目前的電路板，主要由以下組成線路與圖面(Pattern):線路是做為原件之間導(dǎo)通的工具，在設(shè)計(jì)上會(huì)另外設(shè)計(jì)大銅面作為接地及電源層。線路與圖面是同時(shí)做出的。介電層(Dielectric):用來(lái)保持線路及各層之間的絕緣性，俗稱(chēng)為基材?？?Throughhole/via):導(dǎo)通孔可使兩層次以上的線路彼此導(dǎo)通，較大的導(dǎo)通孔則做為零件插件用，另外有非導(dǎo)通孔(nPTH)通常用來(lái)作為表面貼裝定位，組裝時(shí)固定螺絲用。防焊油墨(Solderresistant/SolderMask):并非全部的銅面都要吃錫上零件，因此非吃錫的區(qū)域，會(huì)印一層隔絕銅面吃錫的物質(zhì)(通常為環(huán)氧樹(shù)脂)，避免非吃錫的線路間短路。根據(jù)不同的工藝，分為綠油、紅油、藍(lán)油。絲印(Legend/Marking/Silkscreen):此為非必要之構(gòu)成，主要的功能是在電路板上標(biāo)注各零件的名稱(chēng)、位置框，方便組裝后維修及辨識(shí)用。表面處理(SurfaceFinish):由于銅面在一般環(huán)境中，很容易氧化，導(dǎo)致無(wú)法上錫(焊錫性不良)，因此會(huì)在要吃錫的銅面上進(jìn)行保護(hù)。保護(hù)的方式有噴錫(HASL)，化金(ENIG)，化銀(ImmersionSilver)，化錫(ImmersionTin)，有機(jī)保焊劑(OSP)，方法各有優(yōu)缺點(diǎn)，統(tǒng)稱(chēng)為表面處理。盡量加粗地線,以可通過(guò)三倍的允許電流。深圳打造PCB培訓(xùn)銷(xiāo)售電話

電磁兼容問(wèn)題沒(méi)有照EMC（電磁兼容）規(guī)格設(shè)計(jì)的電子設(shè)備，很可能會(huì)散發(fā)出電磁能量，并且干擾附近的電器。EMC對(duì)電磁干擾（EMI），電磁場(chǎng)（EMF）和射頻干擾（RFI）等都規(guī)定了大的限制。這項(xiàng)規(guī)定可以確保該電器與附近其它電器的正常運(yùn)作。EMC對(duì)一項(xiàng)設(shè)備，散射或傳導(dǎo)到另一設(shè)備的能量有嚴(yán)格的限制，并且設(shè)計(jì)時(shí)要減少對(duì)外來(lái)EMF、EMI、RFI等的磁化率。換言之，這項(xiàng)規(guī)定的目的就是要防止電磁能量進(jìn)入或由裝置散發(fā)出。這其實(shí)是一項(xiàng)很難解決的問(wèn)題，一般大多會(huì)使用電源和地線層，或是將PCB放進(jìn)金屬盒子當(dāng)中以解決這些問(wèn)題。電源和地線層可以防止信號(hào)層受干擾，金屬盒的效用也差不多。對(duì)這些問(wèn)題我們就不過(guò)于深入了。電路的速度得看如何照EMC規(guī)定做了。內(nèi)部的EMI，像是導(dǎo)體間的電流耗損，會(huì)隨著頻率上升而增強(qiáng)。如果兩者之間的的電流差距過(guò)大，那么一定要拉長(zhǎng)兩者間的距離。這也告訴我們?nèi)绾伪苊飧邏海约白岆娐返碾娏飨慕档?span style="color:#f00;">低。布線的延遲率也很重要，所以長(zhǎng)度自然越短越好。所以布線良好的小PCB，會(huì)比大PCB更適合在高速下運(yùn)作。專(zhuān)業(yè)PCB培訓(xùn)報(bào)價(jià)任何信號(hào)都不要形成環(huán)路，如不可避免，讓環(huán)路區(qū)盡量小。

存儲(chǔ)模塊介紹：存儲(chǔ)器分類(lèi)在我們的設(shè)計(jì)用到的存儲(chǔ)器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細(xì)參數(shù)如下：DDR采用TSSOP封裝技術(shù)，而DDR2和DDR3內(nèi)存均采用FBGA封裝技術(shù)。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長(zhǎng)方形，其優(yōu)點(diǎn)是成本低、工藝要求不高，缺點(diǎn)是傳導(dǎo)效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內(nèi)存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的三分之一，有效地縮短信號(hào)傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優(yōu)勢(shì)，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術(shù)來(lái)增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。制造工藝不斷提高，從DDR到DDR2再到DDR3內(nèi)存，其制造工藝都在不斷改善，更高工藝水平會(huì)使內(nèi)存電氣性能更好，成本更低；DDR內(nèi)存顆粒大范圍采用0.13微米制造工藝，而DDR2采用了0.09微米制造工藝，DDR3則采用了全新65nm制造工藝，而DDR4使用20nm以下的工藝來(lái)制造，從DDR～DDR4的具體參數(shù)如下表所示。

如果要將兩塊PCB相互連結(jié)，一般我們都會(huì)用到俗稱(chēng)「金手指」的邊接頭（edgeconnector）。金手指上包含了許多裸露的銅墊，這些銅墊事實(shí)上也是PCB布線的一部份。通常連接時(shí)，我們將其中一片PCB上的金手指插另一片PCB上合適的插槽上（一般叫做擴(kuò)充槽Slot）。在計(jì)算機(jī)中，像是顯示卡，聲卡或是其它類(lèi)似的界面卡，都是借著金手指來(lái)與主機(jī)板連接的。PCB上的綠色或是棕色，是阻焊漆（soldermask）的顏色。這層是絕緣的防護(hù)層，可以保護(hù)銅線，也可以防止零件被焊到不正確的地方。在阻焊層上另外會(huì)印刷上一層絲網(wǎng)印刷面（silkscreen）。通常在這上面會(huì)印上文字與符號(hào)（大多是白色的），以標(biāo)示出各零件在板子上的位置。絲網(wǎng)印刷面也被稱(chēng)作圖標(biāo)面（legend）。時(shí)鐘線垂直于I/O線比平行I/O線干擾小，時(shí)鐘元件引腳需遠(yuǎn)離I/O電纜。

多層板（Multi-LayerBoards）為了增加可以布線的面積，多層板用上了更多單或雙面的布線板。多層板使用數(shù)片雙面板，并在每層板間放進(jìn)一層絕緣層后黏牢（壓合）。通常層數(shù)都是偶數(shù)，并且包含外側(cè)的兩層。大部分的主機(jī)板都是4到8層的結(jié)構(gòu)，不過(guò)技術(shù)上可以做到近100層的PCB板。大型的超級(jí)計(jì)算機(jī)大多使用相當(dāng)多層的主機(jī)板，不過(guò)因?yàn)檫@類(lèi)計(jì)算機(jī)已經(jīng)可以用許多普通計(jì)算機(jī)的集群代替，超多層板已經(jīng)漸漸不被使用了。因?yàn)镻CB中的各層都緊密的結(jié)合，一般不太容易看出實(shí)際數(shù)目，不過(guò)如果您仔細(xì)觀察主機(jī)板，也許可以看出來(lái)。弱信號(hào)電路，低頻電路周?chē)灰纬呻娏鳝h(huán)路。定制PCB培訓(xùn)報(bào)價(jià)

通過(guò)學(xué)習(xí)PCB的結(jié)構(gòu)、材料以及層次設(shè)計(jì)，學(xué)員可以逐步了解不同類(lèi)型的PCB及其特點(diǎn)。深圳打造PCB培訓(xùn)銷(xiāo)售電話

DDR的PCB布局、布線要求4、對(duì)于DDR的地址及控制信號(hào)，如果掛兩片DDR顆粒時(shí)拓?fù)浣ㄗh采用對(duì)稱(chēng)的Y型結(jié)構(gòu)，分支端靠近信號(hào)的接收端，串聯(lián)電阻靠近驅(qū)動(dòng)端放置（5mm以內(nèi)），并聯(lián)電阻靠近接收端放置（5mm以內(nèi)），布局布線要保證所有地址、控制信號(hào)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的一致性及長(zhǎng)度上的匹配。地址、控制、時(shí)鐘線（遠(yuǎn)端分支結(jié)構(gòu)）的等長(zhǎng)范圍為≤200Mil。5、對(duì)于地址、控制信號(hào)的參考差分時(shí)鐘信號(hào)CK\CK#的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，布局時(shí)串聯(lián)電阻靠近驅(qū)動(dòng)端放置，并聯(lián)電阻靠近接收端放置，布線時(shí)要考慮差分線對(duì)內(nèi)的平行布線及等長(zhǎng)(≤5Mil)要求。6、DDR的IO供電電源是2.5V，對(duì)于控制芯片及DDR芯片，為每個(gè)IO2.5V電源管腳配備退耦電容并靠近管腳放置，在允許的情況下多扇出幾個(gè)孔，同時(shí)芯片配備大的儲(chǔ)能大電容；對(duì)于1.25VVTT電源，該電源的質(zhì)量要求非常高，不允許出現(xiàn)較大紋波，1.25V電源輸出要經(jīng)過(guò)充分的濾波，整個(gè)1.25V的電源通道要保持低阻抗特性，每個(gè)上拉至VTT電源的端接電阻為其配備退耦電容。深圳打造PCB培訓(xùn)銷(xiāo)售電話