LLB1000用到了閃爍體探測(cè)器和PIPS探測(cè)器。其中，閃爍體探測(cè)器是采用α閃爍物質(zhì)和β閃爍物質(zhì)復(fù)合閃爍體作為發(fā)光元件。由于α粒子的射程短，當(dāng)粒子進(jìn)入α閃爍物質(zhì)時(shí)，將全部能量損失在ZnS(Ag)材料上，引起閃爍發(fā)光，光電倍增管產(chǎn)生α信號(hào)。β粒子由于穿透能力較強(qiáng)，β粒子穿過(guò)ZnS(Ag)材料進(jìn)入β閃爍物質(zhì)，產(chǎn)生閃爍光，進(jìn)入光電倍增管產(chǎn)生β信號(hào)。PIPS探測(cè)器是半導(dǎo)體兩端加反向電壓，N區(qū)接正，P區(qū)接負(fù)，外加電場(chǎng)方向與內(nèi)建電場(chǎng)方向相同，使耗盡層增厚，漂移運(yùn)動(dòng)增強(qiáng)。當(dāng)帶電粒子穿過(guò)時(shí)產(chǎn)生電子－空穴對(duì)，在高電場(chǎng)下分別向正負(fù)電極漂移，產(chǎn)生信號(hào)。信號(hào)幅度正比于電子空穴對(duì)數(shù)目，正比于入射粒子損失能量。上海新漫傳感科技有限公司致力于提供低本底計(jì)數(shù)器，有需要可以聯(lián)系我司哦！山東專業(yè)低本底計(jì)數(shù)器生產(chǎn)商

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閃爍體探測(cè)器是采用α閃爍物質(zhì)和β閃爍物質(zhì)復(fù)合閃爍體作為發(fā)光元件。由于α粒子的射程短，當(dāng)粒子進(jìn)入α閃爍物質(zhì)時(shí)，將全部能量損失在ZnS(Ag)材料上，引起閃爍發(fā)光，光電倍增管產(chǎn)生α信號(hào)。β粒子由于穿透能力較強(qiáng)，β粒子穿過(guò)ZnS(Ag)材料進(jìn)入β閃爍物質(zhì)，產(chǎn)生閃爍光，進(jìn)入光電倍增管產(chǎn)生β信號(hào)。PIPS探測(cè)器是半導(dǎo)體兩端加反向電壓，N區(qū)接正，P區(qū)接負(fù)，外加電場(chǎng)方向與內(nèi)建電場(chǎng)方向相同，使耗盡層增厚，漂移運(yùn)動(dòng)增強(qiáng)。當(dāng)帶電粒子穿過(guò)時(shí)產(chǎn)生電子－空穴對(duì)，在高電場(chǎng)下分別向正負(fù)電極漂移，產(chǎn)生信號(hào)。信號(hào)幅度正比于電子空穴對(duì)數(shù)目，正比于入射粒子損失能量。

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