本發(fā)明在另一實(shí)施例中公開(kāi)一種芯片測(cè)試機(jī)的測(cè)試方法。該測(cè)試方法包括以下步驟：將多個(gè)待測(cè)試芯片放置于多個(gè)tray盤(pán)中，每一個(gè)tray盤(pán)中放置多個(gè)待測(cè)試芯片，將多個(gè)tray盤(pán)放置于自動(dòng)上料裝置，并在自動(dòng)下料裝置及不良品放置臺(tái)上分別放置一個(gè)空tray盤(pán)；移載裝置從自動(dòng)上料裝置的tray盤(pán)中取出待測(cè)試芯片移載至測(cè)試裝置進(jìn)行測(cè)試；芯片測(cè)試完成后，移載裝置將測(cè)試合格的芯片移載至自動(dòng)下料裝置的空tray盤(pán)中，將不良品移載至不良品放置臺(tái)的空tray盤(pán)中；當(dāng)自動(dòng)上料裝置的一個(gè)tray盤(pán)中的待測(cè)試芯片全部完成測(cè)試，且自動(dòng)下料裝置的空tray盤(pán)中放滿測(cè)試合格的芯片后，移載裝置將自動(dòng)上料裝置的空tray盤(pán)移載至自動(dòng)下料裝置。在芯片制造完成后進(jìn)行測(cè)試，對(duì)測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，從而分析失效模式，驗(yàn)證研發(fā)。北京Prober芯片測(cè)試機(jī)定制

芯片測(cè)試設(shè)備漏電流測(cè)試是指測(cè)試模擬或數(shù)字芯片高阻輸入管腳電流，或者是把輸出管腳設(shè)置為高阻狀態(tài)，再測(cè)量輸出管腳上的電流。盡管芯片不同，漏電大小會(huì)不同，但在通常情況下，漏電流應(yīng)該小于 1uA。測(cè)試芯片每個(gè)電源管腳消耗的電流是發(fā)現(xiàn)芯片是否存在災(zāi)難性缺陷的比較快的方法之一。每個(gè)電源管腳被設(shè)置為預(yù)定的電壓，接下來(lái)用自動(dòng)測(cè)試設(shè)備的參數(shù)測(cè)量單元測(cè)量這些電源管腳上的電流。這些測(cè)試一般在測(cè)試程序的開(kāi)始進(jìn)行，以快速有效地選出那些完全失效的芯片。電源測(cè)試也用于保證芯片的功耗能滿足終端應(yīng)用的要求。河南mini LED芯片測(cè)試機(jī)平臺(tái)通常進(jìn)行兩次漏電流測(cè)試。

優(yōu)先選擇地，所述機(jī)架上還設(shè)置有預(yù)定位裝置，所述預(yù)定位裝置包括預(yù)定位旋轉(zhuǎn)氣缸、預(yù)定位底座及轉(zhuǎn)向定位底座，所述預(yù)定位底座與所述預(yù)定位旋轉(zhuǎn)氣缸相連，所述預(yù)定位底座位于所述預(yù)定位旋轉(zhuǎn)氣缸與所述轉(zhuǎn)向定位底座之間，所述轉(zhuǎn)向定位底座上開(kāi)設(shè)有凹陷的預(yù)定位槽。優(yōu)先選擇地，所述預(yù)定位裝置還包括至少兩個(gè)光電傳感器，所述機(jī)架上固定有預(yù)定位氣缸底座，所述預(yù)定位旋轉(zhuǎn)氣缸固定于所述預(yù)定位氣缸底座上，所述預(yù)定位氣缸底座上設(shè)有相對(duì)設(shè)置的四個(gè)定位架，所述預(yù)定位底座及轉(zhuǎn)向定位底座位于四個(gè)所述定位架支之間，兩個(gè)所述光電傳感器分別固定于兩個(gè)所述固定架上。

芯片測(cè)試是指對(duì)集成電路芯片的功能、性能、可靠性等進(jìn)行測(cè)試和驗(yàn)證的一系列工作。檢測(cè)過(guò)程中，會(huì)檢查芯片的各個(gè)部分是否達(dá)到設(shè)計(jì)要求，并評(píng)估其在不同使用環(huán)境下的工作表現(xiàn)。芯片測(cè)試的原理，芯片測(cè)試的基本原理是通過(guò)特制的測(cè)試儀器，將預(yù)定信號(hào)注入被測(cè)試的芯片引腳上，然后檢測(cè)芯片輸出端口所產(chǎn)生的響應(yīng)情況，以此來(lái)判斷芯片能否正常工作，達(dá)到預(yù)期效果。芯片測(cè)試的數(shù)據(jù)分析主要依賴于數(shù)字信號(hào)處理、模擬信道仿真、統(tǒng)計(jì)推斷等技術(shù)手段。芯片測(cè)試機(jī)支持多樣化的測(cè)試需求，適用不同種類(lèi)芯片的測(cè)試。

設(shè)計(jì)公司主要目標(biāo)是根據(jù)市場(chǎng)需求來(lái)進(jìn)行芯片研發(fā)，在整個(gè)設(shè)計(jì)過(guò)程中，需要一直考慮測(cè)試相關(guān)的問(wèn)題，主要有下面幾個(gè)原因：1） 隨著芯片的復(fù)雜度原來(lái)越高，芯片內(nèi)部的模塊越來(lái)越多，制造工藝也是越來(lái)越先進(jìn)，對(duì)應(yīng)的失效模式越來(lái)越多，而如何能完整有效地測(cè)試整個(gè)芯片，在設(shè)計(jì)過(guò)程中需要被考慮的比重越來(lái)越多。2） 設(shè)計(jì)、制造、甚至測(cè)試本身，都會(huì)帶來(lái)一定的失效，如何保證設(shè)計(jì)處理的芯片達(dá)到設(shè)計(jì)目標(biāo)，如何保證制造出來(lái)的芯片達(dá)到要求的良率，如何確保測(cè)試本身的質(zhì)量和有效，從而提供給客戶符合產(chǎn)品規(guī)范的、質(zhì)量合格的產(chǎn)品，這些都要求必須在設(shè)計(jì)開(kāi)始的頭一時(shí)間就要考慮測(cè)試方案。3） 成本的考量。越早發(fā)現(xiàn)失效，越能減少無(wú)謂的浪費(fèi)；設(shè)計(jì)和制造的冗余度越高，越能提供較終產(chǎn)品的良率；同時(shí)，如果能得到更多的有意義的測(cè)試數(shù)據(jù)，也能反過(guò)來(lái)提供給設(shè)計(jì)和制造端有用的信息，從而使得后者有效地分析失效模式，改善設(shè)計(jì)和制造良率。芯片測(cè)試機(jī)支持多種測(cè)試模式。Prober芯片測(cè)試機(jī)工作原理

芯片測(cè)試機(jī)還可以進(jìn)行閂鎖掃描測(cè)試和邊緣掃描測(cè)試。北京Prober芯片測(cè)試機(jī)定制

這些只只是推拉力測(cè)試機(jī)應(yīng)用的一些行業(yè)，實(shí)際上它還可以用于其他多個(gè)行業(yè)，如機(jī)械行業(yè)、航空航天行業(yè)等。推拉力測(cè)試機(jī)的應(yīng)用范圍非常普遍，因?yàn)樗梢杂糜谠u(píng)估各種物品的強(qiáng)度和耐久性，以確保產(chǎn)品質(zhì)量和安全性。推拉力測(cè)試機(jī)是各個(gè)行業(yè)生產(chǎn)制造過(guò)程中的測(cè)試設(shè)備。此外，推拉力測(cè)試機(jī)還可以幫助生產(chǎn)商滿足各種國(guó)內(nèi)外質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)和要求，如ASTM、ISO、EN等。推拉力測(cè)試機(jī)還可以幫助生產(chǎn)商提高生產(chǎn)效率和降低成本，因?yàn)樗梢钥焖贉?zhǔn)確地測(cè)試產(chǎn)品的質(zhì)量和性能。北京Prober芯片測(cè)試機(jī)定制