場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以由各種半導(dǎo)體制成，其中硅是目前常見的。大多數(shù)場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用傳統(tǒng)的批量半導(dǎo)體加工技術(shù)并由單晶半導(dǎo)體晶片作為有源區(qū)或溝道制造而成。特殊的基體材料包括非晶硅、多晶硅、其他非晶半導(dǎo)體以及薄膜晶體管、有機(jī)半導(dǎo)體基有機(jī)晶體管(OFET)。有機(jī)晶體管的柵極絕緣體和電極通常是由有機(jī)材料制成。這種特殊的場(chǎng)效應(yīng)晶體管使用各種材料制造，例如碳化硅(SiC)、砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)和砷化銦鎵(InGaAs)。2011年6月，IBM宣布已成功地將石墨烯基場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)用于集成電路中。這些晶體管的頻率上限約為2.23 GHz，比標(biāo)準(zhǔn)硅基場(chǎng)效應(yīng)晶體管高得多。 場(chǎng)效應(yīng)管由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。深圳氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管價(jià)格

場(chǎng)效應(yīng)管電極：所有的FET都有柵極（gate）、漏極（drain）、源極（source）三個(gè)端，分別大致對(duì)應(yīng)BJT的基極（base）、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）。除JFET以外，所有的FET也有第四端，被稱為體（body）、基（base）、塊體（bulk）或襯底（substrate）。這個(gè)第四端可以將晶體管調(diào)制至運(yùn)行；在電路設(shè)計(jì)中，很少讓體端發(fā)揮大的作用，但是當(dāng)物理設(shè)計(jì)一個(gè)集成電路的時(shí)候，它的存在就是重要的。在圖中柵極的長(zhǎng)度（length）L，是指源和漏的距離。寬度（width）是指晶體管的范圍，在圖中和橫截面垂直。通常情況下寬度比長(zhǎng)度大得多。長(zhǎng)度1微米的柵極限制較高頻率約為5GHz，0.2微米則是約30GHz。 廣州品質(zhì)場(chǎng)效應(yīng)管在場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，當(dāng)以線性模式工作時(shí)，電子可以沿任意方向流過溝道。

現(xiàn)行有兩種命名方法。第一種命名方法與雙極型三極管相同，第三位字母J代結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，O代絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。第二位字母代材料，D是P型硅，反型層是N溝道；C是N型硅P溝道。例如,3DJ6D是結(jié)型N溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管，3DO6C是絕緣柵型N溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管。第二種命名方法是CS××#，CS代場(chǎng)效應(yīng)管，××以數(shù)字代型號(hào)的序號(hào)，#用字母代同一型號(hào)中的不同規(guī)格。例如CS14A、CS45G等。場(chǎng)效應(yīng)管的作用：場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻。場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。

場(chǎng)效應(yīng)管非常重要的一個(gè)作用是作開關(guān)作用，作開關(guān)時(shí)候多數(shù)應(yīng)用于各類電子負(fù)載控制、開關(guān)電源開關(guān)管，MOS管非常明顯的特性是開關(guān)特性好，對(duì)于NMOS來說，Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適合用于源極接地時(shí)的情況，也就是所謂的低端驅(qū)動(dòng)，只要柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了。而對(duì)于PMOS來說，Vgs小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適合用于源極接VCC時(shí)的情況，也就是驅(qū)動(dòng)。但是，雖然PMOS可以很方便地用作驅(qū)動(dòng)，但由于導(dǎo)通電阻大，價(jià)格貴，替換種類少等原因，在驅(qū)動(dòng)中，通常還是使用NMOS。如下圖是某開關(guān)電源其中一部分電路圖，在這里的Q1場(chǎng)效應(yīng)管用作PWM調(diào)制器或開關(guān)穩(wěn)壓控制器的功率開關(guān)管。 場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)很小，在低噪聲放大電路的輸入級(jí)及要求信噪比較高的電路中要選用場(chǎng)效應(yīng)管。

場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件。而三極管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管。而在信號(hào)源電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)用三極管。場(chǎng)效應(yīng)管靠多子導(dǎo)電，管中運(yùn)動(dòng)的只是一種極性的載流子；三極管既用多子，又利用少子。由于多子濃度不易受外因的影響，因此在環(huán)境變化較強(qiáng)烈的場(chǎng)合，采用場(chǎng)效應(yīng)管比較合適。場(chǎng)效應(yīng)管的輸入電阻高，適用于高輸入電阻的場(chǎng)合。場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)小，適用于低噪聲放大器的前置級(jí)。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管也可由溝道和柵極之間的絕緣方法來區(qū)分。惠州N+P場(chǎng)效應(yīng)管價(jià)格

場(chǎng)效應(yīng)管極間電容場(chǎng)效應(yīng)管三個(gè)電極之間的電容，它的值越小表示管子的性能越好。深圳氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管價(jià)格

場(chǎng)效應(yīng)管的檢測(cè)方法:（1）準(zhǔn)備工作測(cè)量之前，先把人體對(duì)地短路后，才能摸觸MOSFET的管腳。比較好在手腕上接一條導(dǎo)線與大地連通，使人體與大地保持等電位。再把管腳分開，然后拆掉導(dǎo)線。（2）判定電極將萬用表?yè)苡赗×100檔，首先確定柵極。若某腳與其它腳的電阻都是無窮大，證明此腳就是柵極G。交換表筆重測(cè)量，S-D之間的電阻值應(yīng)為幾百歐至幾千歐，其中阻值較小的那一次，黑表筆接的為D極，紅表筆接的是S極。日本生產(chǎn)的3SK系列產(chǎn)品，S極與管殼接通，據(jù)此很容易確定S極。（3）檢查放大能力（跨導(dǎo)）將G極懸空，黑表筆接D極，紅表筆接S極，然后用手指觸摸G極，表針應(yīng)有較大的偏轉(zhuǎn)。雙柵MOS場(chǎng)效應(yīng)管有兩個(gè)柵極G1、G2。為區(qū)分之，可用手分別觸摸G1、G2極，其中表針向左側(cè)偏轉(zhuǎn)幅度較大的為G2極。 深圳氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管價(jià)格

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