目視可檢查出較為嚴重的氧化，對于氧化后的電子元器件，或棄之不用，或去氧化處理合格后再用。一般處理氧化層采用外力擦、刮；微酸清洗；涂抹助焊劑，然后搪錫使用。（表面貼裝元器件因其封裝體積小，氧化一般不易處理，通常退回廠家換貨或報廢處理）元器件是否氧化除目檢以外，還有較為復雜詳細的可焊性試驗檢測標準，條件不具備的，可用手工、波峰焊或回流焊方法，對元器件進行批次抽樣試焊。電子元器件儲存條件及儲存期見下表：元器件可焊面的污染在電子產(chǎn)品生產(chǎn)中，元器件要經(jīng)過來料接收清點、存儲、發(fā)料、成型和插件（THT工藝）、SMC和SMD的上下料、貼裝和手工補焊等工序或操作，難免會產(chǎn)生灰塵、油污及汗?jié)n的污染，造成電子元器件焊面的可焊性下降。在電子裝聯(lián)生產(chǎn)場所，保持潔凈的生產(chǎn)環(huán)境，穿戴防護用品，嚴格按操作規(guī)程操作，是防止元器件污染的有效措施。元器件引腳變形SMD器件，特別是其中細腳間間距的QFP、SOP封裝器件，引腳極易損傷變形，引腳共面性變差，貼裝后，部分引腳未緊貼焊盤，造成虛焊，見下圖1：預防:對細間距貼裝IC，用**工具取放，切記不能用手直接觸碰引腳，操作過程中，防止IC跌落，QFP常用盤裝，SOP一般為桿式包裝。生產(chǎn)過程中切忌彎曲）。252封裝場效應管盟科電子做得很不錯。。好的場效應管推薦廠家

結(jié)型場效應管的管腳識別：場效應管的柵極相當于晶體管的基極，源極和漏極分別對應于晶體管的發(fā)射極和集電極。將萬用表置于R×1k檔，用兩表筆分別測量每兩個管腳間的正、反向電阻。當某兩個管腳間的正、反向電阻相等，均為數(shù)KΩ時，則這兩個管腳為漏極D和源極S（可互換），余下的一個管腳即為柵極G。對于有4個管腳的結(jié)型場效應管，另外一極是屏蔽極（使用中接地）。用萬用表黑表筆碰觸管子的一個電極，紅表筆分別碰觸另外兩個電極。若兩次測出的阻值都很小，說明均是正向電阻，該管屬于N溝道場效應管，黑表筆接的也是柵極。制造工藝決定了場效應管的源極和漏極是對稱的，可以互換使用，并不影響電路的正常工作，所以不必加以區(qū)分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐。注意不能用此法判定絕緣柵型場效應管的柵極。因為這種管子的輸入電阻極高，柵源間的極間電容又很小，測量時只要有少量的電荷，就可在極間電容上形成很高的電壓，容易將管子損壞。東莞有什么場效應管推薦廠家國內(nèi)場效應管品牌有哪些？

2N7002和2N7002K是一款帶ESD防靜電保護的場效應管，封裝形式為SOT-23，深圳市盟科電子科技有限公司從2010年成立至今一直專注場效應管的研發(fā)、生產(chǎn)和應用。主要生產(chǎn)場效應管，三極管，二極管，可控硅，LDO等。質(zhì)量可靠，且提供全程的售前售后服務。這款2N7002產(chǎn)品是N溝道增強型帶靜電保護MOS，ESD可達2000V，其電壓BVDSS是大于60V，電流ID可達300mA，阻抗Rdon在VGS@10V檔位下典型值為1歐姆，開啟電壓VGS(th)典型值在2-4V。本款產(chǎn)品包裝為3000PCS，標準絲印為7002和02K，也可以支持ODM定制，交期大多在15天就可以產(chǎn)出。主要用于電腦主板，鍵盤鼠標等。

盟科MK3004N大功率MOS用于榨汁機，手持咖啡機，破壁機等家電產(chǎn)品，其內(nèi)阻可以做到4毫歐以為，芯片面積大，EAS雪崩能力強，可達40A，電流可達100A，電壓為30V，N溝道的場效應管，封裝形式為貼片TO-252，產(chǎn)品穩(wěn)定，可以提供樣品測試，技術(shù)支持，深圳盟科電子科技有限公司坐落于深圳市寶安區(qū)，成立于2010年，主要專注場效應管的研發(fā)，制造還有應用，同時還有三極管，二極管，穩(wěn)壓管，LDO等產(chǎn)品，主要領(lǐng)域為消費類市場，歡迎客戶洽談合作。盟科電子場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。

場效應管是只要一種載流子參與導電，用輸入電壓控制輸出電流的半導體器件。有N溝道器件和P溝道器件。有結(jié)型場效應三極管JFET(JunctionFieldEffectTransister)和絕緣柵型場效應三極管FET之分。FET也稱金屬-氧化物-半導體三極管MOSFET。MOS場效應管有增強型（EnhancementMOS或EMOS）和耗盡型(MOS或DMOS）兩大類，每一類有N溝道和P溝道兩種導電類型。場效應管有三個電極：D(Drain)稱為漏極，相當雙極型三極管的集電極；G(Gate)稱為柵極，相當于雙極型三極管的基極；S(Source)稱為源極，相當于雙極型三極管的發(fā)射極。增強型MOS(EMOS)場效應管MOSFET根本上是一種左右對稱的拓撲構(gòu)造，它是在P型半導體上生成一層SiO2薄膜絕緣層，然后用光刻工藝擴散兩個高摻雜的N型區(qū)，從N型區(qū)引出電極，一個是漏極D，一個是源極S。在源極和漏極之間的絕緣層上鍍一層金屬鋁作為柵極G。P型半導體稱為襯底(substrat)，用符號B表示。工作原理1．溝道構(gòu)成原理當Vgs=0V時，漏源之間相當兩個背靠背的二極管，在D、S之間加上電壓，不會在D、S間構(gòu)成電流。當柵極加有電壓時，若0＜Vgs＜Vgs(th)時（VGS(th)稱為開啟電壓），經(jīng)過柵極和襯底間的電容作用，將靠近柵極下方的P型半導體中的空穴向下方排擠。252封裝MOS管選擇深圳盟科電子。佛山場效應管哪家便宜

加濕器用到了MK15N10場效應管，15A 100V的N型MOS管。好的場效應管推薦廠家

場效應晶體管可分為結(jié)場效應晶體管和MOS場效應晶體管，而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。絕緣柵場效應管是由金屬、氧化物和半導體所組成，所以又稱為金屬—氧化物—半導體場效應管，簡稱MOS場效應管。絕緣柵型場效應管的工作原理(以N溝道增強型MOS場效應管為例)它是利用UGS來控制“感應電荷”的多少，以改變由這些“感應電荷”形成的導電溝道的狀況，然后達到控制漏極電流的目的。在制造管子時，通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子，故在交界面的另一側(cè)能感應出較多的負電荷，這些負電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通，形成了導電溝道，即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。當柵極電壓改變時，溝道內(nèi)被感應的電荷量也改變，導電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。好的場效應管推薦廠家

深圳市盟科電子科技有限公司致力于電子元器件，是一家生產(chǎn)型的公司。公司自成立以來，以質(zhì)量為發(fā)展，讓匠心彌散在每個細節(jié)，公司旗下MOSFETs,場效應管，開關(guān)二極管，三極管 ，三端穩(wěn)壓管 LDO，集成電路IC 整流器深受客戶的喜愛。公司從事電子元器件多年，有著創(chuàng)新的設(shè)計、強大的技術(shù)，還有一批專業(yè)化的隊伍，確保為客戶提供良好的產(chǎn)品及服務。盟科電子秉承“客戶為尊、服務為榮、創(chuàng)意為先、技術(shù)為實”的經(jīng)營理念，全力打造公司的重點競爭力。