對(duì)于光學(xué)IC，還需要對(duì)其進(jìn)行給定光照條件下的電氣性能測(cè)試。chiptest主要設(shè)備：探針平臺(tái)（包括夾持不同規(guī)格chip的夾具）。chiptest輔助設(shè)備：無(wú)塵室及其全套設(shè)備。chiptest能測(cè)試的范圍和wafertest是差不多的，由于已經(jīng)經(jīng)過(guò)了切割、減薄工序，還可以將切割、減薄工序中損壞的不良品挑出來(lái)。但chiptest效率比wafertest要低不少。packagetest是在芯片封裝成成品之后進(jìn)行的測(cè)試。由于芯片已經(jīng)封裝，所以不再需要無(wú)塵室環(huán)境，測(cè)試要求的條件較大程度上降低。在 IC 設(shè)計(jì)階段時(shí)，將各個(gè)不同的 IC 放在一起制作成一張光罩，整合在一顆芯片中。廣西CPU芯片測(cè)試機(jī)

部分測(cè)試芯片在測(cè)試前需要進(jìn)行高溫加熱或低溫冷卻，測(cè)試前還需要通過(guò)加熱裝置對(duì)芯片進(jìn)行高溫加熱或低溫冷卻。當(dāng)自動(dòng)上料機(jī)的來(lái)料方向與測(cè)試裝置30中芯片的放置方向不一致時(shí)，測(cè)試前，還需要將芯片移載至預(yù)定位裝置100對(duì)芯片進(jìn)行預(yù)定位。本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此，按照本發(fā)明的上述內(nèi)容，利用本領(lǐng)域的普通技術(shù)知識(shí)和慣用手段，在不脫離本發(fā)明上述基本技術(shù)思想前提下，本發(fā)明還可以做出其它多種形式的修改、替換或組合，均落在本發(fā)明權(quán)利保護(hù)范圍之內(nèi)。北京晶圓芯片測(cè)試機(jī)設(shè)備在芯片制造完成后進(jìn)行測(cè)試，對(duì)測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，從而分析失效模式，驗(yàn)證研發(fā)。

實(shí)現(xiàn)芯片測(cè)試的原理基于硬件評(píng)估和功能測(cè)試。硬件評(píng)估通常包括靜態(tài)電壓、電流和電容等參數(shù)的測(cè)量。測(cè)試結(jié)果多數(shù)體現(xiàn)在無(wú)噪聲測(cè)試結(jié)果和可靠性結(jié)果中。除了這些參數(shù)，硬件評(píng)估還會(huì)考慮功耗和電性能等其他參數(shù)。芯片測(cè)試機(jī)能夠支持自動(dòng)測(cè)量硬件，并確定大多數(shù)問(wèn)題，以確保芯片在正常情況下正常工作。另一方面，功能測(cè)試是基于已知的電子電路原理來(lái)細(xì)化已經(jīng)設(shè)計(jì)好的芯片的特定功能。這些測(cè)試是按照ASCII碼、有限狀態(tài)機(jī)設(shè)計(jì)等標(biāo)準(zhǔn)來(lái)實(shí)現(xiàn)。例如，某些芯片的功能測(cè)試會(huì)與特定的移動(dòng)設(shè)備集成進(jìn)行測(cè)試，以模擬用戶執(zhí)行的操作，并測(cè)量芯片的響應(yīng)時(shí)間和效率等參數(shù)。這種芯片測(cè)試的重要性非常大，因?yàn)樗軌蛐酒男阅茉谠O(shè)定范圍內(nèi)。

為了實(shí)現(xiàn)待測(cè)試芯片的自動(dòng)上料，自動(dòng)上料裝置40包括頭一料倉(cāng)41及自動(dòng)上料機(jī)構(gòu)42，自動(dòng)上料機(jī)構(gòu)42在頭一料倉(cāng)41內(nèi)上下移動(dòng)。為了實(shí)現(xiàn)測(cè)試合格的芯片自動(dòng)下料，自動(dòng)下料機(jī)構(gòu)52包括第二料倉(cāng)51及自動(dòng)下料機(jī)構(gòu)52，自動(dòng)下料機(jī)構(gòu)52在第二料倉(cāng)51內(nèi)上下移動(dòng)。如圖3、圖4所示，本實(shí)施例的頭一料倉(cāng)41與第二料倉(cāng)51的機(jī)構(gòu)相同，頭一料倉(cāng)41、第二料倉(cāng)51上方均開(kāi)設(shè)有開(kāi)口，頭一料倉(cāng)41、第二料倉(cāng)51的一側(cè)邊設(shè)有料倉(cāng)門(mén)411。自動(dòng)上料機(jī)構(gòu)42與自動(dòng)下料機(jī)構(gòu)52的結(jié)構(gòu)也相同，自動(dòng)上料機(jī)構(gòu)42與自動(dòng)下料機(jī)構(gòu)52均包括均伺服電機(jī)43、行星減速機(jī)44、滾珠絲桿45、頭一移動(dòng)底板46、第二移動(dòng)底板47、以及位于滾珠絲桿45兩側(cè)的兩個(gè)導(dǎo)向軸48。芯片測(cè)試機(jī)可以進(jìn)行集成電路的質(zhì)量檢測(cè)。

自動(dòng)上料機(jī)構(gòu)42上料時(shí)，將放滿待測(cè)芯片的多個(gè)tray盤(pán)上下疊放在頭一料倉(cāng)41的第二移動(dòng)底板47上，且位于較上層的tray盤(pán)位于頭一料倉(cāng)41的開(kāi)口部。移載裝置20首先吸取位于較上層的tray盤(pán)中的芯片進(jìn)行測(cè)試，當(dāng)位于較上層的tray盤(pán)中的芯片測(cè)試完成后，將空的tray盤(pán)移載至自動(dòng)下料機(jī)構(gòu)52。然后伺服電機(jī)43驅(qū)動(dòng)滾珠絲桿45轉(zhuǎn)動(dòng)，滾珠絲桿45通過(guò)頭一移動(dòng)底板46帶動(dòng)第二移動(dòng)底板47向上移動(dòng)，帶動(dòng)位于下方的tray盤(pán)向上移動(dòng)，直至所有的tray盤(pán)中的芯片全部測(cè)試完成。AC Test: 驗(yàn)證交流規(guī)格，包括交流輸出信號(hào)的質(zhì)量和信號(hào)時(shí)序參數(shù)。山東Prober芯片測(cè)試機(jī)

IC外觀檢測(cè)是對(duì)芯片外部的特征、標(biāo)識(shí)、尺寸等進(jìn)行檢測(cè)的過(guò)程,也是保證IC質(zhì)量和性能的重要手段。廣西CPU芯片測(cè)試機(jī)

芯片高低溫測(cè)試機(jī)運(yùn)行是具有制冷和加熱的儀器設(shè)備，無(wú)錫晟澤芯片高低溫測(cè)試機(jī)采用專門(mén)的制冷加熱控溫技術(shù)，溫度范圍比較廣，可以直接進(jìn)行制冷加熱，那么除了加熱系統(tǒng)，制冷系統(tǒng)運(yùn)行原理如何呢？壓縮空氣制冷循環(huán)：由于空氣定溫加熱和定溫排熱不易實(shí)現(xiàn)，故不能按逆向循環(huán)運(yùn)行。在壓縮空氣制冷循環(huán)中，用兩個(gè)定壓過(guò)程來(lái)代替逆向循環(huán)的兩個(gè)定溫過(guò)程，故可視為逆向循環(huán)。工程應(yīng)用中，壓縮機(jī)可以是活塞式的或是葉輪式的。壓縮蒸汽制冷循環(huán)：壓縮蒸汽的逆向制冷循環(huán)理論上可以實(shí)現(xiàn)，但是會(huì)出現(xiàn)干度過(guò)低的狀態(tài)，不利于兩相物質(zhì)壓縮。為了避免不利因素、增大制冷效率及簡(jiǎn)化設(shè)備，在實(shí)際應(yīng)用中常采用節(jié)流閥(或稱膨脹閥)替代膨脹機(jī)。廣西CPU芯片測(cè)試機(jī)