一種晶圓傳輸裝置及其真空吸附機(jī)械手，該真空吸附機(jī)械手包括：手臂；固定在所述手臂上的吸附絕緣凸臺(tái)；設(shè)置在所述手臂和吸附絕緣凸臺(tái)內(nèi)的真空氣道；所述吸附絕緣凸臺(tái)用于吸附待傳送晶圓的背面，所述吸附絕緣凸臺(tái)的硬度小于所述待傳送晶圓的背面的硬度。由于吸附絕緣凸臺(tái)的硬度小于待傳送晶圓的背面的硬度，故利用真空吸附機(jī)械手將晶圓傳送至所需位置之后，晶圓的背面中與真空吸附機(jī)械手接觸的位置不會(huì)形成印記，提高了晶圓的合格率。直角坐標(biāo)系機(jī)械手臂，球坐標(biāo)系機(jī)械手臂，極坐標(biāo)機(jī)械手臂.云浮新款晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂上門服務(wù)

    近年來全球硅晶圓供給不足，導(dǎo)致8英寸、12英寸硅晶圓訂單能見度分別已達(dá)2019上半年和年底。目前國內(nèi)多個(gè)硅晶圓項(xiàng)目已經(jīng)開始籌備，期望有朝一日能夠打破進(jìn)口依賴，并有足夠的能力滿足市場(chǎng)需求。硅在自然界中以硅酸鹽或二氧化硅的形式***存在于巖石、砂礫中，硅晶圓的制造可以歸納為三個(gè)基本步驟：硅提煉及提純、單晶硅生長、晶圓成型。一，晶柱制造步驟硅提純:將沙石原料放入一個(gè)溫度約為2000℃，并且有碳源存在的電弧熔爐中，在高溫下，碳和沙石中的二氧化硅進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)（碳氧結(jié)合，得硅），提純得純度約為98%的純硅，又稱冶金級(jí)硅，這對(duì)微電子器件來說依然不夠純，因?yàn)榘雽?dǎo)體材料的電學(xué)特性對(duì)雜質(zhì)的濃度相當(dāng)?shù)拿舾?，因而?duì)冶金級(jí)硅作進(jìn)一步提純：將粉碎的冶金級(jí)硅與氣態(tài)的氯化氫進(jìn)行氯化反應(yīng)，生成液態(tài)的硅烷，然后通過蒸餾和化學(xué)還原工藝，得到了高純度的多晶硅，其純度達(dá)99%，成為電子級(jí)硅。 云浮新款晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂上門服務(wù)實(shí)現(xiàn)柔性機(jī)械臂高精度有效控制也必須考慮系統(tǒng)動(dòng)力學(xué)特性。

可選地，所述托板包括：

主板；

排列成八字形的***支板和第二支板，在所述主板的同一側(cè)與所述主板固定連接；

所述主板靠近所述***支板和第二支板的一端、所述***支板遠(yuǎn)離所述主板的一端、所述第二支板遠(yuǎn)離所述主板的一端均設(shè)置有所述絨毛墊。

可選地，所述表面為平面。

另外，本實(shí)用新型還提供了一種晶圓傳輸裝置，其包括上述任一所述的機(jī)械手臂。

在本實(shí)用新型的技術(shù)方案中，機(jī)械手臂傳送晶圓時(shí)，晶圓放置在托板的表面，并與絨毛墊接觸，借助晶圓與絨毛墊的絨毛之間的范德華力，晶圓被穩(wěn)穩(wěn)地附著在機(jī)械手臂上，不易發(fā)生平移，這樣不僅可以避免發(fā)生機(jī)械手臂碰傷，還可以提高晶圓的傳送速度以提高生產(chǎn)效率。

通過以下參照附圖對(duì)本實(shí)用新型的示例性實(shí)施例的詳細(xì)描述，本實(shí)用新型的其它特征、方面及其優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得清楚。

輸送半導(dǎo)體晶圓的機(jī)械手通常具有兩個(gè)以上的自由度。這種機(jī)械手典型地由兩個(gè)連桿和手部構(gòu)成。在本說明書中，將兩個(gè)連桿稱作上臂連桿和前臂連桿。典型地，上臂連桿的一端連結(jié)于電機(jī)的輸出軸，上臂連桿的另一端連結(jié)于前臂連桿的一端。而且，前臂連桿的另一端連結(jié)于手部。上臂連桿和前臂連桿經(jīng)由關(guān)節(jié)而連結(jié)。前臂連桿和手部也經(jīng)由關(guān)節(jié)而連結(jié)。在各個(gè)關(guān)節(jié)處安裝有軸承，以便使連桿順暢地旋轉(zhuǎn)。在輸送半導(dǎo)體晶圓的機(jī)械手中，為了不污染傳送室內(nèi)而屏蔽（shield）安裝于關(guān)節(jié)的軸承。隨著宇航業(yè)及機(jī)器人業(yè)的飛速發(fā)展，越來越多地采用由若干個(gè)柔性構(gòu)件組成的多柔體系統(tǒng)。

晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂的應(yīng)用非常廣，主要包括以下幾個(gè)方面：晶圓生產(chǎn)線：在晶圓生產(chǎn)線上，晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂被廣泛應(yīng)用于晶圓的裝載和卸載過程。它能夠?qū)⒕A從載體上吸附起來，并將其準(zhǔn)確地運(yùn)送到目標(biāo)位置，以完成各種工序，如清洗、切割、涂覆等。晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂的高精度和穩(wěn)定性能，能夠確保晶圓在整個(gè)生產(chǎn)過程中的安全和穩(wěn)定運(yùn)輸。半導(dǎo)體封裝和測(cè)試：在半導(dǎo)體封裝和測(cè)試過程中，晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂被用于將封裝好的芯片從一個(gè)工序轉(zhuǎn)移到另一個(gè)工序。它能夠?qū)⑿酒瑴?zhǔn)確地吸附在機(jī)械臂上，并將其運(yùn)送到封裝或測(cè)試設(shè)備上，以完成后續(xù)的封裝和測(cè)試工作。合理選擇機(jī)械手的坐標(biāo)形式。直角坐標(biāo)式機(jī)械手的位置精度較高，其結(jié)構(gòu)和運(yùn)動(dòng)都比較簡(jiǎn)單、誤差也小。福建進(jìn)口晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂生產(chǎn)廠家

機(jī)械手的剛度、偏重力矩、慣性力及緩沖效果都直接影響手臂的位置精度。云浮新款晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂上門服務(wù)

    區(qū)熔法分為兩種：水平區(qū)熔法和立式懸浮區(qū)熔法。前者主要用于鍺、GaAs等材料的提純和單晶生長；后者主要用于硅。為什么有橫著和豎著長的不同捏？這是由于硅的熔點(diǎn)高，化學(xué)性能活潑，容易受到異物的玷污，所以難以找到適合的器皿來盛方，自然水平區(qū)熔法不能用在硅的生長上啦。區(qū)熔法與直拉法比較大的不同之處在于：區(qū)熔法一般不使用坩鍋，引入的雜質(zhì)更少，生長的材料雜質(zhì)含量也就更少?？偠灾?，單晶硅棒是圓柱形的，使用這種方法得到的單晶硅圓片自然也是圓形的了。就是下圖這個(gè)樣的——知道是兩頭的尖尖是如何造成的嗎？Bingo，圖左的尖尖是籽晶，圖右的尖尖是晶棒長到***，從熔融態(tài)里出來后，由于復(fù)雜的流體力學(xué)原理，以及熔融態(tài)的硅迅速凝固而導(dǎo)致的。 云浮新款晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂上門服務(wù)

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