根據(jù)其鍍膜工藝的不同，氧化鈮靶材分為平面靶材和旋轉(zhuǎn)靶材兩種,所需的氧化鈮純度均要求達(dá)到。平面靶材的生產(chǎn)使用熱壓法,要求氧化鈮粉末粒度細(xì)且均勻,成形性能好;旋轉(zhuǎn)靶材采用熱噴涂法生產(chǎn),要求氧化鈮具有良好的流動(dòng)性及嚴(yán)格的粒度范圍。旋轉(zhuǎn)靶材是近些年新發(fā)展的一種靶材,與傳統(tǒng)的平面靶材相比,旋轉(zhuǎn)靶材相對(duì)于平面靶材來(lái)說(shuō)：1、利用率高（70％以上）,甚至可以達(dá)到90％;2、濺射速度快,為平面靶的2-3倍;3、減少打弧和表面掉渣的概率,工藝穩(wěn)定性好等突出點(diǎn),因此近年來(lái)逐步替代了平面靶材。針對(duì)國(guó)內(nèi)尚未能生產(chǎn)靶材級(jí)高純氧化鈮的現(xiàn)狀,在現(xiàn)有氧化鈮濕法冶金生產(chǎn)工藝的基礎(chǔ)上,以高純鈮液為原料,通過(guò)噴霧干燥造粒的方法實(shí)現(xiàn)對(duì)氧化鈮產(chǎn)品粒度和粒形的要求,制取滿(mǎn)足氧化鈮靶材尤其是氧化鈮旋轉(zhuǎn)靶材生產(chǎn)要求的球形高純氧化鈮產(chǎn)品。產(chǎn)品純度為、粒形為球形、粒度大小范圍為50-150μm的高純氧化鈮產(chǎn)品。與國(guó)外同行生產(chǎn)廠家以高純氧化鈮產(chǎn)品為原料,需經(jīng)過(guò)球磨、制漿、造粒、焙燒的工藝流程相比,具有工藝流程簡(jiǎn)單,生產(chǎn)成本低,粒度可控,產(chǎn)品成品率高的特點(diǎn)。產(chǎn)品完全能夠滿(mǎn)足生產(chǎn)氧化鈮旋轉(zhuǎn)靶材的要求。超大規(guī)模集成電路制造過(guò)程中要反復(fù)用到的濺射工藝屬于PVD技術(shù)的一種，是制備電子薄膜材料的主要技術(shù)之一。山東智能玻璃陶瓷靶材市場(chǎng)價(jià)

靶材預(yù)濺射建議采用純氬氣進(jìn)行濺射，可以起到清潔靶材表面的作用。靶材進(jìn)行預(yù)濺射時(shí)建議慢慢加大濺射功率，陶瓷類(lèi)靶材的功率加大速率建議為1.5W小時(shí)/平方厘米。金屬類(lèi)靶材的預(yù)濺射速度可以比陶瓷靶材快，一個(gè)合理的功率加大速率為1.5W小時(shí)/平方厘米。在進(jìn)行預(yù)濺射的同時(shí)需要檢查靶材起弧狀況，預(yù)濺射時(shí)間一般為10分鐘左右。如沒(méi)有起弧現(xiàn)象，繼續(xù)提升濺射功率到設(shè)定功率。根據(jù)經(jīng)驗(yàn)，一般應(yīng)確保冷卻水出水口的水溫應(yīng)低于35攝氏度，但非常重要的是確保冷卻水的循環(huán)系統(tǒng)能有效工作，通過(guò)冷卻水的快速循環(huán)帶走熱量，是確保能以較高功率連續(xù)濺射的一項(xiàng)重要保障。河南AZO陶瓷靶材價(jià)格咨詢(xún)?cè)诒粸R射的靶極（陰極）與陽(yáng)極之間加一個(gè)正交磁場(chǎng)和電場(chǎng)，在高真空室中充入所需要的惰性氣體。

靶材清潔的目的及方法：靶材清潔的目的是去除靶材表面可能存在的灰塵或污垢。金屬靶材可以通過(guò)四步清潔：第一步用浸泡過(guò)的無(wú)絨軟布清潔；第二步與第一步類(lèi)似用酒精清潔；第三步用去離子水清洗。在用去離子水清洗過(guò)后再將靶材放置在烘箱中以100攝氏度烘干30分鐘。氧化物及陶瓷靶材的清洗建議用“無(wú)絨布”進(jìn)行清潔。第四步用高壓低水氣的氬氣沖洗靶材，以除去所有可能在濺射系統(tǒng)中會(huì)造成起弧的雜質(zhì)微粒。我們建議用戶(hù)將靶材無(wú)論是金屬或陶瓷類(lèi)保存在真空包裝中，尤其是貼合靶材更需要保存在真空條件下，以避免貼合層氧化影響貼合質(zhì)量。

    超大規(guī)模集成電路制造過(guò)程中要反復(fù)用到的濺射（Sputtering）工藝屬于PVD技術(shù)的一種，是制備電子薄膜材料的主要技術(shù)之一，它利用離子源產(chǎn)生的離子，在高真空中經(jīng)過(guò)加速聚集，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動(dòng)能交換，使固體表面的原子離開(kāi)固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料，稱(chēng)為濺射靶材。一般來(lái)說(shuō)，濺射靶材主要由靶坯、背板等部分構(gòu)成，其中，靶坯是高速離子束流轟擊的目標(biāo)材料，屬于濺射靶材的主要部分，在濺射鍍膜過(guò)程中，靶坯被離子撞擊后，其表面原子被濺射飛散出來(lái)并沉積于基板上制成電子薄膜；由于高純度金屬?gòu)?qiáng)度較低，而濺射靶材需要安裝在特定的機(jī)臺(tái)內(nèi)完成濺射過(guò)程，機(jī)臺(tái)內(nèi)部為高電壓、高真空環(huán)境，因此，超高純金屬的濺射靶坯需要與背板通過(guò)不同的焊接工藝進(jìn)行接合，背板起到主要起到固定濺射靶材的作用，且需要具備良好的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能。 透明導(dǎo)電薄膜的種類(lèi)很多，主要有ITO，TCO，AZO等，其中ITO的性能比較好，ITO具有高透光率，低電阻率。

主要PVD方法的特點(diǎn)：（3）濺射鍍膜：在濺射鍍膜過(guò)程中，濺射靶材需要安裝在機(jī)臺(tái)中完成濺射反應(yīng)，濺射機(jī)臺(tái)專(zhuān)業(yè)性強(qiáng)、精密度高，市場(chǎng)長(zhǎng)期被美國(guó)、日本跨國(guó)集團(tuán)壟斷。（4）終端應(yīng)用：1）半導(dǎo)體芯片：?jiǎn)卧骷械慕橘|(zhì)層、導(dǎo)體層與保護(hù)層需要鉭、鎢、銅、鋁、鈦等金屬。2）平板顯示器件：為了保證大面積膜層的均勻性，提高生產(chǎn)率和降低成本，濺射技術(shù)鍍膜需要鉬、鋁、ITO等材料；3）薄膜太陽(yáng)能電池——第三代，濺射鍍膜工藝是被優(yōu)先選用的制備方法，靶材是不可或缺的原材料；4）計(jì)算機(jī)儲(chǔ)存器：磁信息存儲(chǔ)、磁光信息存儲(chǔ)和全光信息存儲(chǔ)等。在光盤(pán)、機(jī)械硬盤(pán)等記錄媒體，需要用鉻基、鈷基合金等金屬材料。靶材由“靶坯”和“背板”焊接而成。廣西AZO陶瓷靶材

濺射靶材開(kāi)裂原因生產(chǎn)中使用的冷卻水溫度與鍍膜線實(shí)際水溫存在差異，導(dǎo)致使用過(guò)程中靶材開(kāi)裂。山東智能玻璃陶瓷靶材市場(chǎng)價(jià)

從整體上看，ITO在光電綜合性能上高于AZO靶材，但AZO靶材的優(yōu)勢(shì)或?qū)榘胁膸?lái)降本空間。在相關(guān)實(shí)驗(yàn)中利用AZO靶材和ITO靶材制備了3組實(shí)驗(yàn)薄膜（共6份樣品）。實(shí)驗(yàn)中主要從光學(xué)性能和電學(xué)性能上對(duì)AZO薄膜和ITO薄膜進(jìn)行了對(duì)比。在特定情況下AZO靶材與ITO靶材電學(xué)性能差距縮小。根據(jù)比較終實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)來(lái)看，AZO薄膜和ITO薄膜的方塊電阻以及電阻率隨著薄膜的厚度增加而降低，并且隨著薄膜厚度的增加，AZO薄膜與ITO薄膜方塊電阻以及電阻率之間的差距逐步縮小。當(dāng)AZO薄膜厚度為640nm時(shí)，方塊電阻以及電阻率為32Ω?sq-1和20.48*10-4Ω?cm。AZO薄膜光學(xué)性能優(yōu)于ITO薄膜。ITO薄膜的光學(xué)性能隨著厚度的增加明顯變差，但是對(duì)于AZO薄膜，透射率并沒(méi)有隨著厚度的增加而明顯下降，在厚度為395nm時(shí)，高透射率光譜范圍比較寬，可見(jiàn)光區(qū)平均透射率比較高，光學(xué)總體性能比較好，可充當(dāng)透射率要求在85%以上的寬光譜透明導(dǎo)電薄膜的光學(xué)器件山東智能玻璃陶瓷靶材市場(chǎng)價(jià)