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廣州自動(dòng)化異質(zhì)結(jié)低銀

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-03-04

異質(zhì)結(jié)電池為對(duì)稱的雙面結(jié)構(gòu),主要由 N 型單晶硅片襯底、正面和背面的本征/摻雜非晶硅薄膜層、雙面的透明導(dǎo)電氧化薄膜(TCO) 層和金屬電極構(gòu)成。其中,本征非晶硅層起到表面鈍化作用,P型摻雜非晶硅層為發(fā)射層,N 型摻雜非晶硅層起到背場(chǎng)作用。HJT電池轉(zhuǎn)換效率高,拓展?jié)摿Υ?,工藝?jiǎn)單并且降本路線清晰,契合了光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展的規(guī)律,是有潛力的下一代電池技術(shù)。HJT電池為對(duì)稱的雙面結(jié)構(gòu),主要由 N 型單晶硅片襯底、正面和背面的本征/摻雜非晶硅薄膜層、雙面的透明導(dǎo)電氧化薄膜(TCO) 層和金屬電極構(gòu)成。其中,本征非晶硅層起到表面鈍化作用,P型摻雜非晶硅層為發(fā)射層,N 型摻雜非晶硅層起到背場(chǎng)作用。釜川高效異質(zhì)結(jié)電池濕法制絨設(shè)備全線采用臭氧工藝,降低了運(yùn)營(yíng)材料成本。廣州自動(dòng)化異質(zhì)結(jié)低銀

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異質(zhì)結(jié)HJT電池生產(chǎn)設(shè)備,制絨清洗的主要目的。1去除硅片表面的污染和損傷層;2利用KOH腐蝕液對(duì)n型硅片進(jìn)行各項(xiàng)異性腐蝕,將Si(100)晶面腐蝕為Si(111)晶面的四方椎體結(jié)構(gòu)(“金字塔結(jié)構(gòu)”),即在硅片表面形成絨面,可將硅片表面反射率降低至12.5%以下,從而產(chǎn)生更多的光生載流子;3形成潔凈硅片表面,由于HJT電池中硅片襯底表面直接為異質(zhì)結(jié)界面的一部分,避免不潔凈引進(jìn)的缺陷和雜質(zhì)而帶來(lái)的結(jié)界面處載流子的復(fù)合。堿溶液濃度較低時(shí),單晶硅的(100)與(111)晶面的腐蝕速度差別比較明顯,速度的比值被稱為各向異性因子(anisotropicfactorAF);因此改變堿溶液的濃度及溫度,可以有效地改變AF,使得在不同方向上的速度不同,在硅片表面形成密集分布的“金字塔”結(jié)構(gòu)的減反射絨面;在制絨工序,絨面大小為主要指標(biāo),一般可通過添加劑的選擇、工藝配比的變化、工藝溫度及工藝時(shí)間等來(lái)進(jìn)行調(diào)節(jié)控制。 合肥單晶硅異質(zhì)結(jié)費(fèi)用光伏異質(zhì)結(jié)電池的使用壽命長(zhǎng),具有長(zhǎng)期穩(wěn)定的能源供應(yīng)能力。

光伏高效異質(zhì)結(jié)電池整線解決方案,產(chǎn)業(yè)機(jī)遇:方向清晰:HJT技術(shù)工藝流程短、功率衰減低、輸出功率穩(wěn)定、雙面發(fā)電增益高、未來(lái)主流技術(shù)方向;時(shí)間明確:HJT平均量產(chǎn)效率已超過PERC瓶頸(25%),行業(yè)對(duì)HJT電池投入持續(xù)加大,電池商業(yè)化已逐漸成熟;機(jī)遇可期:設(shè)備與耗材是HJT規(guī)?;年P(guān)鍵,降本增效是不變的主題,具備HJT整線整合能力的供應(yīng)商優(yōu)勢(shì)明顯。當(dāng)前HJT生產(chǎn)成本約:硅片占比約50%,銀漿占比約25%,靶材約6%左右;當(dāng)前HJT設(shè)備成本約:清洗制絨設(shè)備、PECVD設(shè)備、PVD設(shè)備、絲網(wǎng)印刷,設(shè)備投資額占比分別約10%、50%、25%和15%。

光伏異質(zhì)結(jié)電池生產(chǎn)設(shè)備,異質(zhì)結(jié)TCO的作用:在形成a-Si:H/c-Si異質(zhì)結(jié)后,電池被用一個(gè)~80納米的透明導(dǎo)電氧化物接觸。~80納米薄的透明導(dǎo)電氧化物(TCO)層和前面的金屬網(wǎng)格。透明導(dǎo)電氧化物通常是摻有Sn的InO(ITO)或摻有Al的ZnO。通常,TCO也被用來(lái)在電池的背面形成一個(gè)介電鏡。因此,為了理解和優(yōu)化整個(gè)a-Si:H/c-Si太陽(yáng)能電池,還必須考慮TCO對(duì)電池光電性能的影響。由于其高摻雜度,TCO的電子行為就像一個(gè)電荷載流子遷移率相當(dāng)?shù)偷慕饘?,而TCO/a-Si:H結(jié)的電子行為通常被假定為類似于金屬-半導(dǎo)體結(jié)。  TCO的功函數(shù)對(duì)TCO/a-Si:H/c-Si結(jié)構(gòu)中的帶狀排列以及電荷載流子在異質(zhì)結(jié)上的傳輸起著重要作用。此外,TCO在大約10納米薄的a-Si:H上的沉積通常采用濺射工藝;在此,應(yīng)該考慮到在該濺射工藝中損壞脆弱的a-Si:H/c-Si界面的可能性,并且在工藝優(yōu)化中必須考慮到。光伏異質(zhì)結(jié)技術(shù)的研發(fā)和應(yīng)用,為推動(dòng)綠色能源產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和壯大做出了重要貢獻(xiàn)。

異高效質(zhì)結(jié)電池HJT是HeterojunctionTechnology的縮寫,是一種N型單晶雙面電池,具有工藝簡(jiǎn)單、發(fā)電量高、度電成本低的優(yōu)勢(shì)。異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池使用晶體硅片進(jìn)行載流子傳輸和吸收,并使用非晶/或微晶薄硅層進(jìn)行鈍化和結(jié)的形成。頂部電極由透明導(dǎo)電氧化物(TCO)層和金屬網(wǎng)格組成。異質(zhì)結(jié)硅太陽(yáng)能電池已經(jīng)吸引了很多人的注意,因?yàn)樗鼈兛梢赃_(dá)到很高的轉(zhuǎn)換效率,可達(dá)26.3%,由隆基團(tuán)隊(duì)對(duì)HJT極限效率進(jìn)行更新為28.5%,同時(shí)使用低溫度加工,通常整個(gè)過程低于200℃。低加工溫度允許處理厚度小于100微米的硅晶圓,同時(shí)保持高產(chǎn)量。異質(zhì)結(jié)電池主工藝之一:金屬化設(shè)備。廣州0bb異質(zhì)結(jié)銅電鍍產(chǎn)線

釜川提供高效異質(zhì)結(jié)電池整線設(shè)備濕法制絨設(shè)備、PVD、PECVD、電鍍銅設(shè)備等。廣州自動(dòng)化異質(zhì)結(jié)低銀

異質(zhì)結(jié)電池具備光電轉(zhuǎn)化效率提升潛力高、更大的降成本空間、更高的雙面率、可有效降低熱損失、更低的光致衰減、制備工藝簡(jiǎn)單等特點(diǎn),為光伏領(lǐng)域帶來(lái)了新的希望。釜川(無(wú)錫)智能科技有限公司,以半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備、太陽(yáng)能電池生產(chǎn)設(shè)備為主要產(chǎn)品,打造光伏設(shè)備一體化服務(wù)。擁有強(qiáng)大的科研團(tuán)隊(duì),憑借技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力,在清洗制絨設(shè)備、PECVD設(shè)備、PVD設(shè)備、電鍍銅設(shè)備等方面都有獨(dú)特優(yōu)勢(shì);以高效加工制造、快速終端交付的能力,為客戶提供整線工藝設(shè)備的交付服務(wù)。廣州自動(dòng)化異質(zhì)結(jié)低銀