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3、高反向電阻點(diǎn)接觸型二極管正向電壓特性和一般用二極管相同。雖然其反方向耐壓也是特別地高,但反向電流小,因此其特長是反向電阻高。使用于高輸入電阻的電路和高阻負(fù)荷電阻的電路中,就鍺材料高反向電阻型二極管而言,SD54、1N54A 等等屬于這類二極管。4、高傳導(dǎo)點(diǎn)接觸型二極管它與高反向電阻型相反。其反向特性盡管很差,但使正向電阻變得足夠小。對高傳導(dǎo)點(diǎn)接觸型二極管而言,有 SD56、1N56A 等等。對高傳導(dǎo)鍵型二極管而言,能夠得到更優(yōu)良的特性。這類二極管,在負(fù)荷電阻特別低的情況下,整流效率較高??旎謴?fù)二極管,就選深圳市凱軒業(yè)科技有限公司??旎謴?fù)二極管生產(chǎn)企業(yè)
3、限幅元件二極管正向?qū)ê?,它的正向壓降基本保持不變(硅管?0.7V,鍺管為 0.3V)。利用這一特性,在電路中作為限幅元件,可以把信號幅度限制在一定范圍內(nèi)。4、繼流二極管在開關(guān)電源的電感中和繼電器等感性負(fù)載中起繼流作用。5、檢波二極管在收音機(jī)中起檢波作用。6、變?nèi)荻O管使用于電視機(jī)的高頻頭中。使用穩(wěn)壓二極管的關(guān)鍵是設(shè)計(jì)好它的電流值。穩(wěn)壓二極管的特點(diǎn)就是擊穿后,其兩端的電壓基本保持不變。 這樣,當(dāng)把穩(wěn)壓管接入電路以后,若由于電源電壓發(fā)生波動,或其它原因造成電路中各點(diǎn)電壓變動時(shí),負(fù)載兩端的電壓將基本保持不變。 快恢復(fù)二極管生產(chǎn)企業(yè)深圳市凱軒業(yè)科技快恢復(fù)二極管設(shè)計(jì)值得用戶放心。
二極管的工作原理晶體二極管為一個由 p 型半導(dǎo)體和 n 型半導(dǎo)體形成的 p-n 結(jié),在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層,并建有自建電場。當(dāng)不存在外加電壓時(shí),由于 p-n 結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí),外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時(shí),外界電場和自建電場進(jìn)一步加強(qiáng),形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流 I0。當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時(shí),p-n 結(jié)空間電荷層中的電場強(qiáng)度達(dá)到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過程,產(chǎn)生大量電子空穴對,產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流,稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。
半導(dǎo)體二極管主要是依靠 PN 結(jié)而工作的。與 PN 結(jié)不可分割的點(diǎn)接觸型和肖特基型,也被列入一般的二極管的范圍內(nèi)。包括這兩種型號在內(nèi),根據(jù) PN 結(jié)構(gòu)造面的特點(diǎn),把晶體二極管分類如下:1、點(diǎn)接觸型二極管點(diǎn)接觸型二極管是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后,再通過電流法而形成的。因此,其 PN 結(jié)的靜電容量小,適用于高頻電路。但是,與面結(jié)型相比較,點(diǎn)接觸型二極管正向特性和反向特性都差,因此,不能使用于大電流和整流。因?yàn)闃?gòu)造簡單,所以價(jià)格便宜。對于小信號的檢波、整流、調(diào)制、混頻和限幅等一般用途而言,它是應(yīng)用范圍較廣的類型。原裝芯片,廠家直銷快恢復(fù)二極管歡迎新老客戶咨詢。
6、平面型二極管在半導(dǎo)體單晶片(主要地是 N 型硅單晶片)上,擴(kuò)散 P 型雜質(zhì),利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用,在 N 型硅單晶片上但選擇性地?cái)U(kuò)散一部分而形成的 PN 結(jié)。因此,不需要為調(diào)整 PN 結(jié)面積的藥品腐蝕作用。由于半導(dǎo)體表面被制作得平整,故而得名。并且,PN 結(jié)合的表面,因被氧化膜覆蓋,所以公認(rèn)為是穩(wěn)定性好和壽命長的類型。較初,對于被使用的半導(dǎo)體材料是采用外延法形成的,故又把平面型稱為外延平面型。對平面型二極管而言,似乎使用于大電流整流用的型號很少,而作小電流開關(guān)用的型號則很多。 深圳市凱軒業(yè)科技是一家專業(yè)快恢復(fù)二極管方案設(shè)計(jì)公司,歡迎光臨咨詢喔!快恢復(fù)二極管生產(chǎn)企業(yè)
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大體意義上講,PN結(jié)的定義為:采用不同的摻雜工藝,通過擴(kuò)散作用,將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體基片上,一般半導(dǎo)體的材料選擇為硅或者鍺,在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。具體介紹PN結(jié)的形成大體分為三步,首先擴(kuò)散運(yùn)動,P區(qū)的空穴濃度遠(yuǎn)大于N區(qū)的自由電子濃度,因此,P區(qū)的空穴必然向N區(qū)擴(kuò)散,并與N區(qū)中的自由電子復(fù)合而消失;同樣,N區(qū)的自由電子必然向P區(qū)漂移,并與P區(qū)中的空穴復(fù)合而消失。其次是空間電荷區(qū)的產(chǎn)生,擴(kuò)散運(yùn)動導(dǎo)致了P區(qū)一側(cè)失去空穴而留下負(fù)離子,N區(qū)一側(cè)失去電子而留下正離子,這些不能移動的帶電離子稱為空間電荷,相應(yīng)地這個區(qū)域稱為空間電荷區(qū),較后由于有正離子和負(fù)離子,這樣在空間電荷區(qū)內(nèi)就會產(chǎn)生一個內(nèi)電場,內(nèi)電場的產(chǎn)生讓多子的擴(kuò)散和少子的漂移達(dá)到了一個動態(tài)平衡,較后形成了PN結(jié)。快恢復(fù)二極管生產(chǎn)企業(yè)