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上海半導(dǎo)體芯片測(cè)試機(jī)行價(jià)

來源: 發(fā)布時(shí)間:2023-07-14

測(cè)試如何體現(xiàn)在設(shè)計(jì)的過程中,下圖表示的是設(shè)計(jì)公司在進(jìn)行一個(gè)新的項(xiàng)目的時(shí)候的一般流程,從市場(chǎng)需求出發(fā),到產(chǎn)品tape out進(jìn)行制造,包含了系統(tǒng)設(shè)計(jì)、邏輯設(shè)計(jì)、電路設(shè)計(jì)、物理設(shè)計(jì),到然后開始投入制造。較下面一欄標(biāo)注了各個(gè)設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)中對(duì)于測(cè)試的相關(guān)考慮,從測(cè)試架構(gòu)、測(cè)試邏輯設(shè)計(jì)、測(cè)試模式產(chǎn)生、到各種噪聲/延遲/失效模式綜合、進(jìn)而產(chǎn)生測(cè)試pattern,然后在制造完成后進(jìn)行測(cè)試,對(duì)測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行分析,從而分析失效模式,驗(yàn)證研發(fā)。芯片測(cè)試機(jī)可以檢測(cè)芯片的性能和缺陷。上海半導(dǎo)體芯片測(cè)試機(jī)行價(jià)

Probe Card---乃是Tester與wafer上的DUT之間其中一個(gè)連接介面,目的在連接Tester Channel 與待測(cè)DUT。大部分為鎢銅或鈹銅,也有鈀等其他材質(zhì);材質(zhì)的選擇需要強(qiáng)度高、導(dǎo)電性及不易氧化等特性,樣子如下面所示。當(dāng) probe card 的探針正確接觸wafer內(nèi)一顆 die的每個(gè)bond pads后, 送出start信號(hào)通過Interface給tester開始測(cè)試, tester完成測(cè)試送回分類訊號(hào) ( End of test) 給Prober, 量產(chǎn)時(shí)必須 tester 與 prober 做連接(docking) 才能測(cè)試。較終測(cè)試(FT,或者封裝測(cè)試):就是在圖(3)中的Package Device上進(jìn)行測(cè)試.下圖就是一個(gè)完整的FT的測(cè)試系統(tǒng)。對(duì)比wafer test,其中硬件部分,prober換成了handler,其作用是一樣的,handler的主要作用是機(jī)械手臂,抓取DUT,放在測(cè)試區(qū)域,由tester對(duì)其進(jìn)行測(cè)試,然后handler再根據(jù)tester的測(cè)試結(jié)果,抓取DUT放到相應(yīng)的區(qū)域,比如好品區(qū),比如壞品1類區(qū),壞品2類區(qū)等。北京Prober芯片測(cè)試機(jī)定制芯片測(cè)試機(jī)可以為芯片測(cè)試工程師提供可靠的測(cè)試報(bào)告。

芯片測(cè)試的目的及原理介紹,測(cè)試在芯片產(chǎn)業(yè)價(jià)值鏈上的位置,如下面這個(gè)圖表,一顆芯片較終做到終端產(chǎn)品上,一般需要經(jīng)過芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、晶圓測(cè)試、封裝、成品測(cè)試、板級(jí)封裝等這些環(huán)節(jié)。在整個(gè)價(jià)值鏈中,芯片公司需要主導(dǎo)的環(huán)節(jié)主要是芯片設(shè)計(jì)和測(cè)試,其余的環(huán)節(jié)都可以由相應(yīng)的partner來主導(dǎo)或者完成。所以,測(cè)試本身就是設(shè)計(jì),這個(gè)是需要在較初就設(shè)計(jì)好了的,對(duì)于設(shè)計(jì)公司來說,測(cè)試至關(guān)重要,不亞于電路設(shè)計(jì)本身。RF Test: 測(cè)試芯片里面RF模塊的功能及性能參數(shù)。

芯片測(cè)試的過程是將封裝后的芯片置于各種環(huán)境下測(cè)試其電氣特性,如消耗功率、運(yùn)行速度、耐壓度等。經(jīng)測(cè)試后的芯片,依其電氣特性劃分為不同等級(jí)。而特殊測(cè)試則是根據(jù)客戶特殊需求的技術(shù)參數(shù),從相近參數(shù)規(guī)格、品種中拿出部分芯片,做有針對(duì)性的專門測(cè)試,看是否能滿足客戶的特殊需求,以決定是否須為客戶設(shè)計(jì)專門使用芯片。經(jīng)一般測(cè)試合格的產(chǎn)品貼上規(guī)格、型號(hào)及出廠日期等標(biāo)識(shí)的標(biāo)簽并加以包裝后即可出廠。而未通過測(cè)試的芯片則視其達(dá)到的參數(shù)情況定作降級(jí)品或廢品。芯片測(cè)試機(jī)可以測(cè)試芯片的信號(hào)幅度和靈敏度。

O/S測(cè)試有兩種測(cè)試方法:靜態(tài)測(cè)(也可以叫DC測(cè)試法),測(cè)試方法為:首先,所有的信號(hào)管腳需要預(yù)置為“0”,這可以通過定義所有管腳為輸入并由測(cè)試機(jī)施加 VIL來實(shí)現(xiàn), 所有的電源管腳給0V, VSS連接到地(Ground),已上圖測(cè)試PIN1為例,從PIN1端Force 電流I1 約 -100ua,PIN1對(duì)GND端的二極管導(dǎo)通,此時(shí)可量測(cè)到PIN1端的電壓為二極管壓降-0.65V左右。如果二極管壓降在-0.2V~-1.5V之間為PASS,大于1.5v為Open,小于0.2V為Short。同樣從PIN1端Force 電流I2 約 100ua,PIN1對(duì)VDD端的二極管導(dǎo)通,此時(shí)可量測(cè)到PIN1端的電壓為二極管壓降0.65V左右。如果二極管壓降在-0.2V~-1.5V之間為PASS,大于1.5v為Open,小于0.2V為Short。芯片測(cè)試機(jī)可以進(jìn)行超時(shí)測(cè)試,用于測(cè)試芯片在極端條件下的穩(wěn)定性。上海半導(dǎo)體芯片測(cè)試機(jī)行價(jià)

芯片測(cè)試機(jī)可以用于進(jìn)行芯片的時(shí)序分析。上海半導(dǎo)體芯片測(cè)試機(jī)行價(jià)

芯片測(cè)試設(shè)備利用基于數(shù)字信號(hào)處理(DSP)的測(cè)試技術(shù)來測(cè)試混合信號(hào)芯片與傳統(tǒng)的測(cè)試技術(shù)相比有許多優(yōu)勢(shì)。芯片測(cè)試設(shè)備由于能并行地進(jìn)行參數(shù)測(cè)試,所以能減少測(cè)試時(shí)間;由于能把各個(gè)頻率的信號(hào)分量區(qū)分開來(也就是能把噪聲和失真從測(cè)試頻率或者其它頻率分量中分離出來),所以能增加測(cè)試的精度和可重復(fù)性。由于擁有很多陣列處理函數(shù),比如說求平均數(shù)等,這對(duì)混合信號(hào)測(cè)試非常有用。芯片測(cè)試設(shè)備運(yùn)行原理如上所示,為了測(cè)試大規(guī)模的芯片以及集成電路,用戶需要對(duì)芯片測(cè)試設(shè)備的運(yùn)行原理了解清楚更有利于芯片測(cè)試設(shè)備的選擇。上海半導(dǎo)體芯片測(cè)試機(jī)行價(jià)

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