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工業(yè)濕法設(shè)備HJT工藝

來源: 發(fā)布時間:2024-02-25

電池濕法設(shè)備Topcon工藝RCA槽式清洗設(shè)備主要功能去除多晶硅沉積的正面(LPCVD)PECVD繞鍍層,去除表面剩余的BSG。優(yōu)勢:閉環(huán)運(yùn)動控制系統(tǒng),保證輸送機(jī)構(gòu)運(yùn)動平穩(wěn)性。l拋光槽:上表面采用水膜保護(hù)及輥輪帶液方式,完整的保護(hù)正面的同時,對背面作拋光處理。l烘干槽:采用高壓風(fēng)機(jī)+高效過濾器的方式,l進(jìn)口PLC控制,穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l采用機(jī)械臂慢提方式,設(shè)備滿足干濕分離,匹配高效電池發(fā)展趨勢l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆?,槽?nèi)控溫精度誤差<±1℃l引進(jìn)半導(dǎo)體清洗工藝,保證硅片表面的潔凈度。電池濕法制絨設(shè)備(Topcon工藝)增加背鈍化膜的膜厚均勻性。工業(yè)濕法設(shè)備HJT工藝

工業(yè)濕法設(shè)備HJT工藝,濕法

要降低電池濕法設(shè)備的成本,可以從以下幾個方面入手:1.選用合適的設(shè)備:在購買設(shè)備時,要根據(jù)實際需求選擇合適的設(shè)備,不要盲目追求高級設(shè)備,以免造成不必要的浪費。2.優(yōu)化工藝流程:通過優(yōu)化工藝流程,可以減少設(shè)備的使用量和能耗,從而降低成本。例如,可以采用更高效的電解液、調(diào)整電流密度等。3.控制原材料成本:原材料是電池濕法設(shè)備的主要成本之一,要盡可能地降低原材料成本。可以通過采購優(yōu)良、低價的原材料、與供應(yīng)商談判降低價格等方式實現(xiàn)。4.加強(qiáng)設(shè)備維護(hù):定期對設(shè)備進(jìn)行維護(hù)和保養(yǎng),可以延長設(shè)備壽命,減少故障率,從而降低維修和更換設(shè)備的成本。5.提高生產(chǎn)效率:通過提高生產(chǎn)效率,可以減少生產(chǎn)時間和能耗,從而降低成本。可以采用自動化生產(chǎn)線、提高工人技能水平等方式實現(xiàn)??傊档碗姵貪穹ㄔO(shè)備的成本需要從多個方面入手,需要綜合考慮各種因素,才能實現(xiàn)更佳效果。上海高效濕法三頭濕法刻蝕設(shè)備(Perc 工藝)拋光槽:上表面采用水膜保護(hù)及輥輪帶液方式,完整的保護(hù)正面的同時。

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光伏電池濕法設(shè)備Topcon工藝,拋清洗設(shè)備,功能是去除背面BSG和拋光處理。l閉環(huán)運(yùn)動控制系統(tǒng),保證輸送機(jī)構(gòu)運(yùn)動平穩(wěn)性。l拋光槽:上表面采用水膜保護(hù)及輥輪帶液方式,完整的保護(hù)正面的同時,對背面作拋光處理。l烘干槽:采用高壓風(fēng)機(jī)+高效過濾器的方式,l鏈?zhǔn)饺SG+槽式堿拋設(shè)備,設(shè)備產(chǎn)能大,穩(wěn)定性好。l進(jìn)口PLC控制,穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機(jī)械臂慢提方式,設(shè)備滿足干濕分離,匹配高效電池發(fā)展趨勢。l可配套無金屬化制程設(shè)備,提高設(shè)備潔凈度。l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆?,槽?nèi)控溫精度誤差<±1℃。

電池濕法設(shè)備能改善電池表面微觀結(jié)構(gòu),提升硅片表面潔凈度,降低表面污染,從而提升電池轉(zhuǎn)化效率。濕法設(shè)備:釜川生產(chǎn)制造的濕法設(shè)備能與多種主流工藝如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配,在設(shè)備結(jié)構(gòu)、功能、產(chǎn)能和安全性等方面進(jìn)行了升級。其作用是對太陽能電池用硅片進(jìn)行清洗制絨處理,從而提升電池的質(zhì)量和效率。 HJT裝備與材料:包含制絨清洗設(shè)備、PECVD設(shè)備、PVD設(shè)備、金屬化設(shè)備等。 電鍍銅設(shè)備:采用金屬銅完全代替銀漿作為柵線電極,具備低成本、高效率等優(yōu)勢。 光伏電池濕法制絨設(shè)備(HJT工藝)所有與液體接觸的材料均采用進(jìn)口材質(zhì),避免材料雜質(zhì)析出。

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專業(yè)濕法設(shè)備HJT工藝功能是去除切割損傷層和表面臟污l使用強(qiáng)堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面,增加硅片對太陽光的吸收,降低反射率l增加硅片表面積,進(jìn)而PN結(jié)面積也相應(yīng)增加。設(shè)備優(yōu)勢是進(jìn)口PLC控制,兼容MES,UPS和RFID功能。機(jī)械手分配合理,有效避免藥液交叉污染和槽體反應(yīng)超時。工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆颍蹆?nèi)控溫精度誤差<±1℃。所有與液體接觸的材料均采用進(jìn)口材質(zhì),避免材料雜質(zhì)析出;引進(jìn)半導(dǎo)體清洗工藝,保證硅片表面的潔凈度。斜拉式慢提拉結(jié)構(gòu),有效提升脫水能力,匹配高效電池發(fā)展趨勢。采用低溫烘干技術(shù),保證槽內(nèi)的潔凈度和溫度均勻性。電池濕法設(shè)備的生產(chǎn)過程中,需要使用一些特殊的材料和化學(xué)試劑,需要注意安全。合肥晶片濕法設(shè)備報價

電池濕法背拋清洗設(shè)備(Topcon工藝)可配套無金屬化制程設(shè)備,提高設(shè)備潔凈度。工業(yè)濕法設(shè)備HJT工藝

光伏濕法設(shè)備包括濕法制絨設(shè)備(Perc 工藝)、制絨設(shè)備(Topcon工藝)、濕法刻蝕設(shè)備(Perc 工藝)、RCA槽式清洗設(shè)備(Topcon工藝)、電池濕法背拋清洗設(shè)備(Topcon工藝)、濕法制絨設(shè)備(HJT工藝)、電池濕法背拋清洗設(shè)備(XBC工藝)、制絨清洗設(shè)備(XBC工藝)等;釜川生產(chǎn)制造的濕法設(shè)備能與多種主流工藝如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配,在設(shè)備結(jié)構(gòu)、功能、產(chǎn)能和安全性等方面進(jìn)行了升級。其作用是對太陽能電池用硅片進(jìn)行清洗制絨處理,從而提升電池的質(zhì)量和效率。工業(yè)濕法設(shè)備HJT工藝