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湖南集成電路芯片測(cè)試機(jī)哪家好

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2023-07-10

盡管每款獨(dú)特的電路設(shè)計(jì)要求的功能測(cè)試條件都不一樣,但很多時(shí)候我們還是能找到他們的相同之處,比如一些可以通過(guò)功能測(cè)試去驗(yàn)證的參數(shù),我們就可以總結(jié)出一些標(biāo)準(zhǔn)的方法。開(kāi)短路測(cè)試原理(通俗叫O/S),開(kāi)短路測(cè)試,是基于產(chǎn)品本身管腳的ESD防靜電保護(hù)二極管的正向?qū)▔航档脑磉M(jìn)行測(cè)試。 進(jìn)行開(kāi)短路測(cè)試的器件管腳,對(duì)地或者對(duì)電源端,或者對(duì)地和對(duì)電源,都有ESD保護(hù)二極管,利用二極管正向?qū)ǖ脑恚涂梢耘袆e該管腳的通斷情況。芯片測(cè)試機(jī)包括測(cè)試頭和測(cè)試座來(lái)測(cè)試芯片。湖南集成電路芯片測(cè)試機(jī)哪家好

一般說(shuō)來(lái),是根據(jù)設(shè)計(jì)要求進(jìn)行測(cè)試,不符合設(shè)計(jì)要求的就是不合格。而設(shè)計(jì)要求,因產(chǎn)品不同而各不相同,有的IC需要測(cè)試大量的參數(shù),有的則只需要測(cè)試很少的參數(shù)。事實(shí)上,一個(gè)具體的IC,并不一定要經(jīng)歷上面提到的全部測(cè)試,而經(jīng)歷多道測(cè)試工序的IC,具體在哪個(gè)工序測(cè)試哪些參數(shù),也是有很多種變化的,這是一個(gè)復(fù)雜的系統(tǒng)工程。例如對(duì)于芯片面積大、良率高、封裝成本低的芯片,通??梢圆贿M(jìn)行wafertest,而芯片面積小、良率低、封裝成本高的芯片,Z好將很多測(cè)試放在wafertest環(huán)節(jié),及早發(fā)現(xiàn)不良品,避免不良品混入封裝環(huán)節(jié),無(wú)謂地增加封裝成本。浙江全自動(dòng)芯片測(cè)試機(jī)價(jià)位芯片測(cè)試機(jī)可以進(jìn)行鐘控測(cè)試,用于測(cè)量邏輯門延時(shí)。

存儲(chǔ)器,芯片往往集成著各種類型的存儲(chǔ)器(例如ROM/RAM/Flash),為了測(cè)試存儲(chǔ)器讀寫和存儲(chǔ)功能,通常在設(shè)計(jì)時(shí)提前加入BIST(Built-In SelfTest)邏輯,用于存儲(chǔ)器自測(cè)。芯片通過(guò)特殊的管腳配置進(jìn)入各類BIST功能,完成自測(cè)試后BIST模塊將測(cè)試結(jié)果反饋給Tester。ROM(Read-Only Memory)通過(guò)讀取數(shù)據(jù)進(jìn)行CRC校驗(yàn)來(lái)檢測(cè)存儲(chǔ)內(nèi)容是否正確。RAM(Random-Access Memory)通過(guò)除檢測(cè)讀寫和存儲(chǔ)功能外,有些測(cè)試還覆蓋DeepSleep的Retention功能和Margin Write/Read等等。Embedded Flash除了正常讀寫和存儲(chǔ)功能外,還要測(cè)試擦除功能。Wafer還需要經(jīng)過(guò)Baking烘烤和Stress加壓來(lái)檢測(cè)Flash的Retention是否正常。還有Margin Write/Read、Punch Through測(cè)試等等。

DC/AC Test,DC測(cè)試包括芯片Signal PIN的Open/Short測(cè)試,電源PIN的PowerShort測(cè)試,以及檢測(cè)芯片直流電流和電壓參數(shù)是否符合設(shè)計(jì)規(guī)格。AC測(cè)試檢測(cè)芯片交流信號(hào)質(zhì)量和時(shí)序參數(shù)是否符合設(shè)計(jì)規(guī)格。RF Test,對(duì)于無(wú)線通信芯片,RF的功能和性能至關(guān)重要。CP中對(duì)RF測(cè)試來(lái)檢測(cè)RF模塊邏輯功能是否正確。FT時(shí)還要對(duì)RF進(jìn)行更進(jìn)一步的性能測(cè)試。其他Function Test,芯片其他功能測(cè)試,用于檢測(cè)芯片其他重要的功能和性能是否符合設(shè)計(jì)規(guī)格。CP測(cè)試的目的就是在封裝前就把壞的芯片篩選出來(lái),以節(jié)省封裝的成本。同時(shí)可以更直接的知道Wafer 的良率。CP測(cè)試可檢查fab廠制造的工藝水平。芯片測(cè)試機(jī)通常連接到計(jì)算機(jī)上進(jìn)行測(cè)試。

芯片測(cè)試的流程,芯片測(cè)試的主要流程包括測(cè)試方案設(shè)計(jì)、測(cè)試系統(tǒng)構(gòu)建、芯片樣品測(cè)試和測(cè)試結(jié)果分析等步驟。測(cè)試方案設(shè)計(jì)階段需要根據(jù)芯片的具體需求和測(cè)試目的,確定測(cè)試平臺(tái)、測(cè)試方法和數(shù)據(jù)采集方式等;測(cè)試系統(tǒng)構(gòu)建階段則需要選用合適的測(cè)試設(shè)備、測(cè)試軟件和試驗(yàn)工具,搭建出符合測(cè)試要求的完整測(cè)試系統(tǒng);芯片樣品測(cè)試階段則通過(guò)測(cè)試平臺(tái)對(duì)芯片進(jìn)行各項(xiàng)測(cè)試,記錄測(cè)試數(shù)據(jù)和結(jié)果;然后在測(cè)試結(jié)果分析階段對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行處理、統(tǒng)計(jì)推斷和評(píng)估分析,得到較終的測(cè)試結(jié)論并給出相應(yīng)建議。芯片測(cè)試機(jī)具有穩(wěn)定性和可重復(fù)性,適用于大量測(cè)試。上海常規(guī)倒裝芯片測(cè)試機(jī)價(jià)位

芯片測(cè)試機(jī)還可進(jìn)行溫度測(cè)試以測(cè)試芯片運(yùn)行的穩(wěn)定性。湖南集成電路芯片測(cè)試機(jī)哪家好

自動(dòng)下料機(jī)構(gòu)52下料時(shí),首先將一個(gè)空的tray盤放置于第二料倉(cāng)51的第二移動(dòng)底板47上,并將該空的tray盤置于第二料倉(cāng)51的開(kāi)口部。檢測(cè)合格的芯片放置于該空的tray盤中。當(dāng)該tray盤中已放滿檢測(cè)后的芯片后,伺服電機(jī)43帶動(dòng)滾珠絲桿45轉(zhuǎn)動(dòng),滾珠絲桿45帶動(dòng)tray盤向下移動(dòng)一定距離,然后移載裝置20將自動(dòng)上料裝置40空的tray盤移載至自動(dòng)下料裝置50放置,并將空的tray盤放置于自動(dòng)下料裝置50的放滿芯片的tray盤的上方,并上下疊放。吸嘴基板232上固定有多個(gè)真空發(fā)生器27,該真空發(fā)生器27與真空吸盤25、真空吸嘴26相連。本實(shí)施例可通過(guò)真空吸盤25和/或真空吸嘴26吸取芯片。本實(shí)施例的機(jī)架10上還固定有顯示器110,通過(guò)顯示器110顯示測(cè)試機(jī)的運(yùn)行,同時(shí)機(jī)架10上還固定有三色顯示燈120,通過(guò)顯示燈顯示測(cè)試機(jī)的不同的工作狀態(tài)。本測(cè)試機(jī)的工控箱、測(cè)試機(jī)主機(jī)、電控箱等均固定于機(jī)架10上。本發(fā)明在另一實(shí)施例中公開(kāi)了一種芯片測(cè)試機(jī)的測(cè)試方法。湖南集成電路芯片測(cè)試機(jī)哪家好

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