主要特點(diǎn)?集成500V高壓MOSFET和高壓?jiǎn)?dòng)電路?優(yōu)化輕載噪音、提升系統(tǒng)抗干擾能力?多模式控制、無(wú)異音工作?支持降壓和升降壓拓?fù)?默認(rèn)12V輸出(FB腳懸空)?待機(jī)功耗<50mW?良好的線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率?集成軟啟動(dòng)電路?內(nèi)部保護(hù)功能：?過(guò)載保護(hù)(OLP)?逐周期電流限制(OCP)?輸出過(guò)壓保護(hù)(OVP)?VDD過(guò)壓、欠壓和電壓箝位保護(hù)?封裝類型SOP-8，可以滿足客戶不同電壓需求：220V交流轉(zhuǎn)12V，220V交流轉(zhuǎn)5V，220V交流轉(zhuǎn)15V，220V交流轉(zhuǎn)24V。芯片采用管腳復(fù)用技術(shù)，內(nèi)部差分采樣電路采樣 VDD 管腳與CS 管腳之間的壓差作為內(nèi)部過(guò)流比較 器的輸入。北京低功耗150V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片定制

芯片引腳內(nèi)部有一個(gè)上拉電流源(IEN(P))，使得芯片在EN 引腳外部懸空時(shí)處于使能狀態(tài)。同時(shí)，上拉電流源同樣也可被用于設(shè)置外部VIN UVLO 功能的電壓閾值和遲滯。引腳EN 引腳電壓 VEN 由 VIN 分壓得到，當(dāng)VEN 隨著 VIN 上升而大于VEN(R) 時(shí)，額外的一個(gè)上拉遲滯電流源(IEN(H)) 會(huì)被打開(kāi)從而改變VEN 的電壓比，實(shí)現(xiàn)上升和下降閾值分別自定義配置的功能。使用如下公式9-1 和公式9-2 可以計(jì)算得到指定VIN UVLO 閾值的REN(TOP) 和 REN(BOT) 配置，其中VIN(START) 和 VIN(STOP) 為自定義配置的輸入啟動(dòng)電壓和關(guān)閉電壓值。重慶AC高壓220V降30V非隔離BUCK電源芯片庫(kù)存芯片采用了多模式 PWM 控 制技術(shù)，有效簡(jiǎn)化了外圍電路設(shè)計(jì)。

220V交流降壓3.3V100mA電流，給藍(lán)牙提供穩(wěn)定的電壓及各種保護(hù)功能，KP35062是一款高性能低成本PWM控制功率開(kāi)關(guān)，適用于離線式小功率降壓型應(yīng)用場(chǎng)合，外圍電路簡(jiǎn)單、器件個(gè)數(shù)少。同時(shí)產(chǎn)品內(nèi)置高耐壓MOSFET可提高系統(tǒng)浪涌耐受能力。與傳統(tǒng)的PWM控制器不同，KP35062內(nèi)部無(wú)固定時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)MOSFET，系統(tǒng)開(kāi)關(guān)頻率隨負(fù)載變化可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)調(diào)節(jié)。同時(shí)芯片采用了多模式PWM控制技術(shù)，有效簡(jiǎn)化了外圍電路設(shè)計(jì)，提升線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率并消除系統(tǒng)工作中的可聞噪音。

如果輸出電容在芯片啟動(dòng)時(shí)已經(jīng)處于預(yù)偏置電壓狀態(tài)，芯片*在內(nèi)部參考電壓SS 大于反饋電壓VFB 后才啟動(dòng)開(kāi)關(guān)，VOUT 開(kāi)始上升。該預(yù)偏置軟啟動(dòng)方案保證了芯片輸出電壓平穩(wěn)地上升進(jìn)入穩(wěn)定狀態(tài)。集成了輸出欠壓打嗝保護(hù)(UVP) 功能，通過(guò)不斷監(jiān)測(cè)反饋電壓VFB 防止芯片輸出過(guò)載或短路。如果VFB 低于輸出欠壓保護(hù)閾值(VUVP) (典型值為內(nèi)部反饋參考電壓的65%)，欠壓比較器的輸出將會(huì)置高，以關(guān)閉內(nèi)部高側(cè)和低側(cè)MOSFET 開(kāi)關(guān)管，阻止芯片繼續(xù)開(kāi)關(guān)工作。反饋輸入管腳，該引腳懸空時(shí)默認(rèn) 12V 輸出。

另外為了優(yōu)化芯片的 EMI 性能和保證芯片的可靠穩(wěn)定運(yùn)行，在使用陶瓷電容作為輸入電容 CIN 外，推薦另外再添加一個(gè) 0.1μF 的陶瓷電容(0603/0402 封裝) 盡可能近地放置在芯片的VIN 和 GND 引腳旁。需要注意的是，雖然陶瓷電容具有優(yōu)良的高頻性能和穩(wěn)定的使用壽命，但是在某些輸入電壓熱插拔的使用場(chǎng)景下，實(shí)際VIN 引腳上的電壓可能會(huì)由于陶瓷電容的低ESR 特性出現(xiàn)振蕩，**惡劣時(shí)甚至?xí)袷幍? 倍的 VIN 電壓，從而過(guò)壓擊穿芯片。此時(shí)，推薦在輸入電壓端額外并聯(lián)加入一顆具有較大ESR 的電解電容或者在輸入電壓端添加一顆TVS 二極管以限制輸入過(guò)壓的情況。當(dāng) CS 電壓高于該閾值時(shí)，內(nèi)部功率MOSFET 即刻關(guān) 斷并保持關(guān)斷狀態(tài)持續(xù)3 個(gè)PWM 周期.。北京低功耗150V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片定制

工作在強(qiáng)制脈寬調(diào)制模式(FPWM) 下以實(shí)現(xiàn)全負(fù)載電流下固定的開(kāi)關(guān)頻率和低輸出紋波。北京低功耗150V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片定制

在輕載條件下，系統(tǒng)工作在斷續(xù)模式下。故實(shí)際輸入功率取決于電感電流峰值大小。為了降低系統(tǒng)損耗，隨著負(fù)載的降低會(huì)自動(dòng)降低峰值電流基準(zhǔn)以滿足**待機(jī)的要求。內(nèi)集成有4ms(典型值)周期的軟啟動(dòng)功能，當(dāng)芯片***次啟動(dòng)時(shí)過(guò)流保護(hù)閾值逐漸增加，而且每次系統(tǒng)的重新啟動(dòng)都會(huì)伴隨著一次軟啟動(dòng)過(guò)程。當(dāng)過(guò)流或短路情況發(fā)生時(shí)，輸出電壓和VDD將降低，如果在128ms(典型值)的時(shí)間內(nèi)每次振蕩器的周期里高壓MOSFET都被開(kāi)通，則芯片識(shí)別此情況為過(guò)流或短路故障已發(fā)生，并停止開(kāi)關(guān)動(dòng)作之后進(jìn)入自動(dòng)重啟模式(如下描述)。北京低功耗150V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片定制

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