40V降壓DCDC低功耗電源芯片，主要特點?用于條件嚴苛的工業(yè)應用?輸入電壓范圍：6V~40V?1A持續(xù)輸出電流?100%比較大占空比可實現(xiàn)**壓降?支持預偏置輸出軟啟動?輸出過壓/欠壓保護?輸入過壓保護/欠壓鎖定?過溫保護?±1%輸出電壓精度?方案小巧且易于使用?集成270mΩP型高側MOSFET?集成135mΩN型低側MOSFET?內(nèi)置補償電路?內(nèi)置軟啟動電路?固定5V輸出(KP521405,KP521405A)?固定3.3V輸出(KP521403,KP521403A)?為家電應用優(yōu)化設計?可實現(xiàn)單層PCB布局?低開關速率減輕EMI問題典型應用?白電，小家電?電動工具?智能照明?通用寬輸入電壓軌內(nèi)部集成的平均電流反饋環(huán)路可以確保高輸出電流 精度。四川交流高壓220V轉(zhuǎn)3.3V供電WIFI非隔離BUCK電源芯片定制

芯片BST 引腳和 SW 引腳間需要加入一顆陶瓷電容以穩(wěn)定支撐芯片內(nèi)部高側N-MOSFET 的驅(qū)動電源。此處推薦使用不低于10V 耐壓的 X5R 或者 X7R 的 0.1μF 陶瓷電容(0603 封裝)。采用 COT 控制架構可以實現(xiàn)超快的負載瞬態(tài)響應性能。在某些對負載瞬態(tài)響應要求更高的應用條件下，還可以通過在輸出反饋分壓電阻上添加前饋電阻RFF 和電容CFF 來進一步提升瞬態(tài)響應性能。考慮到噪聲耦合影響，推薦使用RFF = 2 kΩ~10kΩ，另外不要使用高于100pF 的 CFF。注意，實際RFF 和 CFF 為可選器件，推薦以實測負載瞬態(tài)響應和輸出調(diào)整率的結果優(yōu)化選取。湖南低功耗40V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片加工集成有快速動態(tài)影響功能，可降低負載 切換時的輸出電壓跌落。

KP52220XA采用內(nèi)置電壓誤差積分器的恒定導通時間控制(COT)策略。COT控制利用輸出電壓谷底紋波基于比較器和導通時間定時器實現(xiàn)輸出電壓調(diào)控的目的。在每個周期的開始，每當反饋引腳FB上的電壓低于內(nèi)部參考電壓時，芯片內(nèi)置高側MOSFET(HSF)被打開，并且持續(xù)開通固定的導通時間后關閉，此開通時間由導通時間定時器確定。該導通時間定時器由輸出電壓和輸入電壓共同決定，以使開關頻率在全輸入電壓范圍內(nèi)保持接近恒定。當導通時間定時器定時完畢后，HSF將會保持關閉至少200ns(**小關斷時間)。**小關斷時間后，如果反饋引腳FB上的電壓低于內(nèi)部參考電壓，則HSF將再次打開一個固定導通時間。

BUCK降壓芯片，小封裝輸出5V100mA，低功耗、高效率、線路簡單，在某些情況下(如重載或者輸出短路等)，系統(tǒng)的電感電流峰值將上升過于劇烈。為避免電感峰值電流過大對系統(tǒng)元器件造成損壞，芯片內(nèi)部設計有異常過流檢測模塊(AOCP，典型閾值為250mA)。當CS電壓高于該閾值時，內(nèi)部功率MOSFET即刻關斷并保持關斷狀態(tài)持續(xù)2個周期。芯片內(nèi)部集成的過熱保護電路會檢測芯片的芯片結溫，當芯片結溫超過155度(典型值)時系統(tǒng)進入到自動重啟模式。良好的線性調(diào)整率和負載調(diào)整率，集成軟啟動電路。

在輕載條件下，系統(tǒng)工作在斷續(xù)模式下。故實際輸入功率取決于電感電流峰值大小。為了降低系統(tǒng)損耗，隨著負載的降低會自動降低峰值電流基準以滿足**待機的要求。內(nèi)集成有4ms(典型值)周期的軟啟動功能，當芯片***次啟動時過流保護閾值逐漸增加，而且每次系統(tǒng)的重新啟動都會伴隨著一次軟啟動過程。當過流或短路情況發(fā)生時，輸出電壓和VDD將降低，如果在128ms(典型值)的時間內(nèi)每次振蕩器的周期里高壓MOSFET都被開通，則芯片識別此情況為過流或短路故障已發(fā)生，并停止開關動作之后進入自動重啟模式(如下描述)。內(nèi)部無固 定時鐘驅(qū)動 MOSFET，系統(tǒng)開關頻率隨負載變化 可實現(xiàn)自動調(diào)節(jié)。四川交流高壓220V轉(zhuǎn)3.3V供電WIFI非隔離BUCK電源芯片定制

系列是一款高性能低成本 PWM 控制功 率開關，適用于離線式小功率降壓型應用場合，**電路簡單、器件個數(shù)少。四川交流高壓220V轉(zhuǎn)3.3V供電WIFI非隔離BUCK電源芯片定制

芯片內(nèi)部**小Toff時間固定為32us，同時為了優(yōu)化系統(tǒng)EMI系統(tǒng)還帶有±5%范圍的抖頻功能。在實際工作中，系統(tǒng)開關頻率取決于負載狀態(tài)以及VDD電壓與輸出電壓基準的高低，所以系統(tǒng)工作在調(diào)頻模式中。芯片內(nèi)部差分采樣電路采樣流經(jīng)高壓MOS電流的壓差作為內(nèi)部過流比較器的輸入。當過流比較器翻轉(zhuǎn)時高壓MOSFET關斷直至下一個周期重新開通。為了避免開通瞬間的干擾，芯片內(nèi)設計有前沿消隱電路(典型值400ns)，在此時間內(nèi)過流比較器不翻轉(zhuǎn)且高壓MOSFET不允許關斷。四川交流高壓220V轉(zhuǎn)3.3V供電WIFI非隔離BUCK電源芯片定制

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