存儲器，芯片往往集成著各種類型的存儲器（例如ROM/RAM/Flash），為了測試存儲器讀寫和存儲功能，通常在設(shè)計(jì)時(shí)提前加入BIST（Built-In SelfTest）邏輯，用于存儲器自測。芯片通過特殊的管腳配置進(jìn)入各類BIST功能，完成自測試后BIST模塊將測試結(jié)果反饋給Tester。ROM（Read-Only Memory）通過讀取數(shù)據(jù)進(jìn)行CRC校驗(yàn)來檢測存儲內(nèi)容是否正確。RAM（Random-Access Memory）通過除檢測讀寫和存儲功能外，有些測試還覆蓋DeepSleep的Retention功能和Margin Write/Read等等。Embedded Flash除了正常讀寫和存儲功能外，還要測試擦除功能。Wafer還需要經(jīng)過Baking烘烤和Stress加壓來檢測Flash的Retention是否正常。還有Margin Write/Read、Punch Through測試等等。芯片測試機(jī)可以進(jìn)行測試數(shù)據(jù)的處理、分析和生成。福州MINILED芯片測試機(jī)設(shè)備

O/S測試有兩種測試方法：靜態(tài)測（也可以叫DC測試法），測試方法為：首先，所有的信號管腳需要預(yù)置為“0”，這可以通過定義所有管腳為輸入并由測試機(jī)施加 VIL來實(shí)現(xiàn)， 所有的電源管腳給0V, VSS連接到地（Ground），已上圖測試PIN1為例，從PIN1端Force 電流I1 約 -100ua，PIN1對GND端的二極管導(dǎo)通，此時(shí)可量測到PIN1端的電壓為二極管壓降-0.65V左右。如果二極管壓降在-0.2V~-1.5V之間為PASS,大于1.5v為Open，小于0.2V為Short。同樣從PIN1端Force 電流I2 約 100ua，PIN1對VDD端的二極管導(dǎo)通，此時(shí)可量測到PIN1端的電壓為二極管壓降0.65V左右。如果二極管壓降在-0.2V~-1.5V之間為PASS,大于1.5v為Open，小于0.2V為Short。福州MINILED芯片測試機(jī)設(shè)備芯片測試機(jī)可以為芯片測試工程師提供可靠的測試報(bào)告。

動(dòng)態(tài)測試測試方法：準(zhǔn)備測試向量如下（以8個(gè)pin腳為例）在上面示例的向量運(yùn)行時(shí)，頭一個(gè)信號管腳在第2個(gè)周期測試，當(dāng)測試機(jī)管腳驅(qū)動(dòng)電路關(guān)閉，動(dòng)態(tài)電流負(fù)載單元開始通過VREF將管腳電壓向+3V拉升，如果VDD的保護(hù)二極管工作，當(dāng)電壓升至約+0.65V時(shí)它將導(dǎo)通，從而將VREF的電壓鉗制住，同時(shí)從可編程電流負(fù)載的IOL端吸收越+400uA的電流。這時(shí)候進(jìn)行輸出比較的結(jié)果將是pass，因?yàn)?0.65V在VOH（+1.5V）和VOL（+0.2V）之間，即屬于“Z態(tài)”。如果短路，輸出比較將檢測到0V；如果開路，輸出端將檢測到+3V，它們都會(huì)使整個(gè)開短路功能測試結(jié)果為fail。注：走Z測試的目的更主要的是檢查是否存在pin-to-pin的短路。

從高溫容器中采用旋轉(zhuǎn)拉伸的方式將硅原料取出，此時(shí)一個(gè)圓柱體的硅錠就產(chǎn)生了。從目前所使用的工藝來看，硅錠圓形橫截面的直徑為200毫米。在保留硅錠的各種特性不變的情況下增加橫截面的面積是具有相當(dāng)?shù)碾y度的，不過只要企業(yè)肯投入大批資金來研究，還是可以實(shí)現(xiàn)的。intel為研制和生產(chǎn)300毫米硅錠建立的工廠耗費(fèi)了大約35億美元，新技術(shù)的成功使得intel可以制造復(fù)雜程度更高，功能更強(qiáng)大的芯片芯片，200毫米硅錠的工廠也耗費(fèi)了15億美元。芯片測試機(jī)可以進(jìn)行耐壓測試，用于測試芯片在高電壓下的穩(wěn)定性。

測試系統(tǒng)的基本工作機(jī)制：對測試機(jī)進(jìn)行編寫程序，從而使得測試機(jī)產(chǎn)生任何類型的信號，多個(gè)信號一起組成測試模式或測試向量，在時(shí)間軸的某一點(diǎn)上向DUT施加一個(gè)測試向量，將DUT產(chǎn)生的輸出反饋輸入測試機(jī)的儀器中測量其參數(shù)，把測量結(jié)果與存儲在測試機(jī)中的“編程值”進(jìn)行比較，如果測量結(jié)果在可接受公差范圍內(nèi)匹配測試機(jī)中的“編程值”，那么這顆DUT就會(huì)被認(rèn)為是好品，反之則是壞品，按照其失效的種類進(jìn)行記錄。晶圓測試(wafer test,或者CP-chip probering)：就是在晶圓上直接進(jìn)行測試，下面圖中就是一個(gè)完整的晶圓測試自動(dòng)化系統(tǒng)。芯片測試機(jī)提供了靈活的接口，適用于不同廠商的芯片測試。福州MINILED芯片測試機(jī)設(shè)備

芯片測試機(jī)能夠快速產(chǎn)生測試結(jié)果。福州MINILED芯片測試機(jī)設(shè)備

芯片測試座是一種電子元器件，它是用來測試集成電路芯片的設(shè)備，它可以用來測試和檢查電路芯片的性能，以確保其達(dá)到規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)。芯片測試座的基本結(jié)構(gòu)包括主體機(jī)架、測試頭、測試模塊、放大器和控制器等部件組成。 芯片測試座一般用于測試電路芯片的性能，包括電源參數(shù)、噪聲性能、抗干擾性能、靜態(tài)特性和動(dòng)態(tài)特性等。通常，芯片測試座由多個(gè)測試頭組成，每個(gè)測試頭可以提供不同的測試功能。芯片測試座的工作原理是，通過測試頭將測試信號輸入到芯片，然后將芯片的輸出結(jié)果和規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行對比。福州MINILED芯片測試機(jī)設(shè)備