綍r，器件從斷電模式或自刷新模式中退出。3、CS#為片選信號，低電平有效。當CS#為高時器件內部的命令解碼將不工作。同時，CS#也是命令信號的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分別為行選擇、列選擇、寫使能信號，低電平有效。這三個信號與CS#一起組成了DDR的命令信號。黃岡如何PCB設計走線

武漢京曉科技有限公司是一家集研發(fā)、制造、銷售為一體的****，公司位于洪山區(qū)和平鄉(xiāng)徐東路7號湖北華天大酒店第7層1房26室，成立于2020-06-17。公司秉承著技術研發(fā)、客戶優(yōu)先的原則，為國內**PCB設計與制造，高速PCB設計，企業(yè)級PCB定制的產品發(fā)展添磚加瓦。公司主要經營**PCB設計與制造，高速PCB設計，企業(yè)級PCB定制等產品，產品質量可靠，均通過電工電氣行業(yè)檢測，嚴格按照行業(yè)標準執(zhí)行。目前產品已經應用與全國30多個省、市、自治區(qū)。武漢京曉科技有限公司研發(fā)團隊不斷緊跟**PCB設計與制造，高速PCB設計，企業(yè)級PCB定制行業(yè)發(fā)展趨勢，研發(fā)與改進新的產品，從而保證公司在新技術研發(fā)方面不斷提升，確保公司產品符合行業(yè)標準和要求。武漢京曉科技有限公司以市場為導向，以創(chuàng)新為動力。不斷提升管理水平及**PCB設計與制造，高速PCB設計，企業(yè)級PCB定制產品質量。本公司以良好的商品品質、誠信的經營理念期待您的到來！