設(shè)備軟件：1.中英文軟件界面，三級(jí)操作權(quán)限，各級(jí)操作權(quán)限可自由設(shè)定力值單位Kg、g、N，可根據(jù)測(cè)試需要進(jìn)行選擇。2.軟件可實(shí)時(shí)輸出測(cè)試結(jié)果的直方圖、力值曲線，測(cè)試數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)保存與導(dǎo)出功能，測(cè)試數(shù)據(jù)并可實(shí)時(shí)連接MES系統(tǒng)軟件可設(shè)置標(biāo)準(zhǔn)值并直接輸出測(cè)試結(jié)果并自動(dòng)對(duì)測(cè)試結(jié)果進(jìn)行判定。3.SPC數(shù)據(jù)導(dǎo)出自帶當(dāng)前導(dǎo)出數(shù)據(jù)值、較小值、平均值及CPK計(jì)算。傳感器精度：傳感器精度±0.003％；綜合測(cè)試精度±0.25％測(cè)試傳感器量程自動(dòng)切換。測(cè)試精度：多點(diǎn)位線性精度校正，并用標(biāo)準(zhǔn)法碼進(jìn)行重復(fù)性測(cè)試，保證傳感器測(cè)試數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性。軟件參數(shù)設(shè)置：根據(jù)各級(jí)權(quán)限可對(duì)合格力值、剪切高度、測(cè)試速度等參數(shù)進(jìn)行調(diào)節(jié)。測(cè)試平臺(tái)：真空360度自由旋轉(zhuǎn)測(cè)試平臺(tái)，適應(yīng)于各種材料測(cè)試需求，只需要更換相應(yīng)的治具或壓板，即可輕松實(shí)現(xiàn)多種材料的測(cè)試需求。集成電路測(cè)試通常分為晶圓測(cè)試（CP）、成品測(cè)試（FT）和可靠性測(cè)試（BurnInTest）等。東莞LED芯片測(cè)試機(jī)價(jià)格

當(dāng)芯片測(cè)試機(jī)啟動(dòng)后，移載裝置20移動(dòng)至自動(dòng)上料裝置40的上方，然后移載裝置20向下移動(dòng)吸取自動(dòng)上料裝置40位于較上方的tray盤(pán)中的芯片，將并該芯片移載至測(cè)試裝置30對(duì)芯片進(jìn)行測(cè)試。s3：芯片測(cè)試完成后，移載裝置20將測(cè)試合格的芯片移載至自動(dòng)下料裝置50的空tray盤(pán)中，將不良品移載至不良品放置臺(tái)60的空tray盤(pán)中。芯片測(cè)試完成后，該芯片可能是合格品，也可能是不良品。若該芯片為合格品，則通過(guò)移載裝置20將該合格芯片移載至自動(dòng)下料機(jī)的tray盤(pán)中放置；若該芯片為不良品，則將該不良品移載至不良品放置臺(tái)60的tray盤(pán)中放置。安徽MINI芯片測(cè)試機(jī)價(jià)格FT測(cè)試屬于芯片級(jí)測(cè)試，是通過(guò)測(cè)試板和測(cè)試插座使自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備與封裝后的芯片之間建立電氣連接。

常見(jiàn)的測(cè)試手段，CP（Chip Probing）測(cè)試和FT（Final Test）測(cè)試：CP測(cè)試。芯片測(cè)試分兩個(gè)階段，一個(gè)是CP（Chip Probing）測(cè)試，也就是晶圓（Wafer）測(cè)試。另外一個(gè)是FT（Final Test）測(cè)試，也就是把芯片封裝好再進(jìn)行的測(cè)試。CP（Chip Probing）指的是晶圓測(cè)試。CP測(cè)試在整個(gè)芯片制作流程中處于晶圓制造和封裝之間。晶圓（Wafer）制作完成之后，成千上萬(wàn)的裸DIE（未封裝的芯片）規(guī)則的分布滿(mǎn)整個(gè)Wafer。由于尚未進(jìn)行劃片封裝，芯片的管腳全部裸露在外，這些極微小的管腳需要通過(guò)更細(xì)的探針臺(tái)來(lái)與測(cè)試機(jī)臺(tái)連接。

當(dāng)芯片進(jìn)行高溫測(cè)試時(shí)，為了提供加熱的效率，本實(shí)施例的加熱裝置還包括預(yù)加熱緩存機(jī)構(gòu)90，預(yù)加熱緩存機(jī)構(gòu)90位于自動(dòng)上料裝置40與測(cè)試裝置30之間。預(yù)加熱緩存機(jī)構(gòu)90包括預(yù)加熱墊板91、隔離板92、加熱器93、導(dǎo)熱板94及預(yù)加熱工作臺(tái)95。預(yù)加熱墊板91固定于支撐板12上，隔離板92固定于預(yù)加熱墊板91的上表面，加熱器93固定于隔離板92上，且加熱器93位于隔離板92與導(dǎo)熱板94之間，預(yù)加熱工作臺(tái)95固定于導(dǎo)熱板94的上表面，預(yù)加熱工作臺(tái)95上設(shè)有多個(gè)預(yù)加熱工位96。抽樣測(cè)試，比如設(shè)計(jì)過(guò)程中的驗(yàn)證測(cè)試，芯片可靠性測(cè)試，芯片特性測(cè)試等等。

在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語(yǔ)“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“中”、“內(nèi)”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，只是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。此外，術(shù)語(yǔ)“頭一”、“第二”等只用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“頭一”、“第二”等的特征可以明示或者隱含地包括一個(gè)或者更多個(gè)該特征。在本發(fā)明的描述中，需要說(shuō)明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語(yǔ)“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是直接相連，也可以通過(guò)中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以通過(guò)具體情況理解上述術(shù)語(yǔ)在本發(fā)明中的具體含義。DUT-Device Under Test,等待測(cè)試的器件，我們統(tǒng)稱(chēng)已經(jīng)放在測(cè)試系統(tǒng)中，等待測(cè)試的器件為DUT。東莞LED芯片測(cè)試機(jī)價(jià)格

Eflash TEST: 測(cè)試內(nèi)嵌flash的功能及性能，包含讀寫(xiě)擦除動(dòng)作及功耗和速度等各種參數(shù)。東莞LED芯片測(cè)試機(jī)價(jià)格

Probe Card---乃是Tester與wafer上的DUT之間其中一個(gè)連接介面，目的在連接Tester Channel 與待測(cè)DUT。大部分為鎢銅或鈹銅，也有鈀等其他材質(zhì)；材質(zhì)的選擇需要強(qiáng)度高、導(dǎo)電性及不易氧化等特性，樣子如下面所示。當(dāng) probe card 的探針正確接觸wafer內(nèi)一顆 die的每個(gè)bond pads后, 送出start信號(hào)通過(guò)Interface給tester開(kāi)始測(cè)試, tester完成測(cè)試送回分類(lèi)訊號(hào) ( End of test) 給Prober, 量產(chǎn)時(shí)必須 tester 與 prober 做連接(docking) 才能測(cè)試。較終測(cè)試(FT,或者封裝測(cè)試)：就是在圖（3）中的Package Device上進(jìn)行測(cè)試.下圖就是一個(gè)完整的FT的測(cè)試系統(tǒng)。對(duì)比wafer test，其中硬件部分，prober換成了handler，其作用是一樣的，handler的主要作用是機(jī)械手臂，抓取DUT，放在測(cè)試區(qū)域，由tester對(duì)其進(jìn)行測(cè)試，然后handler再根據(jù)tester的測(cè)試結(jié)果，抓取DUT放到相應(yīng)的區(qū)域，比如好品區(qū)，比如壞品1類(lèi)區(qū)，壞品2類(lèi)區(qū)等。東莞LED芯片測(cè)試機(jī)價(jià)格