本發(fā)明的芯片測(cè)試機(jī)還包括加熱裝置，部分型號(hào)的芯片在測(cè)試前可能需要進(jìn)行高溫加熱或低溫冷卻。當(dāng)待測(cè)試芯片移載至測(cè)試裝置后，可以通過頭一移動(dòng)機(jī)構(gòu)帶動(dòng)高溫加熱頭移動(dòng)至測(cè)試裝置的上方，然后由下壓機(jī)構(gòu)帶動(dòng)高溫加熱頭向下移動(dòng)，并由高溫加熱頭對(duì)芯片進(jìn)行高溫加熱或低溫冷卻，滿足對(duì)芯片高溫加熱或低溫冷卻的要求。加熱裝置還包括預(yù)加熱緩存機(jī)構(gòu)，當(dāng)芯片需要進(jìn)行高溫測(cè)試的時(shí)候，為了提高加熱效率，可以先將多個(gè)待測(cè)試芯片移動(dòng)至預(yù)加熱工作臺(tái)的多個(gè)預(yù)加熱工位進(jìn)行預(yù)加熱，在測(cè)試的時(shí)候，可以減少高溫加熱頭加熱的時(shí)間，提高測(cè)試效率。芯片測(cè)試機(jī)既可以進(jìn)行數(shù)字測(cè)試，也可以進(jìn)行模擬測(cè)試。安徽CPU芯片測(cè)試機(jī)

測(cè)試系統(tǒng)的基本工作機(jī)制：對(duì)測(cè)試機(jī)進(jìn)行編寫程序，從而使得測(cè)試機(jī)產(chǎn)生任何類型的信號(hào)，多個(gè)信號(hào)一起組成測(cè)試模式或測(cè)試向量，在時(shí)間軸的某一點(diǎn)上向DUT施加一個(gè)測(cè)試向量，將DUT產(chǎn)生的輸出反饋輸入測(cè)試機(jī)的儀器中測(cè)量其參數(shù)，把測(cè)量結(jié)果與存儲(chǔ)在測(cè)試機(jī)中的“編程值”進(jìn)行比較，如果測(cè)量結(jié)果在可接受公差范圍內(nèi)匹配測(cè)試機(jī)中的“編程值”，那么這顆DUT就會(huì)被認(rèn)為是好品，反之則是壞品，按照其失效的種類進(jìn)行記錄。晶圓測(cè)試(wafer test,或者CP-chip probering)：就是在晶圓上直接進(jìn)行測(cè)試，下面圖中就是一個(gè)完整的晶圓測(cè)試自動(dòng)化系統(tǒng)。上海多功能芯片測(cè)試機(jī)市價(jià)芯片測(cè)試機(jī)可以進(jìn)行周期測(cè)試，測(cè)試電路在不同電壓和溫度下的表現(xiàn)。

CP測(cè)試內(nèi)容和測(cè)試方法：1、SCAN，SCAN用于檢測(cè)芯片邏輯功能是否正確。DFT設(shè)計(jì)時(shí)，先使用DesignCompiler插入ScanChain，再利用ATPG（Automatic Test Pattern Generation）自動(dòng)生成SCAN測(cè)試向量。SCAN測(cè)試時(shí)，先進(jìn)入Scan Shift模式，ATE將pattern加載到寄存器上，再通過Scan Capture模式，將結(jié)果捕捉。再進(jìn)入下次Shift模式時(shí)，將結(jié)果輸出到ATE進(jìn)行比較。2、Boundary SCAN，Boundary SCAN用于檢測(cè)芯片管腳功能是否正確。與SCAN類似，Boundary SCAN通過在IO管腳間插入邊界寄存器（Boundary Register），使用JTAG接口來控制，監(jiān)測(cè)管腳的輸入輸入出狀態(tài)。

當(dāng)芯片需要進(jìn)行高溫加熱時(shí)，可以先將多個(gè)待測(cè)試芯片移動(dòng)至預(yù)加熱工作臺(tái)95的多個(gè)預(yù)加熱工位96進(jìn)行預(yù)加熱，在測(cè)試的時(shí)候，可以減少高溫加熱頭71的加熱時(shí)間，提高測(cè)試效率。當(dāng)自動(dòng)上料裝置40上的來料芯片的放置方向與測(cè)試裝置30測(cè)試時(shí)需要放置的芯片的方向不一致時(shí)，需要首先對(duì)待測(cè)試芯片進(jìn)行預(yù)定位，故本實(shí)施例在機(jī)架10上還設(shè)置有預(yù)定位裝置100。預(yù)定位裝置100包括預(yù)定位旋轉(zhuǎn)氣缸101、預(yù)定位底座102及轉(zhuǎn)向定位底座103，預(yù)定位底座102與預(yù)定位旋轉(zhuǎn)氣缸101相連，預(yù)定位底座102位于預(yù)定位旋轉(zhuǎn)氣缸101與轉(zhuǎn)向定位底座103之間，轉(zhuǎn)向定位底座103上開設(shè)有凹陷的預(yù)定位槽104。芯片測(cè)試機(jī)還可進(jìn)行溫度測(cè)試以測(cè)試芯片運(yùn)行的穩(wěn)定性。

使用本實(shí)施例的芯片測(cè)試機(jī)進(jìn)行芯片測(cè)試時(shí)，首先在自動(dòng)上料裝置40上放置多個(gè)，tray盤，每一個(gè)tray盤上均放滿或放置多個(gè)待測(cè)試芯片，同時(shí)在自動(dòng)下料裝置50和不良品放置臺(tái)60上分別放置空的tray盤。測(cè)試機(jī)啟動(dòng)后，由移載裝置20從自動(dòng)上料裝置40的tray盤中吸取待測(cè)試芯片移載至測(cè)試裝置30進(jìn)行測(cè)試，芯片測(cè)試完成后，移載裝置20將測(cè)試合格的芯片移載至自動(dòng)下料裝置50的空tray盤中，將不良品移載至不良品放置臺(tái)60的空tray盤中放置。當(dāng)自動(dòng)上料裝置40的一個(gè)tray盤中的芯片全部完成測(cè)試，且自動(dòng)下料裝置50的空tray盤中全部裝滿測(cè)試后的芯片后，移載裝置20將自動(dòng)上料裝置40的空tray盤移載至自動(dòng)下料裝置50。本發(fā)實(shí)施例的芯片測(cè)試機(jī)的結(jié)構(gòu)緊湊，體積較小，占地面積只為一平米左右，可滿足小批量的芯片測(cè)試需求。芯片測(cè)試機(jī)還可以進(jìn)行邏輯測(cè)試以測(cè)試操作錯(cuò)誤。上海多功能芯片測(cè)試機(jī)市價(jià)

芯片測(cè)試機(jī)能夠進(jìn)行信號(hào)測(cè)試，測(cè)試電路表現(xiàn)良好的信號(hào)強(qiáng)度。安徽CPU芯片測(cè)試機(jī)

芯片測(cè)試設(shè)備利用基于數(shù)字信號(hào)處理（DSP）的測(cè)試技術(shù)來測(cè)試混合信號(hào)芯片與傳統(tǒng)的測(cè)試技術(shù)相比有許多優(yōu)勢(shì)。芯片測(cè)試設(shè)備由于能并行地進(jìn)行參數(shù)測(cè)試，所以能減少測(cè)試時(shí)間；由于能把各個(gè)頻率的信號(hào)分量區(qū)分開來（也就是能把噪聲和失真從測(cè)試頻率或者其它頻率分量中分離出來），所以能增加測(cè)試的精度和可重復(fù)性。由于擁有很多陣列處理函數(shù)，比如說求平均數(shù)等，這對(duì)混合信號(hào)測(cè)試非常有用。芯片測(cè)試設(shè)備運(yùn)行原理如上所示，為了測(cè)試大規(guī)模的芯片以及集成電路，用戶需要對(duì)芯片測(cè)試設(shè)備的運(yùn)行原理了解清楚更有利于芯片測(cè)試設(shè)備的選擇。安徽CPU芯片測(cè)試機(jī)

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