Probe Card---乃是Tester與wafer上的DUT之間其中一個(gè)連接介面，目的在連接Tester Channel 與待測(cè)DUT。大部分為鎢銅或鈹銅，也有鈀等其他材質(zhì)；材質(zhì)的選擇需要強(qiáng)度高、導(dǎo)電性及不易氧化等特性，樣子如下面所示。當(dāng) probe card 的探針正確接觸wafer內(nèi)一顆 die的每個(gè)bond pads后, 送出start信號(hào)通過(guò)Interface給tester開(kāi)始測(cè)試, tester完成測(cè)試送回分類訊號(hào) ( End of test) 給Prober, 量產(chǎn)時(shí)必須 tester 與 prober 做連接(docking) 才能測(cè)試。較終測(cè)試(FT,或者封裝測(cè)試)：就是在圖（3）中的Package Device上進(jìn)行測(cè)試.下圖就是一個(gè)完整的FT的測(cè)試系統(tǒng)。對(duì)比wafer test，其中硬件部分，prober換成了handler，其作用是一樣的，handler的主要作用是機(jī)械手臂，抓取DUT，放在測(cè)試區(qū)域，由tester對(duì)其進(jìn)行測(cè)試，然后handler再根據(jù)tester的測(cè)試結(jié)果，抓取DUT放到相應(yīng)的區(qū)域，比如好品區(qū)，比如壞品1類區(qū)，壞品2類區(qū)等。芯片測(cè)試機(jī)可以提供定制化的測(cè)試方案，以滿足工程師的需求。韶關(guān)芯片測(cè)試機(jī)市價(jià)

常見(jiàn)的測(cè)試手段，CP（Chip Probing）測(cè)試和FT（Final Test）測(cè)試：CP測(cè)試。芯片測(cè)試分兩個(gè)階段，一個(gè)是CP（Chip Probing）測(cè)試，也就是晶圓（Wafer）測(cè)試。另外一個(gè)是FT（Final Test）測(cè)試，也就是把芯片封裝好再進(jìn)行的測(cè)試。CP（Chip Probing）指的是晶圓測(cè)試。CP測(cè)試在整個(gè)芯片制作流程中處于晶圓制造和封裝之間。晶圓（Wafer）制作完成之后，成千上萬(wàn)的裸DIE（未封裝的芯片）規(guī)則的分布滿整個(gè)Wafer。由于尚未進(jìn)行劃片封裝，芯片的管腳全部裸露在外，這些極微小的管腳需要通過(guò)更細(xì)的探針臺(tái)來(lái)與測(cè)試機(jī)臺(tái)連接。韶關(guān)芯片測(cè)試機(jī)市價(jià)芯片測(cè)試機(jī)還可進(jìn)行溫度測(cè)試以測(cè)試芯片運(yùn)行的穩(wěn)定性。

存儲(chǔ)器，芯片往往集成著各種類型的存儲(chǔ)器（例如ROM/RAM/Flash），為了測(cè)試存儲(chǔ)器讀寫和存儲(chǔ)功能，通常在設(shè)計(jì)時(shí)提前加入BIST（Built-In SelfTest）邏輯，用于存儲(chǔ)器自測(cè)。芯片通過(guò)特殊的管腳配置進(jìn)入各類BIST功能，完成自測(cè)試后BIST模塊將測(cè)試結(jié)果反饋給Tester。ROM（Read-Only Memory）通過(guò)讀取數(shù)據(jù)進(jìn)行CRC校驗(yàn)來(lái)檢測(cè)存儲(chǔ)內(nèi)容是否正確。RAM（Random-Access Memory）通過(guò)除檢測(cè)讀寫和存儲(chǔ)功能外，有些測(cè)試還覆蓋DeepSleep的Retention功能和Margin Write/Read等等。Embedded Flash除了正常讀寫和存儲(chǔ)功能外，還要測(cè)試擦除功能。Wafer還需要經(jīng)過(guò)Baking烘烤和Stress加壓來(lái)檢測(cè)Flash的Retention是否正常。還有Margin Write/Read、Punch Through測(cè)試等等。

優(yōu)先選擇地，所述機(jī)架上還固定有中轉(zhuǎn)裝置，所述中轉(zhuǎn)裝置位于所述自動(dòng)上料裝置及自動(dòng)下料裝置的一側(cè)，所述中轉(zhuǎn)裝置包括氣缸墊塊、中轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)氣缸及tray盤中轉(zhuǎn)臺(tái)，所述中轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)氣缸固定于所述氣缸墊塊上，所述tray盤中轉(zhuǎn)臺(tái)與所述中轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)氣缸相連。優(yōu)先選擇地，所述自動(dòng)上料機(jī)構(gòu)、自動(dòng)下料機(jī)構(gòu)均包括伺服電機(jī)、行星減速機(jī)、滾珠絲桿、頭一移動(dòng)底板、第二移動(dòng)底板47、以及位于所述滾珠絲桿兩側(cè)的兩個(gè)導(dǎo)向軸，所述伺服電機(jī)與所述行星減速機(jī)相連，所述行星減速機(jī)通過(guò)聯(lián)軸器與所述滾珠絲桿相連，所述滾珠絲桿及兩個(gè)導(dǎo)向軸分別與所述頭一移動(dòng)底板相連，所述頭一移動(dòng)底板與所述第二移動(dòng)底板47相連。芯片測(cè)試機(jī)提供了靈活的接口，適用于不同廠商的芯片測(cè)試。

實(shí)現(xiàn)芯片測(cè)試的原理基于硬件評(píng)估和功能測(cè)試。硬件評(píng)估通常包括靜態(tài)電壓、電流和電容等參數(shù)的測(cè)量。測(cè)試結(jié)果多數(shù)體現(xiàn)在無(wú)噪聲測(cè)試結(jié)果和可靠性結(jié)果中。除了這些參數(shù)，硬件評(píng)估還會(huì)考慮功耗和電性能等其他參數(shù)。芯片測(cè)試機(jī)能夠支持自動(dòng)測(cè)量硬件，并確定大多數(shù)問(wèn)題，以確保芯片在正常情況下正常工作。另一方面，功能測(cè)試是基于已知的電子電路原理來(lái)細(xì)化已經(jīng)設(shè)計(jì)好的芯片的特定功能。這些測(cè)試是按照ASCII碼、有限狀態(tài)機(jī)設(shè)計(jì)等標(biāo)準(zhǔn)來(lái)實(shí)現(xiàn)。例如，某些芯片的功能測(cè)試會(huì)與特定的移動(dòng)設(shè)備集成進(jìn)行測(cè)試，以模擬用戶執(zhí)行的操作，并測(cè)量芯片的響應(yīng)時(shí)間和效率等參數(shù)。這種芯片測(cè)試的重要性非常大，因?yàn)樗軌蛐酒男阅茉谠O(shè)定范圍內(nèi)?？傮w而言，芯片測(cè)試機(jī)在芯片設(shè)計(jì)和生產(chǎn)中扮演著重要角色。的芯片測(cè)試機(jī)能夠?yàn)樯a(chǎn)提供更高的生產(chǎn)性、更深入的測(cè)試和更高的測(cè)試效率，從而使整個(gè)芯片生產(chǎn)流程更加高效化、智能化。芯片測(cè)試機(jī)能夠快速識(shí)別芯片的問(wèn)題，并提供快速修復(fù)方案。MINILED芯片測(cè)試機(jī)廠家

芯片測(cè)試機(jī)通常連接到計(jì)算機(jī)上進(jìn)行測(cè)試。韶關(guān)芯片測(cè)試機(jī)市價(jià)

以下以一個(gè)具體的例子對(duì)中轉(zhuǎn)裝置60的功能進(jìn)行進(jìn)一步說(shuō)明。例如一個(gè)tray盤中較多可以放置50個(gè)芯片，自動(dòng)上料裝置40的每一個(gè)tray盤中都裝有50個(gè)芯片。移載裝置20吸取自動(dòng)上料裝置40的tray盤中的芯片到測(cè)試裝置30進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試合格的芯片移載至自動(dòng)下料裝置50的空的tray盤中。當(dāng)出現(xiàn)一個(gè)不良品時(shí)，該不良品則被移動(dòng)至不良品放置臺(tái)60，當(dāng)自動(dòng)上料裝置40的一個(gè)tray盤中的芯片全部完成測(cè)試后，自動(dòng)下料裝置50的tray盤中只裝了49個(gè)測(cè)試合格的芯片。此時(shí)，移載裝置20則把自動(dòng)上料裝置40的空的tray盤移載至tray盤中轉(zhuǎn)臺(tái)63上，然后移載裝置20從下方的另一個(gè)tray盤中吸取芯片進(jìn)行測(cè)試，直至把自動(dòng)下料裝置50的tray盤中裝滿50個(gè)芯片，然后把tray盤中轉(zhuǎn)臺(tái)63上的空的tray盤移載至自動(dòng)下料裝置50。韶關(guān)芯片測(cè)試機(jī)市價(jià)