以下以一個(gè)具體的例子對(duì)中轉(zhuǎn)裝置60的功能進(jìn)行進(jìn)一步說(shuō)明。例如一個(gè)tray盤中較多可以放置50個(gè)芯片，自動(dòng)上料裝置40的每一個(gè)tray盤中都裝有50個(gè)芯片。移載裝置20吸取自動(dòng)上料裝置40的tray盤中的芯片到測(cè)試裝置30進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試合格的芯片移載至自動(dòng)下料裝置50的空的tray盤中。當(dāng)出現(xiàn)一個(gè)不良品時(shí)，該不良品則被移動(dòng)至不良品放置臺(tái)60，當(dāng)自動(dòng)上料裝置40的一個(gè)tray盤中的芯片全部完成測(cè)試后，自動(dòng)下料裝置50的tray盤中只裝了49個(gè)測(cè)試合格的芯片。此時(shí)，移載裝置20則把自動(dòng)上料裝置40的空的tray盤移載至tray盤中轉(zhuǎn)臺(tái)63上，然后移載裝置20從下方的另一個(gè)tray盤中吸取芯片進(jìn)行測(cè)試，直至把自動(dòng)下料裝置50的tray盤中裝滿50個(gè)芯片，然后把tray盤中轉(zhuǎn)臺(tái)63上的空的tray盤移載至自動(dòng)下料裝置50。芯片測(cè)試機(jī)可以進(jìn)行周期測(cè)試，測(cè)試電路在不同電壓和溫度下的表現(xiàn)。廣西Prober芯片測(cè)試機(jī)

盡管每款獨(dú)特的電路設(shè)計(jì)要求的功能測(cè)試條件都不一樣，但很多時(shí)候我們還是能找到他們的相同之處，比如一些可以通過(guò)功能測(cè)試去驗(yàn)證的參數(shù)，我們就可以總結(jié)出一些標(biāo)準(zhǔn)的方法。開(kāi)短路測(cè)試原理（通俗叫O/S），開(kāi)短路測(cè)試，是基于產(chǎn)品本身管腳的ESD防靜電保護(hù)二極管的正向?qū)▔航档脑磉M(jìn)行測(cè)試。 進(jìn)行開(kāi)短路測(cè)試的器件管腳，對(duì)地或者對(duì)電源端，或者對(duì)地和對(duì)電源，都有ESD保護(hù)二極管，利用二極管正向?qū)ǖ脑?，就可以判別該管腳的通斷情況。河南Prober芯片測(cè)試機(jī)價(jià)位通過(guò)對(duì)芯片測(cè)試機(jī)的工作原理的了解，我們可以知道芯片測(cè)試機(jī)的概念、測(cè)試流程、機(jī)構(gòu)成以及測(cè)試模式等。

測(cè)試項(xiàng)目流程：目前量產(chǎn)的是BLE的SOC產(chǎn)品，里面包含了eflash、AD/DA、 LDO/BUCK、RF等很多模塊，為了提供給客戶品質(zhì)高的產(chǎn)品，我們針對(duì)每個(gè)模塊都有詳細(xì)的測(cè)試，下面是我們的大概的項(xiàng)目測(cè)試流程：Open/Short Test: 檢查芯片引腳中是否有開(kāi)路或短路。DC TEST: 驗(yàn)證器件直流電流和電壓參數(shù)。Eflash TEST: 測(cè)試內(nèi)嵌flash的功能及性能，包含讀寫擦除動(dòng)作及功耗和速度等各種參數(shù)。Function TEST: 測(cè)試芯片的邏輯功能。AC Test: 驗(yàn)證交流規(guī)格，包括交流輸出信號(hào)的質(zhì)量和信號(hào)時(shí)序參數(shù)。Mixed Signal Test: 驗(yàn)證DUT數(shù)?；旌想娐返墓δ芗靶阅軈?shù)。

集成電路芯片的測(cè)試（ICtest）分類包括：分為晶圓測(cè)試（wafertest）、芯片測(cè)試（chiptest）和封裝測(cè)試（packagetest）wafertest是在晶圓從晶圓廠生產(chǎn)出來(lái)后，切割減薄之前的測(cè)試。其設(shè)備通常是測(cè)試廠商自行開(kāi)發(fā)制造或定制的，一般是將晶圓放在測(cè)試平臺(tái)上，用探針探到芯片中事先確定的測(cè)試點(diǎn)，探針上可以通過(guò)直流電流和交流信號(hào)，可以對(duì)其進(jìn)行各種電氣參數(shù)測(cè)試。對(duì)于光學(xué)IC，還需要對(duì)其進(jìn)行給定光照條件下的電氣性能測(cè)試。晶圓測(cè)試主要設(shè)備：探針平臺(tái)。輔助設(shè)備：無(wú)塵室及其全套設(shè)備。一顆芯片做到終端產(chǎn)品上，一般需要經(jīng)過(guò)芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、晶圓測(cè)試、封裝、成品測(cè)試、板級(jí)封裝等環(huán)節(jié)。

存儲(chǔ)器，芯片往往集成著各種類型的存儲(chǔ)器（例如ROM/RAM/Flash），為了測(cè)試存儲(chǔ)器讀寫和存儲(chǔ)功能，通常在設(shè)計(jì)時(shí)提前加入BIST（Built-In SelfTest）邏輯，用于存儲(chǔ)器自測(cè)。芯片通過(guò)特殊的管腳配置進(jìn)入各類BIST功能，完成自測(cè)試后BIST模塊將測(cè)試結(jié)果反饋給Tester。ROM（Read-Only Memory）通過(guò)讀取數(shù)據(jù)進(jìn)行CRC校驗(yàn)來(lái)檢測(cè)存儲(chǔ)內(nèi)容是否正確。RAM（Random-Access Memory）通過(guò)除檢測(cè)讀寫和存儲(chǔ)功能外，有些測(cè)試還覆蓋DeepSleep的Retention功能和Margin Write/Read等等。Embedded Flash除了正常讀寫和存儲(chǔ)功能外，還要測(cè)試擦除功能。Wafer還需要經(jīng)過(guò)Baking烘烤和Stress加壓來(lái)檢測(cè)Flash的Retention是否正常。還有Margin Write/Read、Punch Through測(cè)試等等。芯片測(cè)試機(jī)可以進(jìn)行結(jié)構(gòu)測(cè)試，用于測(cè)量芯片的延遲和功耗等參數(shù)。河南Prober芯片測(cè)試機(jī)價(jià)位

封裝好的芯片,根據(jù)實(shí)際應(yīng)用的需求,有很多種形式,這個(gè)部分由芯片產(chǎn)業(yè)價(jià)值鏈中的封裝工廠進(jìn)行完成。廣西Prober芯片測(cè)試機(jī)

封裝之后，設(shè)備在晶圓探通中使用的相同或相似的ATE上進(jìn)行終檢。測(cè)試成本可以達(dá)到低成本產(chǎn)品的制造成本的25%，但是對(duì)于低產(chǎn)出，大型和/或高成本的設(shè)備，可以忽略不計(jì)。晶圓的成分是硅，硅是由石英沙所精練出來(lái)的，晶圓便是硅元素加以純化（99.999%），接著是將這些純硅制成硅晶棒，成為制造集成電路的石英半導(dǎo)體的材料，將其切片就是芯片制作具體所需要的晶圓。晶圓越薄，生產(chǎn)的成本越低，但對(duì)工藝就要求的越高。芯片的工作環(huán)境要求有良好的散熱性，不帶散熱器并且大功率工作的情況只能加速芯片的報(bào)廢。芯片其實(shí)很靈活，當(dāng)其內(nèi)部有部分損壞時(shí)，可以加接外部小型元器件來(lái)代替這已經(jīng)損壞的部分，加接時(shí)要注意接線的合理性，以防造成寄生耦合。廣西Prober芯片測(cè)試機(jī)