自動(dòng)下料機(jī)構(gòu)52下料時(shí),首先將一個(gè)空的tray盤放置于第二料倉(cāng)51的第二移動(dòng)底板47上,并將該空的tray盤置于第二料倉(cāng)51的開(kāi)口部。檢測(cè)合格的芯片放置于該空的tray盤中。當(dāng)該tray盤中已放滿檢測(cè)后的芯片后,伺服電機(jī)43帶動(dòng)滾珠絲桿45轉(zhuǎn)動(dòng),滾珠絲桿45帶動(dòng)tray盤向下移動(dòng)一定距離,然后移載裝置20將自動(dòng)上料裝置40空的tray盤移載至自動(dòng)下料裝置50放置,并將空的tray盤放置于自動(dòng)下料裝置50的放滿芯片的tray盤的上方,并上下疊放。吸嘴基板232上固定有多個(gè)真空發(fā)生器27,該真空發(fā)生器27與真空吸盤25、真空吸嘴26相連。本實(shí)施例可通過(guò)真空吸盤25和/或真空吸嘴26吸取芯片。本實(shí)施例的機(jī)架10上還固定有顯示器110,通過(guò)顯示器110顯示測(cè)試機(jī)的運(yùn)行,同時(shí)機(jī)架10上還固定有三色顯示燈120,通過(guò)顯示燈顯示測(cè)試機(jī)的不同的工作狀態(tài)。本測(cè)試機(jī)的工控箱、測(cè)試機(jī)主機(jī)、電控箱等均固定于機(jī)架10上。本發(fā)明在另一實(shí)施例中公開(kāi)了一種芯片測(cè)試機(jī)的測(cè)試方法。對(duì)于芯片來(lái)說(shuō),有兩種類型的測(cè)試,抽樣測(cè)試和生產(chǎn)全測(cè)。湖北倒裝LED芯片測(cè)試機(jī)定制
從高溫容器中采用旋轉(zhuǎn)拉伸的方式將硅原料取出,此時(shí)一個(gè)圓柱體的硅錠就產(chǎn)生了。從目前所使用的工藝來(lái)看,硅錠圓形橫截面的直徑為200毫米。在保留硅錠的各種特性不變的情況下增加橫截面的面積是具有相當(dāng)?shù)碾y度的,不過(guò)只要企業(yè)肯投入大批資金來(lái)研究,還是可以實(shí)現(xiàn)的。intel為研制和生產(chǎn)300毫米硅錠建立的工廠耗費(fèi)了大約35億美元,新技術(shù)的成功使得intel可以制造復(fù)雜程度更高,功能更強(qiáng)大的芯片芯片,200毫米硅錠的工廠也耗費(fèi)了15億美元。上海CPU芯片測(cè)試機(jī)定制在芯片制造完成后進(jìn)行測(cè)試,對(duì)測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行分析,從而分析失效模式,驗(yàn)證研發(fā)。
O/S測(cè)試有兩種測(cè)試方法:靜態(tài)測(cè)(也可以叫DC測(cè)試法),測(cè)試方法為:首先,所有的信號(hào)管腳需要預(yù)置為“0”,這可以通過(guò)定義所有管腳為輸入并由測(cè)試機(jī)施加 VIL來(lái)實(shí)現(xiàn), 所有的電源管腳給0V, VSS連接到地(Ground),已上圖測(cè)試PIN1為例,從PIN1端Force 電流I1 約 -100ua,PIN1對(duì)GND端的二極管導(dǎo)通,此時(shí)可量測(cè)到PIN1端的電壓為二極管壓降-0.65V左右。如果二極管壓降在-0.2V~-1.5V之間為PASS,大于1.5v為Open,小于0.2V為Short。同樣從PIN1端Force 電流I2 約 100ua,PIN1對(duì)VDD端的二極管導(dǎo)通,此時(shí)可量測(cè)到PIN1端的電壓為二極管壓降0.65V左右。如果二極管壓降在-0.2V~-1.5V之間為PASS,大于1.5v為Open,小于0.2V為Short。
使用本實(shí)施例的芯片測(cè)試機(jī)進(jìn)行芯片測(cè)試時(shí),首先在自動(dòng)上料裝置40上放置多個(gè),tray盤,每一個(gè)tray盤上均放滿或放置多個(gè)待測(cè)試芯片,同時(shí)在自動(dòng)下料裝置50和不良品放置臺(tái)60上分別放置空的tray盤。測(cè)試機(jī)啟動(dòng)后,由移載裝置20從自動(dòng)上料裝置40的tray盤中吸取待測(cè)試芯片移載至測(cè)試裝置30進(jìn)行測(cè)試,芯片測(cè)試完成后,移載裝置20將測(cè)試合格的芯片移載至自動(dòng)下料裝置50的空tray盤中,將不良品移載至不良品放置臺(tái)60的空tray盤中放置。當(dāng)自動(dòng)上料裝置40的一個(gè)tray盤中的芯片全部完成測(cè)試,且自動(dòng)下料裝置50的空tray盤中全部裝滿測(cè)試后的芯片后,移載裝置20將自動(dòng)上料裝置40的空tray盤移載至自動(dòng)下料裝置50。本發(fā)實(shí)施例的芯片測(cè)試機(jī)的結(jié)構(gòu)緊湊,體積較小,占地面積只為一平米左右,可滿足小批量的芯片測(cè)試需求。芯片測(cè)試機(jī)能夠進(jìn)行電氣特性測(cè)試。
盡管每款獨(dú)特的電路設(shè)計(jì)要求的功能測(cè)試條件都不一樣,但很多時(shí)候我們還是能找到他們的相同之處,比如一些可以通過(guò)功能測(cè)試去驗(yàn)證的參數(shù),我們就可以總結(jié)出一些標(biāo)準(zhǔn)的方法。開(kāi)短路測(cè)試原理(通俗叫O/S),開(kāi)短路測(cè)試,是基于產(chǎn)品本身管腳的ESD防靜電保護(hù)二極管的正向?qū)▔航档脑磉M(jìn)行測(cè)試。 進(jìn)行開(kāi)短路測(cè)試的器件管腳,對(duì)地或者對(duì)電源端,或者對(duì)地和對(duì)電源,都有ESD保護(hù)二極管,利用二極管正向?qū)ǖ脑?,就可以判別該管腳的通斷情況。AC Test: 驗(yàn)證交流規(guī)格,包括交流輸出信號(hào)的質(zhì)量和信號(hào)時(shí)序參數(shù)。溫州MINILED芯片測(cè)試機(jī)哪家好
待測(cè)芯片的封裝形式?jīng)Q定了FT測(cè)試、分選、包裝的不同類型。湖北倒裝LED芯片測(cè)試機(jī)定制
優(yōu)先選擇地,所述移載裝置包括y軸移動(dòng)組件、x軸移動(dòng)組件、頭一z軸移動(dòng)組件、第二z軸移動(dòng)組件、真空吸盤及真空吸嘴,所述x軸移動(dòng)組件與所述y軸移動(dòng)組件相連,所述頭一z軸移動(dòng)組件、第二z軸移動(dòng)組件分別與所述x軸移動(dòng)組件相連,所述真空吸盤與所述頭一z軸移動(dòng)組件相連,所述真空吸嘴與所述第二z軸移動(dòng)組件相連。優(yōu)先選擇地,所述測(cè)試裝置包括測(cè)試負(fù)載板、測(cè)試座外套、測(cè)試座底板、測(cè)試座中間板及測(cè)試座蓋板,所述測(cè)試座外套固定于所述測(cè)試負(fù)載板上表面,所述測(cè)試座底板固定于所述測(cè)試座外套上,所述測(cè)試座中間板位于所述測(cè)試座底板與所述測(cè)試座蓋板之間,所述測(cè)試座底板與所述測(cè)試座蓋板通過(guò)定位銷連接固定。湖北倒裝LED芯片測(cè)試機(jī)定制