三極管的特殊用途：半導(dǎo)體三極管除了構(gòu)成放大器和作開(kāi)關(guān)元件使用外，還能夠做成一些可單獨(dú)使用的兩端或三端器件。1.擴(kuò)流。把一只小功率可控硅（晶閘管）和一只大功率三極管組合，就可得到一只大功率可控硅，其比較大輸出電流由大功率三極管的特性決定，見(jiàn)附圖1。圖2為電容容量擴(kuò)大電路。利用三極管的電流放大作用，將電容容量擴(kuò)大若干倍。這種等效電容和一般電容器一樣，可浮置工作，適用于在長(zhǎng)延時(shí)電路中作定時(shí)電容。用穩(wěn)壓二極管構(gòu)成的穩(wěn)壓電路雖具有簡(jiǎn)單、元件少、制作經(jīng)濟(jì)方便的優(yōu)點(diǎn)，但由于穩(wěn)壓二極管穩(wěn)定電流一般只有數(shù)十毫安，因而決定了它只能用在負(fù)載電流不太大的場(chǎng)合。圖3可使原穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)定電流及動(dòng)態(tài)電阻范圍得到較大的擴(kuò)展，穩(wěn)定性能可得到較大的改善。2.代換。圖4中的兩只三極管串聯(lián)可直接代換調(diào)光臺(tái)燈中的雙向觸發(fā)二極管；圖5中的三極管可代用8V左右的穩(wěn)壓管。圖6中的三極管可代用30V左右的穩(wěn)壓管。上述應(yīng)用時(shí)，三極管的基極均不使用。檢測(cè)晶體三極管時(shí)，選擇反應(yīng)靈敏的指針萬(wàn)用表。將萬(wàn)用表的量程調(diào)整至擋，并進(jìn)行調(diào)零校正。福建晶體二極管

半導(dǎo)體三極管的好壞檢測(cè)a;先選量程：R﹡100或R﹡1K檔位b;測(cè)量PNP型半導(dǎo)體三極管的發(fā)射極和集電極的正向電阻值:紅表筆接基極,黑表筆接發(fā)射極,所測(cè)得阻值為發(fā)射極正向電阻值,若將黑表筆接集電極(紅表筆不動(dòng)),所測(cè)得阻值便是集電極的正向電阻值,正向電阻值愈小愈好.c;測(cè)量PNP型半導(dǎo)體三極管的發(fā)射極和集電極的反向電阻值:將黑表筆接基極,紅表筆分別接發(fā)射極與集電極,所測(cè)得阻值分別為發(fā)射極和集電極的反向電阻,反向電阻愈小愈好.d;測(cè)量NPN型半導(dǎo)體三極管的發(fā)射極和集電極的正向電阻值的方法和測(cè)量PNP型半導(dǎo)體三極管的方法相反.LED發(fā)光二極管批發(fā)晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件。信賴(lài)之選深圳市凱軒業(yè)電子科技有限公司。

二穩(wěn)壓二極管的檢測(cè)1．正、負(fù)電極的判別從外形上看，金屬封裝穩(wěn)壓二極管管體的正極一端為平面形，負(fù)極一端為半圓面形。塑封穩(wěn)壓二極管管體上印有彩色標(biāo)記的一端為負(fù)極，另一端為正極。對(duì)標(biāo)志不清楚的穩(wěn)壓二極管，也可以用萬(wàn)用表判別其極性，測(cè)量的方法與普通二極管相同，即用萬(wàn)用表R×1k檔，將兩表筆分別接穩(wěn)壓二極管的兩個(gè)電極，測(cè)出一個(gè)結(jié)果后，再對(duì)調(diào)兩表筆進(jìn)行測(cè)量。在兩次測(cè)量結(jié)果中，阻值較小那一次，黑表筆接的是穩(wěn)壓二極管的正極，紅表筆接的是穩(wěn)壓二極管的負(fù)極。若測(cè)得穩(wěn)壓二極管的正、反向電阻均很小或均為無(wú)窮大，則說(shuō)明該二極管已擊穿或開(kāi)路損壞。

一、MOS管MOS管是電壓控制型器件，柵極（G）的電壓控制源極（S）和漏極（D）之間的電流。下面以NMOS為例圖示如下。NMOS管的原理圖示它們好像是一個(gè)受外界磁力控制的開(kāi)關(guān)，當(dāng)外面有紅色磁體時(shí)，好像柵極（G）加壓，內(nèi)部的黃色閥門(mén)就開(kāi)啟，綠色的電子好像水流一樣就會(huì)從源極（S）流到漏極（D）。剛開(kāi)始水流隨著閥門(mén)的開(kāi)啟增大而增大，這就是線(xiàn)性工作區(qū)。當(dāng)閥門(mén)開(kāi)到一定程度，水流不會(huì)再增大了，因?yàn)楣茏訚M(mǎn)了。這就是飽和區(qū)工作狀態(tài)。c根據(jù)其不同用途，可分為隔離二極管、肖特基二極管、發(fā)光二極管、硅功率開(kāi)關(guān)二極管、旋轉(zhuǎn)二極管等。

   CT---勢(shì)壘電容Cj---結(jié)（極間）電容，；表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下，鍺檢波二極管的總電容Cjv---偏壓結(jié)電容Co---零偏壓電容Cjo---零偏壓結(jié)電容Cjo/Cjn---結(jié)電容變化Cs---管殼電容或封裝電容Ct---總電容CTV---電壓溫度系數(shù)。在測(cè)試電流下，穩(wěn)定電壓的相對(duì)變化與環(huán)境溫度的變化之比CTC---電容溫度系數(shù)Cvn---標(biāo)稱(chēng)電容。

IF---正向直流電流（正向測(cè)試電流）。鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下，通過(guò)極間的電流；硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件下，在正弦半波中允許連續(xù)通過(guò)的最大工作電流（平均值），硅開(kāi)關(guān)二極管在額定功率下允許通過(guò)的最大正向直流電流；測(cè)穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時(shí)給定的電流 前者的優(yōu)點(diǎn)還有低功耗，大電流，超高速~！電氣特性當(dāng)然都是二極管阿！SS34 二極管供應(yīng)

晶體二極管在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場(chǎng)。福建晶體二極管

場(chǎng)效應(yīng)管(MOS管)1、場(chǎng)效應(yīng)管英文縮寫(xiě)：FET(Field-effecttransistor)2、場(chǎng)效應(yīng)管分類(lèi)：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管3、場(chǎng)效應(yīng)管電路符號(hào)：4、場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)引腳分別表示為:G(柵極),D(漏極),S(源極)注：場(chǎng)效應(yīng)管屬于電壓控制型元件，又利用多子導(dǎo)電故稱(chēng)單極型元件，且具有輸入電阻高，噪聲小，功耗低，無(wú)二次擊穿現(xiàn)象等優(yōu)點(diǎn)。5、場(chǎng)效應(yīng)晶體管的優(yōu)點(diǎn)：具有較高輸入電阻高、輸入電流低于零，幾乎不要向信號(hào)源吸取電流，在在基極注入電流的大小，直接影響集電極電流的大小，利用輸出電流控制輸出電源的半導(dǎo)體。福建晶體二極管