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北京大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片原廠

來源: 發(fā)布時間:2023-06-08

EN 引腳有一個內部上拉電流源,從而允許用戶保持EN 引腳懸空來使能芯片。另外根據(jù)實際應用需要,EN 引腳可以接在外部邏輯控制接口上以實現(xiàn)芯片的使能控制。EN 引腳內部集成了一個5V 的穩(wěn)壓二極管(典型的擊穿電壓為6.9V) 以保護內部電路受到過壓風險。在將EN 引腳外接到高于6V的電壓比如VIN 電壓時,串聯(lián)加入上拉電阻(不小于100kΩ) 以限制EN 引腳的輸入電流,防止損壞齊納二極管。芯片內部集成了紋波注入電路來模擬輸出電壓紋波從而實現(xiàn)了在低ESR 的陶瓷輸出電容(MLCC) 的低輸出紋波條件下的穩(wěn)定工作。另外,內部還集成了一個斜坡信號產生電路,以減少開關抖動。。內置開關頻率限制 (16kHz-125kHz),可以有效抑制音頻噪聲和降 低開關損耗。北京大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片原廠

給藍牙模塊供電,220V降壓3.3V,輸出可調,電路簡單。芯片內部峰值電流檢測閾值可跟隨實際負載情況自動調節(jié),可以有效降低空載情況下的待機功耗。KP35062集成有完備的帶自恢復功能的保護功能:VDD欠壓保護、逐周期電流限制、輸出過壓保護、過熱保護、過載保護等。主要特點?集成500V高壓MOSFET和高壓啟動電路?集成續(xù)流二極管?多模式控制、無異音工作?支持降壓和升降壓拓撲?支持**壓輸入(>20V)?空載功耗低于100mW?支持比較高30kHz開關頻率?良好的線性調整率和負載調整率?集成軟啟動電路?內部保護功能:?過載保護(OLP)?逐周期電流限制(OCP)?輸出過壓保護(OVP)?過溫保護(OTP)?封裝類型SOP-8上海低功耗60V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片現(xiàn)貨;當工作 于空載附近時,系統(tǒng)將重新進入調頻模式以降低待 機損耗。

18V降壓DCDC芯片,低待機。KP52220XA 是一顆用于各種中壓輸入電壓軌(4.5V-17V) 應用的2A 直流同步降壓轉換器,尤其適用于12V 的輸入電壓軌。該轉換器采用恒定導通時間(COT) 控制策略,實現(xiàn)了超快的瞬態(tài)響應,同時無需外部環(huán)路補償,有助于節(jié)省輸出電容和減少解決方案的整體尺寸。另外KP52220XA 的內部導通時間定時器與輸入電壓成反比,與輸出電壓成正比,實現(xiàn)了在不同的工作條件下固定的工作頻率。該產品還額外集成了輸出電壓誤差放大器,可以消除COT 控制策略形成的半個紋波的直流輸出電壓失調,從而達到更高的輸出電壓精度和負載調整率。在輕載條件下,KP522201A 工作在脈沖頻率調制模式(PFM) 中,通過降低開關頻率來保持高輕載輸出效率;而KP522208A 工作在強制脈寬調制模式(FPWM) 中,通過保持開關頻率的恒定以保持低輸出電壓紋波。

固定5V輸出、高性能低成本離線式PWM控制功率KP320X是一款系列化的高性能低成本PWM控制功率開關,適用于離線式小功率降壓型應用場合,外圍電路簡單、器件個數(shù)少。同時產品內置高耐壓MOSFET可提高系統(tǒng)浪涌耐受能力。與傳統(tǒng)的PWM控制器不同,KP320X內部無固定時鐘驅動MOSFET,系統(tǒng)開關頻率隨負載變化可實現(xiàn)自動調節(jié)。同時芯片采用了多模式PWM控制技術,有效簡化了外圍電路設計,提升線性調整率和負載調整率并消除系統(tǒng)工作中的可聞噪音。此外,芯片內部峰值電流檢測閾值可跟隨實際負載情況自動調節(jié),可以有效降低空載情況下的待機功耗。該芯片通過智能控制交流能 量輸入以減小系統(tǒng)損耗,提高系統(tǒng)效率,同時有效 降低系統(tǒng)待機。

BUCK降壓芯片,小封裝輸出5V100mA,低功耗、高效率、線路簡單,在某些情況下(如重載或者輸出短路等),系統(tǒng)的電感電流峰值將上升過于劇烈。為避免電感峰值電流過大對系統(tǒng)元器件造成損壞,芯片內部設計有異常過流檢測模塊(AOCP,典型閾值為250mA)。當CS電壓高于該閾值時,內部功率MOSFET即刻關斷并保持關斷狀態(tài)持續(xù)2個周期。芯片內部集成的過熱保護電路會檢測芯片的芯片結溫,當芯片結溫超過155度(典型值)時系統(tǒng)進入到自動重啟模式。在某些情況下(如重載或者輸出短路等),系統(tǒng)的電 感電流峰值將上升過于劇烈。中國臺灣大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片加工

AC交流輸入,輸出12V/500mA電流的低成本BUCK降壓芯片。北京大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片原廠

輸出電容選擇:對于常規(guī)的5V-100mA規(guī)格,輸出電容根據(jù)實際紋波電壓需求選擇100uF-220uF即可。假負載選擇:需在空載輸出電壓和待機損耗上折中:即過大的假負載可以壓制空載輸出上飄電壓,但系統(tǒng)待機損耗也隨之加大;而過小的假負載則反之。一般而言,芯片系統(tǒng)推薦假負載阻值范圍在1-2k范圍內(隨輸出電壓調整),假負載損耗控制在10-15mW左右即可。內集成有4ms(典型值)周期的軟啟動功能,當芯片***次啟動時過流保護閾值逐漸增加,而且每次系統(tǒng)的重新啟動都會伴隨著一次軟啟動過程。北京大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片原廠

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