集成了內(nèi)部軟啟動(dòng)功能，以減小芯片啟動(dòng)上電過程中的沖擊電流和保證輸出電壓平穩(wěn)上升。當(dāng)VIN 高于 UVLO 閾值時(shí)，輸出電壓從EN上升沿延遲440μs (典型值) 后開始上升。當(dāng)芯片啟動(dòng)時(shí)，內(nèi)部的軟啟動(dòng)電路產(chǎn)生一個(gè)從0V 開始上升的軟啟動(dòng)電壓(SS)。當(dāng)SS 低于內(nèi)部參考電壓(VREF) 時(shí)，SS 覆蓋 VREF，因此電壓誤差積分器和控制比較器使用SS 作為參考電壓，輸出電壓跟隨SS 平穩(wěn)上升。當(dāng)SS 升到 VREF 電壓時(shí)，VREF 重新獲得控制，參考電壓穩(wěn)定為VREF，輸出電壓隨之穩(wěn)定在設(shè)定值VOUT，軟啟動(dòng)結(jié)束。可給藍(lán)牙芯片提供穩(wěn)定客戶的電壓。廣東AC高壓220V降48V非隔離BUCK電源芯片型號(hào)

30V降壓DCDC電源轉(zhuǎn)換芯片，低待機(jī)功耗。提供一個(gè)芯片外部使能控制引腳(EN) 以使能或禁止芯片工作。當(dāng)EN 引腳電壓高于EN 上升閾值電壓(VEN(R)) 且 VIN 電壓高于VIN 欠壓鎖定閾值(VUVLO(R)) 時(shí)，芯片使能開始正常工作。如果EN 引腳電壓被拉低到閾值電壓(VEN(F)) 以下，則芯片停止開關(guān)動(dòng)作并進(jìn)入關(guān)機(jī)模式，即使VIN 電壓高于VIN 欠壓鎖定閾值(VUVLO(R))，芯片也被禁用，開關(guān)動(dòng)作停止。在關(guān)機(jī)模式下，芯片的輸入電流降低到比較低的關(guān)斷電流(典型值為2.5μA)。廣東AC高壓220V降48V非隔離BUCK電源芯片型號(hào)集成 500V 高壓 MOSFET 和高壓?jiǎn)?dòng)電路。

當(dāng)過流或者過熱故障發(fā)生時(shí)，芯片進(jìn)入到自動(dòng)重啟和VDD振蕩模式中。在此過程中高壓MOSFET不允許導(dǎo)通，同時(shí)VDD電容上電壓持續(xù)在4.87V和4.38V之間振蕩。通過芯片內(nèi)部數(shù)字計(jì)數(shù)器對(duì)振蕩周期的計(jì)數(shù)，當(dāng)振蕩周期數(shù)超過511次時(shí)芯片退出保護(hù)模式并重新開始工作。如果故障解除，系統(tǒng)開始正常工作；否則系統(tǒng)再次進(jìn)入振蕩模式。為確保系統(tǒng)工作穩(wěn)定，推薦KP311A系統(tǒng)工作于淺度CCM狀態(tài)，即電感電流紋波ΔI接近于OCP峰值電流(210mA)。具體感量計(jì)算公式如下：L=(Vo+Vf)*Toff_min/ΔI其中：Vo：輸出電壓；Vf：續(xù)流二極管壓降；Toff_min：IC設(shè)定內(nèi)部**小Toff時(shí)間，約32us；ΔI：電感紋波電流，CCM條件下為2*(Iocp-Io_max)。舉例來講，參考5V-100mA輸出規(guī)格，設(shè)定Io_max為額定輸出電流的1.2倍，即120mA；

芯片內(nèi)部**小Toff時(shí)間固定為32us，同時(shí)為了優(yōu)化系統(tǒng)EMI系統(tǒng)還帶有±5%范圍的抖頻功能。在實(shí)際工作中，系統(tǒng)開關(guān)頻率取決于負(fù)載狀態(tài)以及VDD電壓與輸出電壓基準(zhǔn)的高低，所以系統(tǒng)工作在調(diào)頻模式中。芯片內(nèi)部差分采樣電路采樣流經(jīng)高壓MOS電流的壓差作為內(nèi)部過流比較器的輸入。當(dāng)過流比較器翻轉(zhuǎn)時(shí)高壓MOSFET關(guān)斷直至下一個(gè)周期重新開通。為了避免開通瞬間的干擾，芯片內(nèi)設(shè)計(jì)有前沿消隱電路(典型值400ns)，在此時(shí)間內(nèi)過流比較器不翻轉(zhuǎn)且高壓MOSFET不允許關(guān)斷。為了避免開通瞬間的 干擾， 芯片內(nèi)設(shè)計(jì)有前沿消隱電路（ 典型值 300ns）。

芯片在輕載條件下工作在FPWM 模式，從而允許低側(cè)MOSFET 通過反向電流。在FPWM 模式下，如果輸出端由于意外被連接到外部電源上，芯片可能工作在反向升壓模式，產(chǎn)生很高的反向電流以至損壞芯片。芯片 內(nèi)部集成低側(cè)MOSFET 電流檢測(cè)電路，當(dāng)檢測(cè)到低側(cè)MOSFET反向電流大于反向限流閾值(NOC) 時(shí)，立即關(guān)閉低側(cè)MOSFET，然后打開高側(cè)MOSFET 將輸出電感的能量泄放出去。此功能可以限制反向電流保持在NOC 閾值以上，從而保護(hù)低側(cè)MOSFET。另外，NOC 限流在**小關(guān)斷時(shí)間內(nèi)不生效。芯片靜態(tài)工作電流典型值為 200uA。如此 低的工作電流降低了對(duì)于 VDD 電容大小的要求， 同時(shí)也可以提高系統(tǒng)效率。廣東AC高壓220V降48V非隔離BUCK電源芯片型號(hào)

內(nèi)部集成的平均電流反饋環(huán)路可以確保高輸出電流 精度。廣東AC高壓220V降48V非隔離BUCK電源芯片型號(hào)

PCB設(shè)計(jì)對(duì)芯片的穩(wěn)定可靠工作至關(guān)重要，請(qǐng)遵循以下指南設(shè)計(jì)以獲得比較好的電路工作性能：1.輸入陶瓷電容盡可能靠近VIN和GND引腳放置。2.功率回路CIN→L→COUT→GND的走線應(yīng)該盡可能短和寬以減小回路壓降，提高轉(zhuǎn)換效率。3.SW節(jié)點(diǎn)的電壓波形為高頻方波，適當(dāng)減小SW節(jié)點(diǎn)的鋪銅可以改善EMI性能，另一方面適當(dāng)增大SW節(jié)點(diǎn)的鋪銅可以優(yōu)化散熱性能，可根據(jù)實(shí)際情況適當(dāng)折衷考慮。4.FB引腳的走線盡可能遠(yuǎn)離噪聲源，比如SW節(jié)點(diǎn)和BST節(jié)點(diǎn)。5.輸出電壓VOUT的采樣點(diǎn)靠近輸出電容末端放置，且分壓采樣電阻靠近FB引腳放置。6.VIN和GND的走線和鋪銅盡可能寬以幫助散熱。在多層板的PCB設(shè)計(jì)中，推薦為GND引腳設(shè)置一個(gè)完整的GND層，并在GND層和芯片層間增加足夠多的過孔。廣東AC高壓220V降48V非隔離BUCK電源芯片型號(hào)

互勤(深圳)科技有限公司是一家經(jīng)營(yíng)范圍包括一般經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目是：電子產(chǎn)品、電子元器件、半導(dǎo)體芯片、系統(tǒng)集成的銷售；電池、電池管理系統(tǒng)、電子類板卡，PCBA、電子產(chǎn)品的技術(shù)開發(fā)、技術(shù)咨詢、技術(shù)支撐、研發(fā)、設(shè)計(jì)、銷售。(法律、行政法規(guī)、決定規(guī)定在登記前須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目除外）的公司，致力于發(fā)展為創(chuàng)新務(wù)實(shí)、誠實(shí)可信的企業(yè)?；デ诳萍紦碛幸恢Ы?jīng)驗(yàn)豐富、技術(shù)創(chuàng)新的專業(yè)研發(fā)團(tuán)隊(duì)，以高度的專注和執(zhí)著為客戶提供電源芯片，MOS管，MCU方案，必易芯片?；デ诳萍祭^續(xù)堅(jiān)定不移地走高質(zhì)量發(fā)展道路，既要實(shí)現(xiàn)基本面穩(wěn)定增長(zhǎng)，又要聚焦關(guān)鍵領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)型再突破。互勤科技創(chuàng)始人萬亞慶，始終關(guān)注客戶，創(chuàng)新科技，竭誠為客戶提供良好的服務(wù)。