場(chǎng)效應(yīng)管好壞與極性判別:將萬(wàn)用表的量程選擇在RX1K檔,用黑表筆接D極,紅表筆接S極,用手同時(shí)觸及一下G,D極,場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)呈瞬時(shí)導(dǎo)通狀態(tài),即表針擺向阻值較小的位置,再用手觸及一下G,S極,場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)無(wú)反應(yīng),即表針回零位置不動(dòng).此時(shí)應(yīng)可判斷出場(chǎng)效應(yīng)管為好管.將萬(wàn)用表的量程選擇在RX1K檔,分別測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管三個(gè)管腳之間的電阻阻值,若某腳與其他兩腳之間的電阻值均為無(wú)窮大時(shí),并且再交換表筆后仍為無(wú)窮大時(shí),則此腳為G極,其它兩腳為S極和D極.然后再用萬(wàn)用表測(cè)量S極和D極之間的電阻值一次,交換表筆后再測(cè)量一次,其中阻值較小的一次,黑表筆接的是S極,紅表筆接的是D極.功率mos管選擇深圳盟科電子。江門高壓場(chǎng)效應(yīng)管

場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件。而三極管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管。而在信號(hào)源電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)用三極管。場(chǎng)效應(yīng)管靠多子導(dǎo)電，管中運(yùn)動(dòng)的只是一種極性的載流子；三極管既用多子，又利用少子。由于多子濃度不易受外因的影響，因此在環(huán)境變化較強(qiáng)烈的場(chǎng)合，采用場(chǎng)效應(yīng)管比較合適。場(chǎng)效應(yīng)管的輸入電阻高，適用于高輸入電阻的場(chǎng)合。場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)小，適用于低噪聲放大器的前置級(jí)。中壓場(chǎng)效應(yīng)管生產(chǎn)過(guò)程盟科MK3400參數(shù)是可以替代AO3400的。

場(chǎng)效應(yīng)管是只要一種載流子參與導(dǎo)電，用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件。有N溝道器件和P溝道器件。有結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)三極管JFET(JunctionFieldEffectTransister)和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)三極管FET之分。FET也稱金屬-氧化物-半導(dǎo)體三極管MOSFET。MOS場(chǎng)效應(yīng)管有增強(qiáng)型（EnhancementMOS或EMOS）和耗盡型(MOS或DMOS）兩大類，每一類有N溝道和P溝道兩種導(dǎo)電類型。場(chǎng)效應(yīng)管有三個(gè)電極：D(Drain)稱為漏極，相當(dāng)雙極型三極管的集電極；G(Gate)稱為柵極，相當(dāng)于雙極型三極管的基極；S(Source)稱為源極，相當(dāng)于雙極型三極管的發(fā)射極。增強(qiáng)型MOS(EMOS)場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET根本上是一種左右對(duì)稱的拓?fù)錁?gòu)造，它是在P型半導(dǎo)體上生成一層SiO2薄膜絕緣層，然后用光刻工藝擴(kuò)散兩個(gè)高摻雜的N型區(qū)，從N型區(qū)引出電極，一個(gè)是漏極D，一個(gè)是源極S。在源極和漏極之間的絕緣層上鍍一層金屬鋁作為柵極G。P型半導(dǎo)體稱為襯底(substrat)，用符號(hào)B表示。工作原理1．溝道構(gòu)成原理當(dāng)Vgs=0V時(shí)，漏源之間相當(dāng)兩個(gè)背靠背的二極管，在D、S之間加上電壓，不會(huì)在D、S間構(gòu)成電流。當(dāng)柵極加有電壓時(shí)，若0＜Vgs＜Vgs(th)時(shí)（VGS(th)稱為開(kāi)啟電壓），經(jīng)過(guò)柵極和襯底間的電容作用，將靠近柵極下方的P型半導(dǎo)體中的空穴向下方排擠。

為了安全地使用場(chǎng)效應(yīng)管，在線路的設(shè)計(jì)中不能超過(guò)管子的耗散功率。比較大漏源電壓、比較大柵源電壓和最大電流等參數(shù)的極限值。各類型場(chǎng)效應(yīng)管在使用時(shí)，都要嚴(yán)格按要求的偏置接入電路中，要遵守場(chǎng)效應(yīng)管偏置的極性。如結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵源漏之間是PN結(jié)。N溝道管柵極不能加正偏壓，P溝道管柵極不能加負(fù)偏壓等等。MOS場(chǎng)效應(yīng)管由于輸入阻抗極高，所以，在運(yùn)輸、貯藏中必須將引出腳短路。要用金屬屏蔽包裝，以防止外來(lái)感應(yīng)電勢(shì)將柵極擊穿。尤其要注意，不能將MOS場(chǎng)效應(yīng)管放入塑料盒子內(nèi)，保存時(shí)比較好放在金屬盒內(nèi)同時(shí)也要注意管子的防潮。為了防止場(chǎng)效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿，要求一切測(cè)試儀器、工作臺(tái)、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地，管腳在焊接時(shí)，先焊源極；在連入電路之前。管的全部引線端保持互相短接的狀態(tài)，焊接完后才把短接材科去掉，從元器件架上取下管子時(shí)，應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等；當(dāng)然，如果能采用先進(jìn)的氣熱型電烙鐵焊接場(chǎng)效應(yīng)管是比較方便的，并且可確保安全在未關(guān)斷電源時(shí)，相對(duì)不可以把管插入電路或從電路中拔出。以上的安全措施在使用場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)必須注意。盟科MK6802參數(shù)是可以替代AO6802的。

MOS場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)試方法(1)．準(zhǔn)備工作測(cè)量之前，先把人體對(duì)地短路后，才能摸觸MOSFET的管腳。在手腕上接一條導(dǎo)線與大地連通，使人體與大地保持等電位。再把管腳分開(kāi)，然后拆掉導(dǎo)線。(2)．判定電極將萬(wàn)用表?yè)苡赗×100檔，首先確定柵極。若某腳與其它腳的電阻都是無(wú)窮大，證明此腳就是柵極G。交換表筆重測(cè)量，S-D之間的電阻值應(yīng)為幾百歐至幾千歐，其中阻值較小的那一次，黑表筆接的為D極，紅表筆接的是S極。(3)．檢查放大能力(跨導(dǎo))將G極懸空，黑表筆接D極，紅表筆接S極，然后用手指觸摸G極，表針應(yīng)有較大的偏轉(zhuǎn)。雙柵MOS場(chǎng)效應(yīng)管有兩個(gè)柵極G1、G2。為區(qū)分之，可用手分別觸摸G1、G2極，其中表針向左側(cè)偏轉(zhuǎn)幅度較大的為G2極。目前有的MOSFET管在G-S極間增加了保護(hù)二極管，平時(shí)就不需要把各管腳短路了。MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在使用時(shí)應(yīng)注意分類，不能隨意互換。MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管由于輸入阻抗高(包括MOS集成電路)極易被靜電擊穿，使用時(shí)應(yīng)注意以下規(guī)則：(1).MOS器件出廠時(shí)通常裝在黑色的導(dǎo)電泡沫塑料袋中，切勿自行隨便拿個(gè)塑料袋裝。也可用細(xì)銅線把各個(gè)引腳連接在一起，或用錫紙包裝。2).取出的MOS器件不能在塑料板上滑動(dòng)，應(yīng)用金屬盤來(lái)盛放待用器件。(3).焊接用的電烙鐵必須良好接地。低壓mos管選擇深圳盟科電子。惠州電路保護(hù)場(chǎng)效應(yīng)管加工廠

盟科電子有做SOT-23場(chǎng)效應(yīng)管。江門高壓場(chǎng)效應(yīng)管

2N7002和2N7002K是一款帶ESD防靜電保護(hù)的場(chǎng)效應(yīng)管，封裝形式為SOT-23，深圳市盟科電子科技有限公司從2010年成立至今一直專注場(chǎng)效應(yīng)管的研發(fā)、生產(chǎn)和應(yīng)用。主要生產(chǎn)場(chǎng)效應(yīng)管，三極管，二極管，可控硅，LDO等。質(zhì)量可靠，且提供全程的售前售后服務(wù)。這款2N7002產(chǎn)品是N溝道增強(qiáng)型帶靜電保護(hù)MOS，ESD可達(dá)2000V，其電壓BVDSS是大于60V，電流ID可達(dá)300mA，阻抗Rdon在VGS@10V檔位下典型值為1歐姆，開(kāi)啟電壓VGS(th)典型值在2-4V。本款產(chǎn)品包裝為3000PCS，標(biāo)準(zhǔn)絲印為7002和02K，也可以支持ODM定制，交期大多在15天就可以產(chǎn)出。主要用于電腦主板，鍵盤鼠標(biāo)等。江門高壓場(chǎng)效應(yīng)管

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