電池濕法設備Topcon工藝RCA槽式清洗設備主要功能去除多晶硅沉積的正面(LPCVD)PECVD繞鍍層，去除表面剩余的BSG。優(yōu)勢：閉環(huán)運動控制系統(tǒng)，保證輸送機構(gòu)運動平穩(wěn)性。l拋光槽：上表面采用水膜保護及輥輪帶液方式，完整的保護正面的同時，對背面作拋光處理。l烘干槽：采用高壓風機+高效過濾器的方式，l進口PLC控制，穩(wěn)步提升設備的產(chǎn)能。l采用機械臂慢提方式，設備滿足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻，槽內(nèi)控溫精度誤差＜±1℃l引進半導體清洗工藝，保證硅片表面的潔凈度。光伏電池濕法制絨設備，與多種主流工藝如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配，在設備結(jié)構(gòu)、功能、產(chǎn)能和安全性等方面進行了升級。光伏電池濕法制絨設備（HJT工藝）所有與液體接觸的材料均采用進口材質(zhì)，避免材料雜質(zhì)析出。西安新型濕法設備

電池濕法去PSG設備主要是對太陽能電池用硅片進行清洗處理，雙六道大產(chǎn)能去PSG清洗設備，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性、產(chǎn)能、安全性升級。去PSG工藝首先將繞擴層PSG進行去除，利用背面PSG保護，在槽式清洗中完成去繞度工藝。為尋求更為穩(wěn)定的硅片傳輸，整機設計為雙五道/雙六道分布結(jié)構(gòu)，料臺歸正寬度可調(diào)，兼容更多規(guī)格的硅片，并為后續(xù)18X硅片更大產(chǎn)能改造提供了預留窗口；去PSG設備布局前后通透，給設備使用者提供了便捷性；上料臺搭配了大流量全新滴液泵；南京HJT濕法設備廠家濕法刻蝕設備（Perc 工藝）去硅片除背面PSG和拋光處理。

電池濕法設備的成本因設備規(guī)模、生產(chǎn)能力、設備品質(zhì)等因素而異。一般來說，電池濕法設備的成本包括設備本身的采購費用、安裝調(diào)試費用、運行維護費用等。設備本身的采購費用是影響成本的主要因素之一，一般來說，設備規(guī)模越大，生產(chǎn)能力越高，設備品質(zhì)越好，成本也就越高。此外，設備的運行維護費用也是影響成本的重要因素之一，包括能源消耗、人工維護費用、設備壽命等。因此，在選擇電池濕法設備時，需要綜合考慮設備的采購費用、運行維護費用等因素，以確保設備的成本合理、經(jīng)濟。

光伏電池濕法設備Topcon工藝，拋清洗設備，功能是去除背面BSG和拋光處理。l閉環(huán)運動控制系統(tǒng)，保證輸送機構(gòu)運動平穩(wěn)性。l拋光槽：上表面采用水膜保護及輥輪帶液方式，完整的保護正面的同時，對背面作拋光處理。l烘干槽：采用高壓風機+高效過濾器的方式，l鏈式去BSG+槽式堿拋設備，設備產(chǎn)能大，穩(wěn)定性好。l進口PLC控制，穩(wěn)步提升設備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機械臂慢提方式，設備滿足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢。l可配套無金屬化制程設備，提高設備潔凈度。l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻，槽內(nèi)控溫精度誤差＜±1℃。電池濕法制絨設備（Topcon工藝）增加背鈍化膜的膜厚均勻性。

光伏電池濕法設備Topcon工藝，拋清洗設備，功能是去除背面BSG和拋光處理。l閉環(huán)運動控制系統(tǒng)，保證輸送機構(gòu)運動平穩(wěn)性。l拋光槽：上表面采用水膜保護及輥輪帶液方式，完整的保護正面的同時，對背面作拋光處理。l烘干槽：采用高壓風機+高效過濾器的方式，l鏈式去BSG+槽式堿拋設備，設備產(chǎn)能大，穩(wěn)定性好。l進口PLC控制，穩(wěn)步提升設備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機械臂慢提方式，設備滿足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢。l可配套無金屬化制程設備，提高設備潔凈度。l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻，槽內(nèi)控溫精度誤差＜±1℃。電池濕法設備的生產(chǎn)流程環(huán)保節(jié)能，減少對環(huán)境的影響，實現(xiàn)綠色制造和可持續(xù)發(fā)展。安徽HJT濕法設備報價

電池濕法背拋清洗設備（Topcon工藝）慢提拉采用機械臂慢提方式，設備滿足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢。西安新型濕法設備

電池濕法去PSG設備主要是對太陽能電池用硅片進行清洗處理，2022年成功研發(fā)雙六道大產(chǎn)能去PSG清洗設備，并實現(xiàn)量產(chǎn)，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性、產(chǎn)能、安全性升級。去PSG工藝首先將繞擴層PSG進行去除，利用背面PSG保護，在槽式清洗中完成去繞度工藝。為尋求更為穩(wěn)定的硅片傳輸，整機設計為雙五道/雙六道分布結(jié)構(gòu)，料臺歸正寬度可調(diào)，兼容更多規(guī)格的硅片，并為后續(xù)18X硅片更大產(chǎn)能改造提供了預留窗口；去PSG設備布局前后通透，給設備使用者提供了便捷性；上料臺搭配了大流量全新滴液泵；西安新型濕法設備