一、半導體二極管1、英文縮寫:D(Diode),電路符號是2、半導體二極管的分類分類:a按材質分:硅二極管和鍺二極管;b按用途分:整流二極管,檢波二極管,穩(wěn)壓二極管,發(fā)光二極管,光電二極管,變容二極管。3、半導體二極管在電路中常用“D”加數字表示,如:D5表示編號為5的半導體二極管。4、半導體二極管的導通電壓是:a;硅二極管在兩極加上電壓,并且電壓大于.B;鍺二極管在兩極加上電壓,并且電壓大于.5、半導體二極管主要特性是單向導電性,也就是在正向電壓的作用下,導通電阻很?。欢诜聪螂妷鹤饔孟聦娮铇O大或無窮大。6、半導體二極管可分為整流、檢波、發(fā)光、光電、變容等作用。7、半導體二極管的識別方法:a;目視法判斷半導體二極管的極性:一般在實物的電路圖中可以通過眼睛直接看出半導體二極管的正負極.在實物中如果看到一端有顏色標示的是負極,另外一端是正極.b;用萬用表(指針表)判斷半導體二極管的極性:通常選用萬用表的歐姆檔(R﹡100或R﹡1K),然后分別用萬用表的兩表筆分別出接到二極管的兩個極上出,當二極管導通,測的阻值較小(一般幾十歐姆至幾千歐姆之間),這時黑表筆接的是二極管的正極,紅表筆接的是二極管的負極.當測的阻值很大(一般為幾百至幾千歐姆)。藍牙音響客戶有什么mos可以用的?東莞有什么場效應管產品介紹
MOS場效應管也被稱為金屬氧化物半導體場效應管(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor,MOSFET)。它一般有耗盡型和增強型兩種。增強型MOS場效應管可分為N溝道型和P溝道型。對于N溝道的場效應管其源極和漏極接在N型半導體上,同樣對于P溝道的場效應管其源極和漏極則接在P型半導體上。場效應管的輸出電流是由輸入的電壓(或稱電場)控制,可以認為輸入電流極小或沒有輸入電流,這使得該器件有很高的輸入阻抗,同時這也是我們稱之為場效應管的原因。在二極管加上正向電壓(P端接正極,N端接負極)時,二極管導通,其PN結有電流通過。這是因為在P型半導體端為正電壓時,N型半導體內的負電子被吸引而涌向加有正電壓的P型半導體端,而P型半導體端內的正電子則朝N型半導體端運動,從而形成導通電流。同理,當二極管加上反向電壓(P端接負極,N端接正極)時,這時在P型半導體端為負電壓,正電子被聚集在P型半導體端,負電子則聚集在N型半導體端,電子不移動,其PN結沒有電流通過,二極管截止。在柵極沒有電壓時,由前面分析可知,在源極與漏極之間不會有電流流過,此時場效應管處與截止狀態(tài)。品質場效應管供應場效應管是電壓控制電流器件,由vGS控制iD,其放大系數gm一般較小,因此場效應管的放大能力較差。
則該三極管是PNP型半導體三極管.8、現在常見的三極管大部分是塑封的,如何準確判斷三極管的三只引腳哪個是b、c、e?三極管的b極很容易測出來,但怎么斷定哪個是c哪個是e?a;這里推薦三種方法:第一種方法:對于有測三極管hFE插孔的指針表,先測出b極后,將三極管隨意插到插孔中去(當然b極是可以插準確的),測一下hFE值,b;然后再將管子倒過來再測一遍,測得hFE值比較大的一次,各管腳插入的位置是正確的。第二種方法:對無hFE測量插孔的表,或管子太大不方便插入插孔的,可以用這種方法:對NPN管,先測出b極(管子是NPN還是PNP以及其b腳都很容易測出,是吧?),將表置于R×1kΩ檔,將紅表筆接假設的e極(注意拿紅表筆的手不要碰到表筆尖或管腳),黑表筆接假設的c極,同時用手指捏住表筆尖及這個管腳,將管子拿起來,用你的舌尖舔一下b極,看表頭指針應有一定的偏轉,如果你各表筆接得正確,指針偏轉會大些,如果接得不對,指針偏轉會小些,差別是很明顯的。由此就可判定管子的c、e極。對PNP管,要將黑表筆接假設的e極(手不要碰到筆尖或管腳),紅表筆接假設的c極,同時用手指捏住表筆尖及這個管腳,然后用舌尖舔一下b極,如果各表筆接得正確,表頭指針會偏轉得比較大。
絕緣柵型場效應管是一種利用半導體表面的電場效應,由感應電荷的多少改變導電溝道來控制漏極電流的器件,它的柵極與半導體之間是絕緣的,其電阻大于10億Ω。增強型:VGS=0時,漏源之間沒有導電溝道,在VDS作用下無iD。耗盡型:VGS=0時,漏源之間有導電溝道,在VDS作用下iD。1.結構和符號(以N溝道增強型為例),在一塊濃度較低的P型硅上擴散兩個濃度較高的N型區(qū)作為漏極和源極,半導體表面覆蓋二氧化硅絕緣層并引出一個電極作為柵極。2.工作原理(以N溝道增強型為例)(1)VGS=0時,不管VDS極性如何,其中總有一個PN結反偏,所以不存在導電溝道。VGS=0,ID=0VGS必須大于0管子才能工作。(2)VGS>0時,在SiO2介質中產生一個垂直于半導體表面的電場,排斥P區(qū)多子空穴而吸引少子電子。當VGS達到一定值時P區(qū)表面將形成反型層把兩側的N區(qū)溝通,形成導電溝道。VGS>0→g吸引電子→反型層→導電溝道VGS↑→反型層變厚→VDS↑→ID↑(3)VGS≥VT時而VDS較小時:VDS↑→ID↑VT:開啟電壓,在VDS作用下開始導電時的VGS°VT=VGS—VDS(4)VGS>0且VDS增大到一定值后,靠近漏極的溝道被夾斷,形成夾斷區(qū)。盟科有SOT-23封裝形式的MOS管。
通常拆封后烘烤方式來去除板內濕氣,烘烤條件為110~120℃,1h。(**長時間不要超過h)?;鸢逭婵瞻b前后之存放條件:溫度<30℃,相對濕度<60%.真空包裝后有效保存時間半年。儲存時間超過六個月時,為了避免板材儲藏濕氣造成爆板,通常拆封后用烘烤方式來去除板內濕氣,烘烤條件為120℃,1h。(**長時間不要超過2h)。噴錫板真空包裝前后之存放條件:溫度<25℃,相對濕度<60%.真空包裝后有效保存時間一年。儲存時間超過六個月時,為了避免板材儲藏濕氣造成爆板,通常拆封后用烘烤方式來去除板內濕氣,烘烤條件為120℃,1h。(**長時間不要超過h)。PCB污染造成虛焊及預防:PCB板在生產過程中,PCB收貨、存儲,SMT印刷、貼片,THT插件、波峰焊等工序,操作人員都要與PCB接觸,灰塵、油污及汗?jié)n均會污染焊盤,從而使PCB可焊性下降,造成虛焊。保持潔凈的生產環(huán)境,按生產工藝操作規(guī)程操作,是避免PCB污染的良好習慣。發(fā)現有污染的PCB,應清洗除污烘干后方可使用。PCB變形造成虛焊及預防:PCB變形后,元件貼裝的共面性變差,部分元件腳與焊盤懸空(距離較小,可能不然會造成空焊),造成虛焊。特別是SMT工藝中的BGA、QFP封裝元件。形成虛焊的可能性較大。盟科電子MOS管可以方便地用作恒流源?;葜軹O-252場效應管多少錢
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簡稱晶體管)是內部含有2個PN結,并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型兩種類型,這兩種類型的三極管從工作特性上可互相彌補,所謂OTL電路中的對管就是由PNP型和NPN型配對使用。按材料來分可分硅和鍺管,我國目前生產的硅管多為NPN型,鍺管多為PNP型。4、半導體三極管放大的條件:要實現放大作用,必須給三極管加合適的電壓,即管子發(fā)射結必須具備正向偏壓,而集電極必須反向偏壓,這也是三極管的放大必須具備的外部條件。5、半導體三極管的主要參數a;電流放大系數:對于三極管的電流分配規(guī)律Ie=Ib+Ic,由于基極電流Ib的變化,使集電極電流Ic發(fā)生更大的變化,即基極電流Ib的微小變化控制了集電極電流較大,這就是三極管的電流放大原理。即β=ΔIc/ΔIb。b;極間反向電流,集電極與基極的反向飽和電流。c;極限參數:反向擊穿電壓,集電極比較大允許電流、集電極比較大允許功率損耗。6、半導體三極管具有三種工作狀態(tài),放大、飽和、截止,在模擬電路中一般使用放大作用。飽和和截止狀態(tài)一般合用在數字電路中。a;半導體三極管的三種基本的放大電路。b;三極管三種放大電路的區(qū)別及判斷可以從放大電路中通過交流信號的傳輸路徑來判斷,沒有交流信號通過的極。東莞有什么場效應管產品介紹
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