在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語(yǔ)“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“中”、“內(nèi)”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，只是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。此外，術(shù)語(yǔ)“頭一”、“第二”等只用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“頭一”、“第二”等的特征可以明示或者隱含地包括一個(gè)或者更多個(gè)該特征。在本發(fā)明的描述中，需要說(shuō)明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語(yǔ)“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是直接相連，也可以通過(guò)中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以通過(guò)具體情況理解上述術(shù)語(yǔ)在本發(fā)明中的具體含義。芯片測(cè)試機(jī)還可以進(jìn)行閂鎖掃描測(cè)試和邊緣掃描測(cè)試。河南垂直LED芯片測(cè)試機(jī)怎么樣

盡管每款獨(dú)特的電路設(shè)計(jì)要求的功能測(cè)試條件都不一樣，但很多時(shí)候我們還是能找到他們的相同之處，比如一些可以通過(guò)功能測(cè)試去驗(yàn)證的參數(shù)，我們就可以總結(jié)出一些標(biāo)準(zhǔn)的方法。開(kāi)短路測(cè)試原理（通俗叫O/S），開(kāi)短路測(cè)試，是基于產(chǎn)品本身管腳的ESD防靜電保護(hù)二極管的正向?qū)▔航档脑磉M(jìn)行測(cè)試。 進(jìn)行開(kāi)短路測(cè)試的器件管腳，對(duì)地或者對(duì)電源端，或者對(duì)地和對(duì)電源，都有ESD保護(hù)二極管，利用二極管正向?qū)ǖ脑恚涂梢耘袆e該管腳的通斷情況。倒裝LED芯片測(cè)試機(jī)工作原理芯片測(cè)試機(jī)通常集成了多個(gè)測(cè)試模塊。

CP測(cè)試內(nèi)容和測(cè)試方法：1、SCAN，SCAN用于檢測(cè)芯片邏輯功能是否正確。DFT設(shè)計(jì)時(shí)，先使用DesignCompiler插入ScanChain，再利用ATPG（Automatic Test Pattern Generation）自動(dòng)生成SCAN測(cè)試向量。SCAN測(cè)試時(shí)，先進(jìn)入Scan Shift模式，ATE將pattern加載到寄存器上，再通過(guò)Scan Capture模式，將結(jié)果捕捉。再進(jìn)入下次Shift模式時(shí)，將結(jié)果輸出到ATE進(jìn)行比較。2、Boundary SCAN，Boundary SCAN用于檢測(cè)芯片管腳功能是否正確。與SCAN類(lèi)似，Boundary SCAN通過(guò)在IO管腳間插入邊界寄存器（Boundary Register），使用JTAG接口來(lái)控制，監(jiān)測(cè)管腳的輸入輸入出狀態(tài)。

總體而言，芯片測(cè)試機(jī)在芯片設(shè)計(jì)和生產(chǎn)中扮演著重要角色。的芯片測(cè)試機(jī)能夠?yàn)樯a(chǎn)提供更高的生產(chǎn)性、更深入的測(cè)試和更高的測(cè)試效率，從而使整個(gè)芯片生產(chǎn)流程更加高效化、智能化。一顆芯片較終做到終端產(chǎn)品上，一般需要經(jīng)過(guò)芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、晶圓測(cè)試、封裝、成品測(cè)試、板級(jí)封裝等這些環(huán)節(jié)。在整個(gè)價(jià)值鏈中，芯片公司需要主導(dǎo)的環(huán)節(jié)主要是芯片設(shè)計(jì)和測(cè)試，其余的環(huán)節(jié)都可以由相應(yīng)的partner來(lái)主導(dǎo)或者完成。所以，測(cè)試本身就是設(shè)計(jì)，這個(gè)是需要在較初就設(shè)計(jì)好了的，對(duì)于設(shè)計(jì)公司來(lái)說(shuō)，測(cè)試至關(guān)重要，不亞于電路設(shè)計(jì)本身。芯片測(cè)試機(jī)提供了可靠的測(cè)試跟蹤，幫助工程師快速定位測(cè)試問(wèn)題。

一般說(shuō)來(lái)，是根據(jù)設(shè)計(jì)要求進(jìn)行測(cè)試，不符合設(shè)計(jì)要求的就是不合格。而設(shè)計(jì)要求，因產(chǎn)品不同而各不相同，有的IC需要測(cè)試大量的參數(shù)，有的則只需要測(cè)試很少的參數(shù)。事實(shí)上，一個(gè)具體的IC，并不一定要經(jīng)歷上面提到的全部測(cè)試，而經(jīng)歷多道測(cè)試工序的IC，具體在哪個(gè)工序測(cè)試哪些參數(shù)，也是有很多種變化的，這是一個(gè)復(fù)雜的系統(tǒng)工程。例如對(duì)于芯片面積大、良率高、封裝成本低的芯片，通?？梢圆贿M(jìn)行wafertest，而芯片面積小、良率低、封裝成本高的芯片，Z好將很多測(cè)試放在wafertest環(huán)節(jié)，及早發(fā)現(xiàn)不良品，避免不良品混入封裝環(huán)節(jié)，無(wú)謂地增加封裝成本。利用芯片測(cè)試機(jī)，可以減少制造過(guò)程中的失敗率。湖北常規(guī)倒裝芯片測(cè)試機(jī)平臺(tái)

芯片測(cè)試機(jī)可以用于進(jìn)行芯片的時(shí)序分析。河南垂直LED芯片測(cè)試機(jī)怎么樣

優(yōu)先選擇地，所述機(jī)架上還設(shè)置有加熱裝置，所述加熱裝置至少包括高溫加熱機(jī)構(gòu)，所述高溫加熱機(jī)構(gòu)位于所述測(cè)試裝置的上方，所述高溫加熱機(jī)構(gòu)包括高溫加熱頭、頭一移動(dòng)機(jī)構(gòu)及下壓機(jī)構(gòu)，所述下壓機(jī)構(gòu)與所述頭一移動(dòng)機(jī)構(gòu)相連，所述高溫加熱頭與所述下壓機(jī)構(gòu)相連。優(yōu)先選擇地，所述加熱裝置還包括預(yù)加熱緩存機(jī)構(gòu)，所述預(yù)加熱緩存機(jī)構(gòu)位于所述自動(dòng)上料裝置與所述測(cè)試裝置之間，所述預(yù)加熱緩存機(jī)構(gòu)包括預(yù)加熱工作臺(tái)，所述預(yù)加熱工作臺(tái)上設(shè)有多個(gè)預(yù)加熱工位。河南垂直LED芯片測(cè)試機(jī)怎么樣