本發(fā)明的芯片測(cè)試機(jī)還包括加熱裝置，部分型號(hào)的芯片在測(cè)試前可能需要進(jìn)行高溫加熱或低溫冷卻。當(dāng)待測(cè)試芯片移載至測(cè)試裝置后，可以通過(guò)頭一移動(dòng)機(jī)構(gòu)帶動(dòng)高溫加熱頭移動(dòng)至測(cè)試裝置的上方，然后由下壓機(jī)構(gòu)帶動(dòng)高溫加熱頭向下移動(dòng)，并由高溫加熱頭對(duì)芯片進(jìn)行高溫加熱或低溫冷卻，滿足對(duì)芯片高溫加熱或低溫冷卻的要求。加熱裝置還包括預(yù)加熱緩存機(jī)構(gòu)，當(dāng)芯片需要進(jìn)行高溫測(cè)試的時(shí)候，為了提高加熱效率，可以先將多個(gè)待測(cè)試芯片移動(dòng)至預(yù)加熱工作臺(tái)的多個(gè)預(yù)加熱工位進(jìn)行預(yù)加熱，在測(cè)試的時(shí)候，可以減少高溫加熱頭加熱的時(shí)間，提高測(cè)試效率。芯片測(cè)試機(jī)包括測(cè)試頭和測(cè)試座來(lái)測(cè)試芯片。CPU芯片測(cè)試機(jī)廠家供應(yīng)

為了實(shí)現(xiàn)待測(cè)試芯片的自動(dòng)上料，自動(dòng)上料裝置40包括頭一料倉(cāng)41及自動(dòng)上料機(jī)構(gòu)42，自動(dòng)上料機(jī)構(gòu)42在頭一料倉(cāng)41內(nèi)上下移動(dòng)。為了實(shí)現(xiàn)測(cè)試合格的芯片自動(dòng)下料，自動(dòng)下料機(jī)構(gòu)52包括第二料倉(cāng)51及自動(dòng)下料機(jī)構(gòu)52，自動(dòng)下料機(jī)構(gòu)52在第二料倉(cāng)51內(nèi)上下移動(dòng)。如圖3、圖4所示，本實(shí)施例的頭一料倉(cāng)41與第二料倉(cāng)51的機(jī)構(gòu)相同，頭一料倉(cāng)41、第二料倉(cāng)51上方均開(kāi)設(shè)有開(kāi)口，頭一料倉(cāng)41、第二料倉(cāng)51的一側(cè)邊設(shè)有料倉(cāng)門(mén)411。自動(dòng)上料機(jī)構(gòu)42與自動(dòng)下料機(jī)構(gòu)52的結(jié)構(gòu)也相同，自動(dòng)上料機(jī)構(gòu)42與自動(dòng)下料機(jī)構(gòu)52均包括均伺服電機(jī)43、行星減速機(jī)44、滾珠絲桿45、頭一移動(dòng)底板46、第二移動(dòng)底板47、以及位于滾珠絲桿45兩側(cè)的兩個(gè)導(dǎo)向軸48。上海正裝LED芯片測(cè)試機(jī)哪家好芯片測(cè)試機(jī)可以進(jìn)行結(jié)構(gòu)測(cè)試，用于測(cè)量芯片的延遲和功耗等參數(shù)。

當(dāng)芯片測(cè)試機(jī)啟動(dòng)后，移載裝置20移動(dòng)至自動(dòng)上料裝置40的上方，然后移載裝置20向下移動(dòng)吸取自動(dòng)上料裝置40位于較上方的tray盤(pán)中的芯片，將并該芯片移載至測(cè)試裝置30對(duì)芯片進(jìn)行測(cè)試。s3：芯片測(cè)試完成后，移載裝置20將測(cè)試合格的芯片移載至自動(dòng)下料裝置50的空tray盤(pán)中，將不良品移載至不良品放置臺(tái)60的空tray盤(pán)中。芯片測(cè)試完成后，該芯片可能是合格品，也可能是不良品。若該芯片為合格品，則通過(guò)移載裝置20將該合格芯片移載至自動(dòng)下料機(jī)的tray盤(pán)中放置；若該芯片為不良品，則將該不良品移載至不良品放置臺(tái)60的tray盤(pán)中放置。

動(dòng)態(tài)測(cè)試測(cè)試方法：準(zhǔn)備測(cè)試向量如下（以8個(gè)pin腳為例）在上面示例的向量運(yùn)行時(shí)，頭一個(gè)信號(hào)管腳在第2個(gè)周期測(cè)試，當(dāng)測(cè)試機(jī)管腳驅(qū)動(dòng)電路關(guān)閉，動(dòng)態(tài)電流負(fù)載單元開(kāi)始通過(guò)VREF將管腳電壓向+3V拉升，如果VDD的保護(hù)二極管工作，當(dāng)電壓升至約+0.65V時(shí)它將導(dǎo)通，從而將VREF的電壓鉗制住，同時(shí)從可編程電流負(fù)載的IOL端吸收越+400uA的電流。這時(shí)候進(jìn)行輸出比較的結(jié)果將是pass，因?yàn)?0.65V在VOH（+1.5V）和VOL（+0.2V）之間，即屬于“Z態(tài)”。如果短路，輸出比較將檢測(cè)到0V；如果開(kāi)路，輸出端將檢測(cè)到+3V，它們都會(huì)使整個(gè)開(kāi)短路功能測(cè)試結(jié)果為fail。注：走Z測(cè)試的目的更主要的是檢查是否存在pin-to-pin的短路。芯片測(cè)試機(jī)可以檢測(cè)到芯片中的誤差。

第二z軸移動(dòng)組件24包括轉(zhuǎn)矩電機(jī)240、高扭矩時(shí)規(guī)皮帶241、兩個(gè)同步帶輪242、直線導(dǎo)軌243。轉(zhuǎn)矩電機(jī)240固定于吸嘴基板232上，兩個(gè)同步帶輪242分別相對(duì)設(shè)置于吸嘴基板232的上下兩側(cè)，兩個(gè)同步帶輪242通過(guò)高扭矩時(shí)規(guī)皮帶241相連，轉(zhuǎn)矩電機(jī)240與其中一個(gè)同步帶輪242相連。直線導(dǎo)軌243固定于吸嘴基板232上，真空吸嘴26通過(guò)滑塊固定于直線導(dǎo)軌243上，滑塊與高扭機(jī)時(shí)規(guī)皮帶相連。轉(zhuǎn)矩電機(jī)240驅(qū)動(dòng)其中同步帶輪242轉(zhuǎn)動(dòng)，同步帶輪242帶動(dòng)高扭矩時(shí)規(guī)皮帶241轉(zhuǎn)動(dòng)，高扭矩時(shí)規(guī)皮帶241通過(guò)滑塊帶動(dòng)真空吸嘴26在直線導(dǎo)軌243上上下移動(dòng)。芯片測(cè)試機(jī)可以檢測(cè)芯片的電學(xué)參數(shù)，包括電流和電壓等。CPU芯片測(cè)試機(jī)廠家供應(yīng)

在芯片測(cè)試機(jī)上進(jìn)行的測(cè)試可以檢測(cè)到芯片的缺陷，如電壓偏移等。CPU芯片測(cè)試機(jī)廠家供應(yīng)

傳統(tǒng)的芯片測(cè)試，一般由測(cè)試廠商統(tǒng)一為芯片生產(chǎn)廠商進(jìn)行測(cè)試。隨著越來(lái)越多的芯片公司的誕生，芯片測(cè)試需求也日益增多。對(duì)于成熟的大規(guī)模的芯片廠而言，由于其芯片產(chǎn)量大，往往會(huì)在測(cè)試廠商的生產(chǎn)計(jì)劃中占據(jù)一定的優(yōu)勢(shì)。而對(duì)于小規(guī)模的芯片廠的小批量芯片而言，其往往在測(cè)試廠的測(cè)試計(jì)劃中無(wú)法得到優(yōu)先選擇處理，從而導(dǎo)致芯片測(cè)試周期變長(zhǎng)。當(dāng)前芯片測(cè)試廠的測(cè)試設(shè)備多為大型設(shè)備，可以滿足大批量的芯片測(cè)試的需求。如果該大型測(cè)試設(shè)備用于小批量的芯片的測(cè)試，則會(huì)造成資源的浪費(fèi)。而且現(xiàn)有的大型測(cè)試設(shè)備往往都是多個(gè)測(cè)試單元并行測(cè)試，以達(dá)到提高測(cè)試效率的目的，從而導(dǎo)致了該設(shè)備的體積較大，占地空間多，無(wú)法靈活移動(dòng)。CPU芯片測(cè)試機(jī)廠家供應(yīng)